半导体装置及其制造方法与流程

文档序号:11252663阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含第1半导体区域、积层体、多个柱状部、壁状的多个第1绝缘部及柱状的多个第2绝缘部。积层体设置在第1半导体区域上且包含交替地积层的多个绝缘体与多个电极层。柱状部设置在积层体内且沿积层体的积层方向延伸并包含半导体主体与电荷蓄积膜,半导体主体与第1半导体区域相接。第1绝缘部设置在积层体内并沿积层方向及与积层方向交叉的第1方向延伸且与第1半导体区域相接。第2绝缘部设置在积层体内且沿积层方向延伸并与第1半导体区域相接。第2绝缘部的沿着与第1方向在平面内交叉的第2方向的宽度比第1绝缘部的沿着第2方向的宽度宽。第2绝缘部俯视观察时配置成错位格子状。

技术研发人员:藤木润;荒井伸也
受保护的技术使用者:东芝存储器株式会社
技术研发日:2017.02.10
技术公布日:2017.09.15
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