用于在石墨基板上生长纳米线或纳米角锥体的方法与流程

文档序号:14685394发布日期:2018-06-12 23:29阅读:来源:国知局
技术总结
一种用于生长纳米线或纳米角锥体(nanopyramid)的方法,其包含:(I)提供石墨基板并且在升高的温度下将AlGaN、InGaN、AlN或AlGa(In)N沉积于该石墨基板上,以形成所述化合物的缓冲层或纳米级成核岛(纳米尺度成核岛);(II)优选经由MOVPE或MBE于该石墨基板上的所述缓冲层或成核岛上生长多个半导体III‑V族纳米线或纳米角锥体、优选III‑氮化物纳米线或纳米角锥体。

技术研发人员:金东徹;艾达·玛丽·霍埃斯;马齐德·孟希;比约恩·奥韦·菲姆兰;赫尔格·韦曼;任丁丁;达萨·德赫拉杰
受保护的技术使用者:科莱约纳诺公司;挪威科技大学
技术研发日:2016.08.01
技术公布日:2018.06.12

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