技术特征：
技术总结
提供一种阵列基板及其制作方法，所述阵列基板包括基板(10)、形成于所述基板(10)上的栅极(20)、形成于所述基板(10)和所述栅极(20)上的栅极绝缘层(30)、形成于所述栅极绝缘层(30)上的金属氧化物半导体层(40)、形成于所述金属氧化物半导体层(40)及所述栅极绝缘层(30)上的源极(51)和漏极(52)，所述源极(51)和所述漏极(52)之间设有开口(53)，所述金属氧化物半导体层(40)部分露出于所述开口(53)，所述栅极绝缘层(30)包括第一区域(31)，所述第一区域(31)正对所述开口(53)，所述栅极绝缘层(30)第一区域(31)的厚度小于所述栅极绝缘层(30)除所述第一区域外区域(32)的厚度。将所述漏极(52)与栅极(20)之间的栅极绝缘层(30)正对于所述栅极(20)部分的厚度保持不变，通过增加栅极绝缘层(30)上其他部分的厚度，从而减小所述漏极(52)与所述栅极(20)之间的寄生电容的值。
技术研发人员：叶江波
受保护的技术使用者：深圳市柔宇科技有限公司
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2018.03.20