垂直腔面发射激光器的制作方法

文档序号:13689637阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种垂直腔面发射激光器(100),其包括第一电接触部(105)、基底(110)、第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、第二分布式布拉格反射器(130)和第二电接触部(135)。所述垂直腔面发射激光器包括至少一个AlyGa(1‑y)As层,其中0.95≤y≤1且厚度为至少40nm,其中,所述AlyGa(1‑y)As层借助至少一个氧化控制层(119、125b)来分离。本发明还涉及一种包括这样VCSEL(100)的激光器设备(300),所述VCSEL(100)优选为由驱动电路(310)驱动的这样的VCSEL(100)的阵列。本发明还涉及制造这样的VCSEL(100)的方法。

技术研发人员:P·H·格拉赫;R·金
受保护的技术使用者:皇家飞利浦有限公司
技术研发日:2016.05.31
技术公布日:2018.02.13
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1