静电保护电路、方法和显示装置与流程

本发明涉及静电保护技术领域，尤其涉及一种静电保护电路、方法和显示装置。

背景技术：

静电放电(electro-static discharge，ESD)保护电路是薄膜晶体管-液晶显示器以及新兴的有机发光显示器面板上的重要组成部分，它可以使显示器件免遭在生产、运输、工作过程中的静电伤害。传统的ESD静电保护电路在静电大量聚集时可以很好的释放静电，但是在显示面板正常工作时会有很高的漏电流发生。漏电流发生会造成信号流失，引起显示面板正常显示，降低产品良率。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种静电保护电路、方法和显示装置，解决现有技术中由于静电释放通路的存在，在显示面板正常工作时会由于漏电流发生会造成信号流失，引起显示面板无法正常显示，降低产品良率的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种静电保护电路，包括静电释放单元，分别与信号线和静电释放线连接，用于当所述信号线上存在正静电而使得所述信号线上的电位上升的值大于或等于第一预定电位差值时控制所述信号线与所述静电释放线连接，并当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值大于或等于第二预定电位差值时控制所述信号线与所述静电释放线连接，所述静电保护电路还包括：

静电保护单元，分别与所述信号线、所述静电释放线和所述静电释放单元连接，用于当所述信号线上不存在静电、当所述信号线上存在正静电而使得所述信号线上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值小于第二预定电位差值时控制所述信号线和所述静电释放线不连接。

实施时，所述静电释放单元包括：

第一静电释放模块，第一端与所述信号线连接，第二端与所述静电释放线连接，用于当所述信号线上存在正静电而使得所述信号线上的电位上升的值大于或等于第一预定电位差值时控制所述信号线与所述静电释放线连接；以及，

第二静电释放模块，第一端与所述信号线连接，第二端与所述静电释放线连接，用于当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值大于或等于第二预定电位差值时控制所述信号线与所述静电释放线连接。

实施时，所述静电保护单元包括第一静电保护模块和第二静电保护模块，其中，

所述第一静电保护模块分别与所述信号线、所述静电释放线和所述第一静电释放模块的第二端连接，用于当所述信号线上存在正静电而使得所述信号线上的电位上升的值大于或等于第一预定电位差值时控制所述第一静电释放模块的第二端与所述静电释放线连接，用于当所述信号线上不存在静电、当所述信号线上存在正静电而使得所述信号线上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值小于第二预定电位差值时控制所述第一静电释放模块的第二端与所述静电释放线不连接；

所述第二静电保护模块分别与所述信号线、所述静电释放线和所述第二静电释放模块的第一端连接，用于当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值大于或等于第二预定电位差值时控制所述第二静电释放模块的第二端与所述信号线连接，用于当所述信号线上不存在静电、当所述信号线上存在正静电而使得所述信号线上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值小于第二预定电位差值时控制所述第二静电释放模块的第二端与所述信号线不连接。

实施时，所述第一静电释放模块包括：第一导通晶体管，栅极和第一极都与所述信号线连接；以及，

第二导通晶体管，栅极和第一极都与所述第一导通晶体管的第二极连接，第二极通过所述第一静电保护模块与所述静电释放线连接；

所述第一静电保护模块包括第一静电保护电容和第一静电保护晶体管；

所述第一静电保护电容的第一端与所述信号线连接，所述第一静电保护电容的第二端与所述第一静电保护晶体管的栅极连接；

所述第一静电保护晶体管的第一极与所述第二导通晶体管的第二极连接，所述第一静电保护晶体管的第二极与所述静电释放线连接；

所述第一导通晶体管、所述第二导通晶体管和所述第一静电保护晶体管都为n型晶体管。

实施时，所述第二静电释放模块包括：

第三导通晶体管，栅极和第一极都与所述静电释放线连接；以及，

第四导通晶体管，栅极和第一极都与所述第三导通晶体管的第二极连接，第二极通过所述第二静电保护模块与所述信号线连接；

所述第二静电保护模块包括第二静电保护电容和第二静电保护晶体管；

所述第二静电保护电容的第一端与所述静电释放线连接，所述第二静电保护电容的第二端与所述第二静电保护晶体管的栅极连接；

所述第二静电保护晶体管的第一极与所述第四导通晶体管的第二极连接，所述第二静电保护晶体管的第二极与所述信号线连接；

所述第三导通晶体管、所述第四导通晶体管和所述第二静电保护晶体管都为n型晶体管。

实施时，所述第一静电释放模块包括：

第一导通晶体管，栅极和第一极都与通过所述第一静电保护模块与所述信号线连接；以及，

第二导通晶体管，栅极和第一极都与所述第一导通晶体管的第二极连接，第二极与所述静电释放线连接；

所述第一静电保护模块包括第一静电保护电容和第一静电保护晶体管；

所述第一静电保护电容的第一端与所述静电释放线连接，所述第一静电保护电容的第二端与所述第一静电保护晶体管的栅极连接；

所述第一静电保护晶体管的第一极与所述第一导通晶体管的第一极连接，所述第一静电保护晶体管的第二极与所述信号线连接；

所述第一导通晶体管和所述第二导通晶体管都为n型晶体管，所述第一静电保护晶体管为p型晶体管。

实施时，所述第二静电释放模块包括：

第三导通晶体管，栅极和第一极都通过所述第二静电保护模块与所述静电释放线连接；以及，

第四导通晶体管，栅极和第一极都与所述第三导通晶体管的第二极连接，第二极与所述信号线连接；

所述第二静电保护模块包括第二静电保护电容和第二静电保护晶体管；

所述第二静电保护电容的第一端与所述信号线连接，所述第二静电保护电容的第二端与所述第二静电保护晶体管的栅极连接；

所述第二静电保护晶体管的第一极与所述第四导通晶体管的第一极连接，所述第二静电保护晶体管的第二极与所述信号线连接；

所述第三导通晶体管和所述第四导通晶体管都为n型晶体管，所述第二静电保护晶体管为p型晶体管。

本发明还提供了一种静电保护方法，应用于上述的静电保护电路，

当信号线上不存在静电、当所述信号线上存在正静电而使得信号线上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值小于第二预定电位差值时，静电保护方法控制所述信号线和静电释放线不连接。

本发明还提供了一种显示装置，包括信号线，还包括与所述信号线连接的上述的静电保护电路。

与现有技术相比，本发明所述的静电保护电路、方法和显示装置通过静电保护单元使得当信号线上的电压正常时，也即所述信号线上没有累积大量的静电时控制信号线SL和静电释放线不连接，以在保证迅速释放静电的同时降低面板正常工作时的漏电流，改善现有技术中由于静电释放通路的存在，在显示面板正常工作时会由于漏电流发生会造成信号流失，引起显示面板无法正常显示，降低产品良率的现象。

附图说明

图1是本发明实施例所述的静电保护电路的结构图；

图2是本发明另一实施例所述的静电保护电路的结构图；

图3是本发明又一实施例所述的静电保护电路的结构图；

图4是本发明所述的静电保护电路的一具体实施例的电路图；

图5是本发明所述的静电保护电路的另一具体实施例的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。在实际操作时，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。

如图1所示，本发明实施例所述的静电保护电路，包括静电释放单元11，分别与信号线SL和静电释放线ESDL连接，用于当所述信号线SL上存在正静电而使得所述信号线SL上的电位上升的值大于或等于第一预定电位差值时控制所述信号线SL与所述静电释放线ESDL连接，并当所述信号线SL上存在负静电而使得所述信号线SL上的电位下降的值大于或等于第二预定电位差值时控制所述信号线SL与所述静电释放线ESDL连接；

所述静电保护电路还包括：

静电保护单元12，分别与所述信号线SL、所述静电释放线ESDL和所述静电释放单元11连接，用于当所述信号线SL上不存在静电、当所述信号线SL上存在正静电而使得所述信号线SL上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线SL上存在负静电而使得所述信号线SL上的电位下降的值小于第二预定电位差值时控制所述信号线SL和所述静电释放线ESDL不连接。

在实际操作时，所述第一预定电位差值和所述第二预定电位差值的取值可以根据实际情况选定。

本发明实施例所述的静电保护电路可以通过静电保护单元12使得当信号线SL上的电压正常时，也即所述信号线SL上没有累积大量的静电时控制信号线SL和静电释放线ESDL不连接，以在保证迅速释放静电的同时降低面板正常工作时的漏电流，改善现有技术中由于静电释放通路的存在，在显示面板正常工作时会由于漏电流发生会造成信号流失，引起显示面板无法正常显示，降低产品良率的现象。

在实际操作时，所述信号线SL可以为数据线，也可以为其他用于传递信号的线路。

具体的，如图2所示，所述静电释放单元可以包括：

第一静电释放模块111，第一端与所述信号线SL连接，第二端与所述静电释放线ESDL连接，用于当所述信号线SL上存在正静电而使得所述信号线SL上的电位上升的值大于或等于第一预定电位差值时控制所述信号线SL与所述静电释放线ESDL连接；以及，

第二静电释放模块112，第一端与所述信号线SL连接，第二端与所述静电释放线ESDL连接，用于当所述信号线SL上存在负静电而使得所述信号线SL上的电位下降的值大于或等于第二预定电位差值时控制所述信号线SL与所述静电释放线ESDL连接。

如图2所示的静电保护电路的实施例在工作时，所述静电释放单元通过采用第一静电释放模块111可以在所述信号线SL上的正静电大量聚集而累积到一定程度时控制所述信号线SL上的正静电释放至所述静电释放线ESDL，所述静电释放单元11通过采用第二静电释放模块112可以在所述信号线SL上的负静电大量聚集而累积到一定程度时控制所述信号线SL上的负静电释放至所述静电释放线ESDL。

在图2所示的实施例中，所述第一静电释放模块111用于释放正静电，所述第二静电释放模块112用于释放负静电。

具体的，如图3所示，所述静电保护单元可以包括第一静电保护模块121和第二静电保护模块122，其中，

所述第一静电保护模块121分别与所述信号线SL、所述静电释放线ESDL和所述第一静电释放模块111的第二端连接，用于当所述信号线SL上存在正静电而使得所述信号线SL上的电位上升的值大于或等于第一预定电位差值时控制所述第一静电释放模块111的第二端与所述静电释放线ESDL连接，用于当所述信号线SL上不存在静电、当所述信号线SL上存在正静电而使得所述信号线SL上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线SL上存在负静电而使得所述信号线SL上的电位下降的值小于第二预定电位差值时控制所述第一静电释放模块111的第二端与所述静电释放线ESDL不连接，以在不需要进行正静电释放时控制静电释放线ESDL和信号线SL不连接，以降低漏电流发生的可能性；

所述第二静电保护模块122分别与所述信号线SL、所述静电释放线ESDL和所述第二静电释放模块112的第一端连接，用于当所述信号线SL上存在负静电而使得所述信号线SL上的电位下降的值大于或等于第二预定电位差值时控制所述第二静电释放模块112的第二端与所述信号线SL连接，用于当所述信号线SL上不存在静电、当所述信号线SL上存在正静电而使得所述信号线SL上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线SL上存在负静电而使得所述信号线SL上的电位下降的值小于第二预定电位差值时控制所述第二静电释放模块112的第二端与所述信号线SL不连接，以在不需要进行负静电释放时控制静电释放线ESDL和信号线SL不连接，以降低漏电流发生的可能性。

具体的，所述第一静电释放模块可以包括：第一导通晶体管，栅极和第一极都与所述信号线连接；以及，

第二导通晶体管，栅极和第一极都与所述第一导通晶体管的第二极连接，第二极通过所述第一静电保护模块与所述静电释放线连接；

所述第一静电保护模块包括第一静电保护电容和第一静电保护晶体管；

所述第一静电保护电容的第一端与所述信号线连接，所述第一静电保护电容的第二端与所述第一静电保护晶体管的栅极连接；

所述第一静电保护晶体管的第一极与所述第二导通晶体管的第二极连接，所述第一静电保护晶体管的第二极与所述静电释放线连接；

所述第一导通晶体管、所述第二导通晶体管和所述第一静电保护晶体管都为n型晶体管。

在实际操作时，所述第一导通晶体管和所述第二导通晶体管都为二极管连接，所述第一导通晶体管和所述第二导通晶体管的这种连接方式等效于二极管。

具体的，所述第二静电释放模块可以包括：

第三导通晶体管，栅极和第一极都与所述静电释放线连接；以及，

第四导通晶体管，栅极和第一极都与所述第三导通晶体管的第二极连接，第二极通过所述第二静电保护模块与所述信号线连接；

所述第二静电保护模块包括第二静电保护电容和第二静电保护晶体管；

所述第二静电保护电容的第一端与所述静电释放线连接，所述第二静电保护电容的第二端与所述第二静电保护晶体管的栅极连接；

所述第二静电保护晶体管的第一极与所述第四导通晶体管的第二极连接，所述第二静电保护晶体管的第二极与所述信号线连接；

所述第三导通晶体管、所述第四导通晶体管和所述第二静电保护晶体管都为n型晶体管。

在实际操作时，所述第上导通晶体管和所述第四导通晶体管都为二极管连接，所述第三导通晶体管和所述第四导通晶体管的这种连接方式等效于二极管。

具体的，所述第一静电释放模块可以包括：

第一导通晶体管，栅极和第一极都与通过所述第一静电保护模块与所述信号线连接；以及，

第二导通晶体管，栅极和第一极都与所述第一导通晶体管的第二极连接，第二极与所述静电释放线连接；

所述第一静电保护模块包括第一静电保护电容和第一静电保护晶体管；

所述第一静电保护电容的第一端与所述静电释放线连接，所述第一静电保护电容的第二端与所述第一静电保护晶体管的栅极连接；

所述第一静电保护晶体管的第一极与所述第一导通晶体管的第一极连接，所述第一静电保护晶体管的第二极与所述信号线连接；

所述第一导通晶体管和所述第二导通晶体管都为n型晶体管，所述第一静电保护晶体管为p型晶体管。

在实际操作时，所述第一导通晶体管和所述第二导通晶体管都为二极管连接，所述第一导通晶体管和所述第二导通晶体管的这种连接方式等效于二极管。

具体的，所述第二静电释放模块可以包括：

第三导通晶体管，栅极和第一极都通过所述第二静电保护模块与所述静电释放线连接；以及，

第四导通晶体管，栅极和第一极都与所述第三导通晶体管的第二极连接，第二极与所述信号线连接；

所述第二静电保护模块包括第二静电保护电容和第二静电保护晶体管；

所述第二静电保护电容的第一端与所述信号线连接，所述第二静电保护电容的第二端与所述第二静电保护晶体管的栅极连接；

所述第二静电保护晶体管的第一极与所述第四导通晶体管的第一极连接，所述第二静电保护晶体管的第二极与所述信号线连接；

所述第三导通晶体管和所述第四导通晶体管都为n型晶体管，所述第二静电保护晶体管为p型晶体管。

在实际操作时，所述第三导通晶体管和所述第四导通晶体管都为二极管连接，所述第三导通晶体管和所述第四导通晶体管的这种连接方式等效于二极管。

下面通过两个具体实施例来说明本发明所述的静电保护电路。

如图4所示，本发明所述的静电保护电路的第一具体实施例包括静电释放单元和静电保护单元；

所述静电释放单元包括第一静电释放模块和第二静电释放模块；

所述静电保护单元包括第一静电保护模块和第二静电保护模块；

所述第一静电释放模块包括第一导通晶体管TD1，栅极和源极都与所述信号线SL连接；以及，

第二导通晶体管TD2，栅极和源极都与所述第一导通晶体管TD1的漏极连接；漏极通过所述第一静电保护模块与所述静电释放线ESDL连接；

所述第一静电保护模块包括第一静电保护电容C1和第一静电保护晶体管TP1；

所述第一静电保护电容C1的第一端与所述信号线SL连接，所述第一静电保护电容C1的第二端与所述第一静电保护晶体管TP1的栅极连接；

所述第一静电保护晶体管TP1的源极与所述第二导通晶体管TD2的漏极连接，所述第一静电保护晶体管TP1的漏极与所述静电释放线ESDL连接；

所述第一导通晶体管TD1、所述第二导通晶体管TD2和所述第一静电保护晶体管TP1都为n型晶体管；

所述第二静电释放模块包括：

第三导通晶体管TD3，栅极和源极都与所述静电释放线ESDL连接；以及，

第四导通晶体管TD4，栅极和源极都与所述第三导通晶体管TD3的漏极连接，漏极通过所述第二静电保护模块与所述信号线SL连接；

所述第二静电保护模块包括第二静电保护电容C2和第二静电保护晶体管TP2；

所述第二静电保护电容C2的第一端与所述静电释放线ESDL连接，所述第二静电保护电容C2的第二端与所述第二静电保护晶体管TP2的栅极连接；

所述第二静电保护晶体管TP2的源极与所述第四导通晶体管TD4的漏极连接，所述第二静电保护晶体管TP2的漏极与所述信号线SL连接；

所述第三导通晶体管TD3、所述第四导通晶体管TD4和所述第二静电保护晶体管TP2都为n型晶体管。

在如图4所示的实施例中，所述信号线SL为数据线，所述静电释放线ESDL上的电压可以为1V，在具体实施时，ESDL上的电压可以随实际情况改变，在此对其并不作限定。

本发明如图4所示的静电保护电路的具体实施例在工作时，当信号线SL产生正静电而使得SL的电位增大到可以通过C1使得TP1导通时，正静电释放路径导通，大量正静电可以迅速释放；当信号线SL产生负静电而使得SL的电位减小到使得TP2导通时，负静电释放路径导通，大量负静电可以迅速释放；

在正常工作状态下，即SL上不存在正静电或负静电，或者SL上的正静电和负静电的累积并不过多时，TP1的栅源电压和TP2的栅源电压都为负，此时TP1和TP2截止，漏电回路处于关闭状态，这样可以大大降低漏电流的发生。

如图5所示，本发明所述的静电保护电路的第二具体实施例包括静电释放单元和静电保护单元；

所述静电释放单元包括第一静电释放模块和第二静电释放模块；

所述静电保护单元包括第一静电保护模块和第二静电保护模块；

所述第一静电释放模块可以包括：

第一导通晶体管TD1，栅极和源极都与通过所述第一静电保护模块与所述信号线SL连接；以及，

第二导通晶体管TD2，栅极和源极都与所述第一导通晶体管TD1的漏极连接，漏极与所述静电释放线ESDL连接；

所述第一静电保护模块包括第一静电保护电容C1和第一静电保护晶体管TP1；

所述第一静电保护电容C1的第一端与所述静电释放线ESDL连接，所述第一静电保护电容C1的第二端与所述第一静电保护晶体管TP1的栅极连接；

所述第一静电保护晶体管TP1的源极与所述第一导通晶体管TD1的源极连接，所述第一静电保护晶体管TP1的漏极与所述信号线SL连接；

所述第一导通晶体管TD1和所述第二导通晶体管TD2都为n型晶体管，所述第一静电保护晶体管TP1为p型晶体管；

所述第二静电释放模块可以包括：

第三导通晶体管TD3，栅极和源极都通过所述第二静电保护模块与所述静电释放线ESDL连接；以及，

第四导通晶体管TD4，栅极和源极都与所述第三导通晶体管的漏极连接，第二极与所述信号线SL连接；

所述第二静电保护模块包括第二静电保护电容C2和第二静电保护晶体管TP2；

所述第二静电保护电容C2的第一端与所述信号线SL连接，所述第二静电保护电容C2的第二端与所述第二静电保护晶体管TP2的栅极连接；

所述第二静电保护晶体管TP2的源极与所述第四导通晶体管TD4的源极连接，所述第二静电保护晶体管TP2的漏极与所述信号线SL连接；

所述第三导通晶体管TD3和所述第四导通晶体管TD4都为n型晶体管，所述第二静电保护晶体管TP2为p型晶体管。

本发明如图5所示的静电保护电路的具体实施例在工作时，当信号线SL产生正静电而使得SL的电位增大到可以使得TP1导通时，正静电释放路径导通，大量正静电可以迅速释放；当信号线SL产生负静电而使得SL的电位减小到能够通过C2使得TP2导通时，负静电释放路径导通，大量负静电可以迅速释放；

在正常工作状态下，即SL上不存在正静电或负静电，或者SL上的正静电和负静电的累积并不过多时，TP1的栅源电压和TP2的栅源电压都为正，此时TP1和TP2截止，漏电回路处于关闭状态，这样可以大大降低漏电流的发生。

本发明实施例所述的静电保护方法，应用于上述的静电保护电路，

当信号线上不存在静电、当所述信号线上存在正静电而使得信号线上的电位上升的值小于第一预定电位差值时或当所述信号线上存在负静电而使得所述信号线上的电位下降的值小于第二预定电位差值时，静电保护方法控制所述信号线和静电释放线不连接。

本发明实施例所述的显示装置，包括信号线，还包括与所述信号线连接的上述的静电保护电路。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。