集成电路器件的制作方法

文档序号:11235658阅读:397来源:国知局
集成电路器件的制造方法与工艺

本发明的实施例涉及集成电路器件。



背景技术:

图像传感器器件包括用于检测光和记录检测的光的强度的像素阵列。例如,像素阵列通过积聚电荷响应于光。光的强度越高,像素阵列中积聚的电荷越高。积聚的电荷用于提供用于合适的应用中(诸如,数码相机)的图像信息。一些图像传感器器件使用相位差检测像素进行自动对焦(af)。相位差通过处理图像感测像素之中的焦点检测像素工作。焦点检测像素的信号输出用于检测由不同焦点检测像素产生的信号之间的相位差。检测的相位差可以用于进行af。



技术实现要素:

本发明的实施例提供了一种集成电路器件,包括:焦点检测像素,包括位于衬底中的感光单元和非感光单元;以及透镜,设置在所述焦点检测像素上方,其中,所述感光单元和所述非感光单元相对于所述透镜的光轴彼此相对设置,并且穿过所述透镜的光束同时入射至所述感光单元和所述非感光单元。

本发明的另一实施例提供了一种集成电路器件,包括:多个图像感测像素;焦点检测像素对,设置在所述图像感测像素之间并且包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素,其中,所述第一焦点检测像素包括第一侧处的第一感光单元和第二侧处的第一非感光单元,并且所述第二焦点检测像素包括第二侧处的第二感光单元和第一侧处的第二非感光单元;以及透镜,分别设置在所述图像感测像素、所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素上方,其中,所述第一侧和所述第二侧相对于所述透镜的光轴彼此相对,穿过位于所述第一焦点检测像素上方的所述透镜的光束同时入射至所述第一感光单元和所述第一非感光单元,并且穿过位于所述第二焦点检测像素上方的所述透镜的光束同时入射至所述第二感光单元和所述第二非感光单元。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件,包括:多个图像感测像素;焦点检测像素对,包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素,其中,所述第一焦点检测像素包括第一感光单元和第一非感光单元,并且所述第二焦点检测像素包括第二感光单元和第二非感光单元;以及透镜,分别设置在所述图像感测像素、所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素上方,其中,位于所述第一焦点检测像素上方的所述透镜的尺寸和位于所述第二焦点检测像素上方的所述透镜的尺寸分别大于位于所述图像感测像素上方的所述透镜的尺寸。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。

图2是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。

图3是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。

图4是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。

图5是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外,本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

图1是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。

参照图1,在一些实施例中,集成电路器件100包括多个图像感测像素110、至少一个焦点检测像素对120、滤色镜150和透镜160。该附图以简化的方式示出。

在一些实施例中,例如,图像感测像素110和焦点检测像素对120是二维布置的,并且焦点检测像素对120设置在图像感测像素110之间。焦点检测像素对120包括第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128。在一些实施例中,例如,第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128可以邻近彼此设置。在可选实施例中,第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128可以通过至少一个图像感测像素110彼此分隔开。

第一焦点检测像素122包括第一侧处的第一感光单元124和第二侧处的第一非感光单元126,第二焦点检测像素128包括第二侧处的第二感光单元130和第一侧处的第二非感光单元132。例如,第一侧和第二侧相对于透镜160的光轴162彼此相对。在一些实施例中,第一感光单元124和第一非感光单元126相对于透镜160的光轴162彼此相对,并且第二感光单元130和第二非感光单元132相对于透镜160的光轴162彼此相对。在一些实施例中,第一侧和第二侧的一个是右侧,并且第一侧和第二侧的另一侧是左侧。在一些实施例中,例如,第一侧是左侧,并且例如第二侧是右侧。

在一些实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130配置为检测辐射(诸如入射光)的强度(亮度)。第一非感光单元126和第二非感光单元132配置为在感测入射光方面是无效的。在一些实施例中,穿过位于第一焦点检测像素122上方的透镜160的光束li同时入射至第一感光单元124和第一非感光单元126。类似地,穿过位于第二焦点检测像素128上方的透镜160的光束li同时入射至第二感光单元130和第二非感光单元132。换句话说,例如,穿过透镜160的光束li入射至第一非感光单元126和第二非感光单元132而没有被掩模阻断。相应地,第一焦点检测像素122包括第一侧处的第一感光单元124并且第二焦点检测像素128包括第二侧处的第二感光单元130。因此,焦点检测像素对120通过第一感光单元124检测第一侧视信息并且通过第二感光单元130检测第二侧视信息以捕获焦点位置,并且因此焦点检测像素对120进行相位差自动对焦。在一些实施例中,第一侧视信息和第二侧视信息的一个是右视信息,并且第一侧视信息和第二侧视信息的另一个是左视信息。在一些实施例中,例如,第一侧视信息是左视信息,并且第二侧视信息是右视信息。

在一些实施例中,例如,第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128的至少一个的尺寸与图像感测像素110的尺寸不同。在一些实施例中,例如,第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128的至少一个的尺寸大于图像感测像素110的尺寸。在一些实施例中,透镜160分别设置在图像感测像素110、第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128上方。在一些实施例中,滤色镜150设置在透镜160与图像感测像素110、第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128之间。在一些实施例中,位于第一焦点检测像素122上方的透镜160的尺寸和位于第二焦点检测像素128上方的透镜160的尺寸分别大于位于图像感测像素110上方的透镜160的尺寸。在一些实施例中,第一感光单元124、第一非感光单元126、第二感光单元130和第二非感光单元132的至少一个的尺寸可以约等于图像感测像素110的尺寸。在一些实施例中,位于第一焦点检测像素122上方的透镜160的尺寸和位于第二焦点检测像素128上方的透镜160的尺寸分别为约位于图像感测像素110上方的透镜160的尺寸的两倍。在一些实施例中,例如,第一感光单元124的尺寸约等于第一非感光单元126的尺寸,并且第二感光单元130的尺寸约等于第二非感光单元132的尺寸。在一些实施例中,例如,焦点检测像素、感光单元和/或非感光单元的尺寸是焦点检测像素、感光单元和/或非感光单元的宽度。在可选实施例中,焦点检测像素、感光单元和/或非感光单元的尺寸可以是焦点检测像素、感光单元和/或非感光单元的长度、直径、面积等。在一些实施例中,例如,透镜的尺寸是透镜的直径。在可选实施例中,透镜的尺寸可以是透镜的面积等。

以上事实施例示出的实例为第一焦点检测像素和第二焦点检测像素的至少一个的尺寸与图像感测像素的尺寸不同。然而,本发明不限于此。图2是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。该附图以简化的方式示出。在一些实施例中,例如,第一焦点检测像素122和第二焦点检测像素128的至少一个的尺寸约等于图像感测像素110的尺寸。相应地,例如,位于第一焦点检测像素122上方的透镜160的尺寸和位于第二焦点检测像素128上方的透镜160的尺寸约分别等于位于图像感测像素110上方的透镜160的尺寸。

图3是根据一些实施例的示出图1的集成电路器件的详细的示意图。参照图3,在一些实施例中,集成电路器件100包括衬底102。并且图像感测像素110和焦点检测像素对120设置在衬底102中。在一些实施例中,集成电路器件100包括背照式(bsi)图像传感器器件。集成电路器件100可以是集成电路(ic)芯片、芯片上系统(soc)或它们的部分,包括各个无源和有源微电子组件(诸如电阻器、电容器、电感器、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、互补mos(cmos)晶体管、双极结型晶体管(bjt)、横向扩散mos(ldmos)晶体管、高功率mos晶体管、鳍式场效应晶体管(finfet)、其它合适的组件或它们的组合)。为了清楚的目的,已经简化了图3以更好地理解本发明的发明概念。可以在集成电路器件100中添加额外的部件,并且对于集成电路器件100的其它实施例,可以替换或消除以下描述的一些部件。

在一些实施例中,衬底102具有正面104和背面106。在一些实施例中,衬底102是包括硅的半导体衬底。在可选实施例中,衬底102可以包括另一元素半导体(诸如锗和/或碳);化合物半导体(诸如碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟);合金半导体(包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp);或它们的组合。衬底102可以是绝缘体上半导体(soi)。衬底102可以包括掺杂的外延层、梯度半导体层和/或位于不同类型的另一半导体层上面的半导体层(诸如硅锗层上硅层)。

在一些实施例中,根据集成电路器件100的设计需求,衬底102可以是p-型或n-型衬底。在一些实例中,集成电路器件100可以包括p-型掺杂的衬底,并且例如,p-型衬底用包括硼、镓、铟、其它合适的p-型掺杂剂或它们的组合掺杂。在可选实施例中,集成电路器件100可以包括n-型掺杂的衬底,例如,n-型衬底用磷、砷、其它合适的n-型掺杂剂或它们的组合掺杂。在一些实施例中,衬底102可以包括配置并且耦合的各个掺杂区域(诸如p-型掺杂区域和/或n-型掺杂区域)以形成各个元件和功能部件。所有掺杂部件均可以使用合适的工艺(诸如各个步骤和技术中的离子注入)获得。

在一些实施例中,衬底102可以包括隔离结构108。在一些实施例中,隔离结构108限定了它们之间的多个有源区域102a和非有源区域102b。在一些实施例中,例如,有源区域102a具有相同的尺寸。例如,非有源区域102b具有相同的尺寸。在可选实施例中,有源区域102a和非有源区域102b的至少一个的尺寸与其它的尺寸不同。例如,隔离结构108是硅的局部氧化(locos)和/或浅沟槽隔离(sti),以分隔(或隔离)开在衬底102上方或内形成的各个区域和/或元件。隔离结构108可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料或它们的组合。可以通过任何合适的工艺形成隔离结构108。例如,形成sti包括光刻工艺、在衬底102中蚀刻沟槽(例如,通过使用干蚀刻和/或湿蚀刻)并且用介电材料填充沟槽(例如,通过使用化学汽相沉积工艺)。填充的沟槽可以具有多层结构,诸如用氮化硅或氧化硅填充的热氧化物衬垫层。在一些实施例中,衬底102可以包括在隔离结构108旁边形成的掺杂区域109。掺杂区域109是在衬底102中形成的具有n-型和/或p-型掺杂剂的掺杂区域。在一些实施例中,掺杂区域109是p-型掺杂区域。可以通过诸如扩散和/或离子注入的方法形成掺杂区域109。

在一些实施例中,图像感测像素110、第一感光单元124和第二感光单元130分别设置在有源区域102a中。在一些实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132分别设置在非有源区域102b中。在一些实施例中,例如,第一非感光单元126和第二非感光单元132彼此邻近。在可选实施例中,第一感光单元124和第二感光单元130可以彼此邻近。图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130可以包括光电探测器(诸如光电二极管)。在一些实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130可以分别包括光感测区域(或感光区域)lsr(检测入射光的强度(亮度))。在一个实施例中,入射光是可见光。可选地,入射光可以是红外(ir)、紫外(uv)、x-射线、微波、其他合适的辐射类型或它们的组合。在一些实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120配置为符合特定的光波长(诸如红色(r)、绿色(g)或蓝色(b)光波长)。光感测区域(或感光区域)lsr是在衬底102中形成的具有n-型和/或p-型掺杂剂的掺杂区域。在一些实施例中,光感测区域lsr可以是n-型掺杂区域。可以通过诸如扩散和/或离子注入的方法形成光感测区域lsr。在一些实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130的至少一个可以包括浮置扩散区域fd。可以通过诸如扩散和/或离子注入的方法形成浮置扩散区域fd。在可选实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130还可以包括一个或多个钉扎层。例如,光感测区域lsr可以包括设置在衬底102中的正面104和背面106处的钉扎层(未示出)。在可选实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130可以设置在分别设置在衬底102的正面104和背面106处的钉扎层之间。钉扎层是掺杂层,根据图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130的设计需求,可以是n-型或p-型掺杂的。

衬底102也可以包括在正面104上方或附近形成的附加层(诸如氧化物、电介质、多晶硅、金属等)。

在一些实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个是与衬底102具有相同电导率的掺杂区域dr。掺杂区域dr是在衬底102中形成的具有n-型和/或p-型掺杂剂的掺杂区域。在一些实施例中,掺杂区域dr是p-型掺杂区域。可以通过诸如扩散和/或离子注入的方法形成掺杂区域dr。在一些实施例中,例如,掺杂区域dr与隔离结构108旁边的掺杂区域109同时形成。

在一些实施例中,图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130还可以包括介电间层idl中的各个晶体管t(诸如传输晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管、选择晶体管、其它合适的晶体管或它们的组合)。光感测区域lsr和各个晶体管t(可以统称为像素电路)可以允许图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130检测特定光波长的强度。可以向图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130提供附加电路、输入和/或输出以提供用于图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130的操作环境和/或支持与图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130的通信。在可选实施例中,伪栅极可以设置在第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个上方。

在一些实施例中,集成电路器件100还包括设置在衬底102的正面104上方的各个导电部件142。在一些实施例中,介电层144中的各个导电部件142耦合至bsi图像传感器器件的各个组件(诸如图像感测像素110和焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130),从而使得图像感测器件的各个组件是可操作的以适当地响应照明的光(成像辐射)。各个导电部件142可以是垂直互连件(诸如接触件和/或通孔)和/或水平互连件(诸如线)。各个导电部件142可以包括导电材料(诸如金属)。在实例中,可以使用包括铝、铝/硅/铜合金、钛、氮化钛、钨、多晶硅、金属硅化物或它们的组合的金属,并且各个导电部件142可以称为铝互连件。可以通过包括物理汽相沉积(pvd)、化学汽相沉积(cvd)或它们的组合的工艺形成各个导电部件142。形成各个导电部件142的其它制造技术可以包括光刻工艺和蚀刻以图案化导电材料以形成垂直和水平互连件。用于多层互连件中的金属硅化物可以包括硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化铂、硅化铒、硅化钯或它们的组合。可选地,各个导电部件142可以是铜多层互连件(包括铜、铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、多晶硅、金属硅化物或它们的组合)。应该明白,导电部件142不受描述的数量、材料、尺寸和/或大小的限制,并且因此,根据集成电路器件100的设计需求,导电部件142可以包括导电部件的任何数量、材料、尺寸和/或大小。

在一些实施例中,滤色镜150设置在衬底102的背面106上方。例如,滤色镜150是红色滤色镜、绿色滤色镜或蓝色滤色镜。设计滤色镜150,从而使得每个都可以过滤预定波长的光。例如,与红色光感测区域对准的红色滤色镜可以配置为将红色波长的可见光过滤至光感测区域,与绿色光感测区域对准的绿色滤色镜可以配置为将绿色波长的可见光过滤至光感测区域,或与蓝色光感测区域对准的蓝色滤色镜可以配置为将蓝色波长的可见光过滤至光感测区域。在一些实施例中,介电层或抗反射层(未示出)设置在衬底102的背面106上方以及滤色镜150和衬底102之间。

以上实施例示出的实例为第一非感光单元和第二非感光单元的至少一个是掺杂区域。然而,本发明不限于此。图4是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。在一些实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个可以是绝缘部件if。在一些实施例中,例如,绝缘部件if是至少一个sti结构。在一些实施例中,例如,绝缘部件if与限定非有源区域102b的邻近的隔离结构108整体地形成,其中,限定非有源区域102b的隔离结构108的初始轮廓由虚线表示。在一些实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个的绝缘部件if与隔离结构108同时形成。在一些实施例中,掺杂区域109’进一步在第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个的绝缘部件if旁边。绝缘部件if和掺杂区域109’的材料和形成方法可以与隔离结构108和掺杂区域109的相同,以上描述了其细节,并且因此在此处省略。在一些实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个可以由绝缘部件if和绝缘部件if旁边的掺杂区域109’构成。在可选实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个可以由绝缘部件if构成。在一些实施例中,焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130配置为检测辐射的强度,并且第一非感光单元126和第二非感光单元132在感测入射光方面是无效的。因此,集成电路器件100可以检测相位差。

图5是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。在一些实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132的至少一个是设置在隔离结构108之间的没有额外掺杂的衬底102的部分ud。在一些实施例中,通过掩模屏蔽衬底102的非有源区域102b同时在衬底102的有源区域102a中形成其它组件,并且因此防止了衬底102的非有源区域102b受到额外的掺杂。在一些实施例中,焦点检测像素对120的第一感光单元124和第二感光单元130配置为检测辐射的强度,并且第一非感光单元126和第二非感光单元132在感测入射光方面是无效的。因此,集成电路器件100可以检测相位差。

应该注意,例如,虽然以上描述的实施例中第一非感光单元126和第二非感光单元132是相同的,但是在可选实施例中,第一非感光单元126和第二非感光单元132可以是不同的。

在一些实施例中,集成电路具有图像感测像素和焦点检测像素对(包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素)。第一焦点检测像素包括第一侧处的第一感光单元和第二侧处的第一非感光单元,第二焦点检测像素包括第二侧处的第二感光单元和第一侧处的第二非感光单元,并且第一侧和第二侧相对于透镜的光轴彼此相对设置。穿过位于第一焦点检测像素的透镜的光束同时入射至第一感光单元和第一非感光单元而没有被阻断,并且穿过位于第二焦点检测像素上方的透镜的光束同时入射至第二感光单元和第二非感光单元而没有被阻断。相应地,焦点检测像素对通过第一感光单元检测第一侧视信息并且通过第二感光单元检测第二侧视信息以捕获焦点位置,并且因此焦点检测像素对进行相位差自动对焦。

在一些实施例中,第一感光单元和第二感光单元的至少一个可以具有光感测区域(可以与图像感测像素的光感测区域同时形成)。第一非感光单元和第二非感光单元的至少一个可以是绝缘部件、具有与衬底相同的电导率的掺杂区域或没有额外掺杂的部分衬底。因此,第一非感光单元和第二非感光单元的至少一个可以与隔离部件或隔离部件旁边的掺杂区域同时形成,或通过保持部分衬底没有额外掺杂而形成。特别地,在一些实施例中,第一感光单元和第二感光单元的每个的尺寸可以约等于图像感测像素的尺寸,并且因此可以通过用于图像感测像素的制造工艺形成第一感光单元和第二感光单元。相应地,集成电路可以具有更低的成本和简化的工艺。

集成电路器件包括焦点检测像素和透镜。焦点检测像素包括衬底中的感光单元和非感光单元。该透镜设置在焦点检测像素上方,其中,感光单元和非感光单元相对于透镜的光轴彼此相对设置,并且穿过透镜的光束同时入射至感光单元和非感光单元。

在上述集成电路器件中,其中,所述感光单元的尺寸等于所述非感光单元的尺寸。

在上述集成电路器件中,还包括位于所述衬底中的多个隔离结构,其中,所述感光单元和所述非感光单元分别设置在所述隔离结构之间。

在上述集成电路器件中,其中,所述非感光单元是绝缘部件。

在上述集成电路器件中,其中,所述非感光单元是具有与所述衬底相同的电导率的掺杂区域。

在上述集成电路器件中,其中,所述非感光单元是没有额外掺杂的所述衬底的部分。

在上述集成电路器件中,还包括设置在所述焦点检测像素和所述透镜之间的滤色镜。

集成电路器件包括多个图像感测像素、焦点检测像素对和透镜。焦点检测像素对设置在图像感测像素之间并且包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素。第一焦点检测像素包括第一侧处的第一感光单元和第二侧处的第一非感光单元并且第二焦点检测像素包括第二侧处的第二感光单元和第一侧处的第二非感光单元。透镜分别设置在图像感测像素、第一焦点检测像素和第二焦点检测像素上方。第一侧和第二侧相对于透镜的光轴彼此相对,穿过位于第一焦点检测像素上方的透镜的光束同时入射至第一感光单元和第一非感光单元,并且穿过位于第二焦点检测像素上方的透镜的光束同时入射至第二感光单元和第二非感光单元。

在上述集成电路器件中,其中,所述第一感光单元、所述第一非感光单元、所述第二感光单元和所述第二非感光单元的尺寸的至少一个等于所述图像感测像素的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,位于所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素的至少一个上方的所述透镜的尺寸等于位于所述图像感测像素上方的所述透镜的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,位于所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素的至少一个上方的所述透镜的尺寸大于位于所述图像感测像素上方的所述透镜的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,所述第一感光单元的尺寸等于所述第一非感光单元的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,所述第二感光单元的尺寸等于所述第二非感光单元的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,所述第一侧和所述第二侧的一个是右侧,并且所述第一侧和所述第二侧的另一个是左侧。

在上述集成电路器件中,还包括设置在所述图像感测像素和所述透镜之间、所述第一焦点检测像素和所述透镜之间以及所述第二焦点检测像素和所述透镜之间的滤色镜。

在上述集成电路器件中,其中,所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素彼此邻近设置。

集成电路器件包括多个图像感测像素、焦点检测像素对和透镜。焦点检测像素对包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素。第一焦点检测像素包括第一感光单元和第一非感光单元,第二焦点检测像素包括第二感光单元和第二非感光单元。透镜分别设置在图像感测像素、第一焦点检测像素和第二焦点检测像素上方。位于第一焦点检测像素上方的透镜的尺寸和位于第二焦点检测像素上方的透镜的尺寸分别大于位于图像感测像素上方的透镜的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,位于所述第一焦点检测像素上方的所述透镜的尺寸和位于所述第二焦点检测像素上方的所述透镜的尺寸分别为位于所述图像感测像素上方的所述透镜的尺寸的两倍。

在上述集成电路器件中,其中,所述第一感光单元、所述第一非感光单元、所述第二感光单元和所述第二非感光单元的每个的尺寸均等于所述图像感测像素的尺寸。

在上述集成电路器件中,其中,穿过位于所述第一焦点检测像素上方的所述透镜的光束同时入射至所述第一感光单元和所述第一非感光单元,并且穿过位于所述第二焦点检测像素上方的所述透镜的光束同时入射至所述第二感光单元和所述第二非感光单元。

上面概述了若干实施例的特征,使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解,他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本人所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到,这种等同构造并不背离本发明的精神和范围,并且在不背离本发明的精神和范围的情况下,本文中他们可以做出多种变化、替换以及改变。

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