技术总结
提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、缓冲层(40)和金属层(50)；对所述金属层(50)及所述缓冲层(40)进行图案化处理，以在所述金属层(50)上形成源极(51)、漏极(52)及介于二者之间的沟道(53)，所述缓冲层(40)部分露出于所述沟道(53)；对露出所述沟道(53)部分的缓冲层(40)进行半导体化处理，以在沟道(53)内形成半导体区域(41)。上述制造方法省去了传统阵列基板结构中的金属氧化物半导体层，降低了制作成本。此外，在形成沟道过程中无需蚀刻缓冲层，简化了蚀刻流程，从而减小了蚀刻难度，进一步降低了阵列基板的制造成本。
技术研发人员：李文辉
受保护的技术使用者：深圳市柔宇科技有限公司
文档号码：201680036580
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2018.03.20