半导体装置和其制造方法与流程

文档序号:11434376阅读:217来源:国知局
半导体装置和其制造方法与流程

本发明涉及一种半导体装置和其制造方法。确切地说,本发明涉及一种包含至少一个延伸超出其封装本体的连接元件的半导体装置和其制造方法。



背景技术:

一般来说,半导体封装可包含:衬底(substrate),其具有安置在所述衬底上方的半导体裸片(semiconductordie);插入件(interposer);互连件(interconnects),其用以在所述衬底与所述插入件之间形成电连接;和模制化合物(moldingcompound),其形成于所述衬底与所述插入件之间以囊封(encapsulate)所述半导体裸片和所述互连件。然而,此类半导体封装的厚度(例如,大于1.0毫米(mm))比一些半导体封装的规定厚度(例如,小于0.5mm)大。此外,通过插入件的表面上的焊垫(pad)将半导体封装接合到主板(motherboard)(例如,印刷电路板)较为困难,因此质量和产量较低。



技术实现要素:

本发明涉及一种半导体装置。在一实施例中,所述半导体装置包含衬底、封装本体(packagebody)和连接元件(connectingelement)。所述封装本体安置为邻近于所述衬底的表面,并界定模腔(cavity)。所述连接元件安置为邻近于所述衬底的所述表面并位于所述模腔中。在所述连接元件的一部分的周边表面(peripherysurface)与所述模腔的一部分的侧壁之间具有空间。所述连接元件的末端部分延伸超出所述封装本体的最外表面。

在一实施例中,一种半导体装置包含衬底,所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底包含至少一个球垫(ballpad)。所述半导体装置进一步包含封装本体,所述封装本体安置为邻近于所述衬底的所述第一表面,所述封装本体界定模腔,且所述模腔包含第一部分和第二部分。所述半导体装置进一步包含与所述衬底隔开的装置,以及连接所述衬底与所述装置的至少一个连接元件。每一连接元件包含第一部分和第二部分,所述连接元件的所述第一部分填充所述模腔的所述第一部分并接触相应球垫,所述连接元件的所述第二部分位于所述模腔的所述第二部分中,在所述连接元件的所述第二部分的周边表面与所述模腔的所述第二部分的侧壁之间具有空间,且所述连接元件的所述第二部分连接到所述装置。所述半导体装置进一步包含附接并电连接到所述衬底的所述第二表面的传感器板(sensorplate)。

一种用于制造半导体装置的方法包含:(a)提供衬底和半导体裸片,其中所述半导体裸片电连接到所述衬底的表面;(b)邻近于所述衬底表面所述表面形成第一焊料球;(c)形成封装本体,以囊封所述半导体裸片和所述第一焊料球;(d)去除所述封装本体的一部分以形成开口,以暴露所述第一焊料球的一部分;和(e)将第二焊料球与第一焊料球熔合以形成连接元件,其中在所述连接元件的一部分的周边表面与所述开口的侧壁之间具有空间,且所述连接元件的末端部分延伸超出所述封装本体。

附图说明

图1为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图2为图1中所说明的半导体装置的区域‘a’的部分放大视图。

图3为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图4为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图5为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图6为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图7为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图8为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图9、图10、图11、图12、图13和图14说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。

图15说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。

图16、图17、图18和图19说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。

图20和图21说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。

具体实施方式

本发明描述一种半导体装置,其可通过例如省略插入件来降低半导体装置的厚度以及改进半导体装置与主板之间的接合质量。

除非另外规定,否则例如“上方”、“下方”、“向上”、“左边”、“右边”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧”、“较高”、“下部”、“上部”、“上面”、“下面”等空间描述是相对于图中所展示的定向加以指示。应理解,本文中所使用的空间描述仅是出于说明的目的,且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置,其限制条件为本发明的实施例的优点不因此布置而有偏差。

图1为根据本发明的实施例的半导体装置1的横截面图。在一或多个实施例中,半导体装置1是接合到主板(图1中未示出)的半导体封装。半导体装置1包含衬底10、球垫12、迹线(trace)14、凸块垫(bumppad)16、第一阻焊层(firstsoldermask)18、顶部垫(toppads)20、第二阻焊层22、半导体裸片24、导电凸块26、封装本体28和至少一个连接元件30。

衬底10是封装衬底,且具有第一表面101以及与第一表面101相对的第二表面102。球垫12、迹线14和凸块垫16包含在安置于衬底10的第一表面101上的第一电路图案中。迹线14可安置于球垫12之间。举例来说,如在图1中的虚线包围的区域(标记为‘a’)中所说明,一个迹线14布线在两个相邻球垫12之间。在其它实施例中,两个或大于两个迹线14可布线在两个相邻球垫12之间,或无迹线14布线在两个相邻球垫12之间。第一阻焊层18覆盖衬底10的第一表面101,且球垫12和凸块垫16从第一阻焊层18暴露。顶部垫20包含在安置于衬底10的第二表面102上的第二电路图案中。第二阻焊层22覆盖衬底10的第二表面102,且顶部垫20从第二阻焊层22暴露。在一或多个实施例中,焊料球或焊料凸块安置于顶部垫20的相应者的上方。

半导体裸片24安置为邻近于衬底10的第一表面101,且电连接到衬底10的第一表面101上的第一电路图案(例如,包含球垫12、迹线14和凸块垫16的电路图案)。在此实施例中,半导体裸片24通过倒装芯片接合(flipchipbonding)电连接到第一电路图案,也就是说,半导体裸片24通过导电凸块26连接到凸块垫16。然而,在另一实施例中,半导体裸片24可通过打线接合(wirebonding)电连接到第一电路图案。

封装本体28安置为邻近于衬底10的第一表面101,安置于第一阻焊层18上方且囊封半导体裸片24。封装本体28的材料为例如囊封剂(encapsulant)或模制化合物(moldingcompound)。封装本体28界定一或多个模腔(cavities)34,其围绕半导体裸片24的周边。

连接元件30安置为邻近于衬底10的第一表面101,且安置于对应模腔34中。在图1的实施例中,半导体装置1包含多个连接元件30,其安置于围绕半导体裸片24的球垫12的相应者上。在图1的实施例中,连接元件30是通过熔合两个堆叠式焊料球(stackedsolderball)形成的组合焊料球(combinedsolderball),且连接元件30因此包含颈部部分(neckportion)32。连接元件30的一部分位于封装本体28内,且连接元件30的另一部分从封装本体28突出,超出模腔34。换句话说,连接元件30安置为邻近于衬底10的第一表面101,且被封装本体28部分地囊封。

连接元件30的一部分的周边表面与模腔34的一部分的侧壁之间具有空间33。也就是说,模腔34的最大横向宽度大于连接元件30的最大横向宽度,因此,在连接元件30的所述部分的周边表面与空腔34的所述部分的侧壁之间存在空的空间(空间33),且连接元件30不完全填充模腔34。另外,连接元件30的末端部分31延伸超出/突出于封装本体28的底部表面281,其中封装本体28的底部表面281是封装本体28在半导体装置1包含封装本体28的那一侧上的最外表面,且与衬底10的第一表面101基本上平行。在一或多个实施例中,模腔34可通过激光工艺根据预定图案形成。因为在连接元件30的所述部分的周边表面与模腔34的所述部分的侧壁之间存在空的空间33,所以当连接元件30接合到电气元件(例如,主板或半导体封装)时,空间33可容纳被挤出的熔融连接元件30。因此,可避免两个相邻连接元件30之间的桥接。另外,空间33可减轻应力集中效应(stressconcentrationeffect),解释如下。如果连接元件30的所述部分的周边表面与模腔34的所述部分的侧壁之间的空间33被省略(也就是说,连接元件30完全填充模腔34),那么封装本体28的底部拐角(bottomcorner)282或底部边缘(bottomedge)将因而接触连接元件30并将形成应力集中区,使得在连接元件30接合到电气元件(例如,主板或半导体封装上)之后,在连接元件30中可能从封装本体28的底部拐角282或底部边缘开始发生开裂(crack)。因此,如图1中所展示提供的空间33可将封装本体28的底部拐角282或底部边缘与连接元件30的周边表面间隔开(也就是说,封装本体28的底部拐角282或底部边缘将不接触连接元件30的周边表面);因此,可避免所描述的应力集中效应和所引起的开裂,增加接合的可靠性。

图2是图1中所说明的半导体装置1的区域‘a’的放大视图。从封装本体28的顶部表面(第一阻焊层18的底部表面)开始,沿着所展示的定向中的衬底10的垂直方向测量连接元件30的高度h和封装本体28的厚度t,其中h大于t,使得连接元件30的末端部分31延伸超出或突出于封装本体28的底部表面281。因此,连接元件30可直接接合到另一装置的电接点(例如,如图6中所展示,接合到例如主板或半导体封装上的电气元件36的电接点361,其中如图15中所展示,电接点361上面可(但非必要)具有预焊料(pre-solder)362,且连接元件30接合到预焊料362)。

在一或多个实施例中,省略第一阻焊层18,且封装本体28安置于衬底10的第一表面101上;因此,连接元件30的高度h和封装本体28的厚度t从衬底10的第一表面101开始测量。

如图1和2中所展示,连接元件30的末端部分31在完成的半导体装置1中为自由端(不接合或连接到另一装置或组件)。因此,连接元件30的末端部分31的周边表面由于内聚力而为曲面。

连接元件30包含连接元件30的颈部部分32上方的第一部分301以及颈部部分32下方的第二部分302。模腔34包含第一部分341以及第二部分342。第一部分341具有邻近于连接元件30的第一部分301的侧壁,第二部分342具有邻近于连接元件30的第二部分302的侧壁,其中在互连元件30的第二部分302与模腔34的第二部分342的侧壁之间具有空间33。连接元件30的第一部分301填充模腔34的第一部分341并接触衬底10上的球垫12。连接元件30的第二部分302位于模腔34的第二部分342中。空间33位于连接元件30的第二部分302的周边表面与模腔34的第二部分342的侧壁之间。连接元件30的第二部分302的末端部分31延伸超出封装本体28的底部表面281(最外表面)。

模腔34的第一部分341的侧壁的曲度(curvature)与模腔34的第二部分342的侧壁的曲度不连续;也就是说,在模腔34的第一部分341与第二部分342之间在封装本体28的顶点(apex)或峰部(peak)存在拐点(turningpoint)343,所述拐点343对应于连接元件30的颈部部分32的谷部(valley)并与其位于相同位置。对应地,连接元件30的第一部分301的周边表面的曲度与连接元件30的第二部分302的周边表面的曲度不连续。

模腔34的第二部分342的最大横向宽度大于模腔34的第一部分341的最大横向宽度w1。连接元件30的第二部分302的最大横向宽度w2大于连接元件30的第一部分301的最大横向宽度w1,且w2=a*w1,其中‘a’是约0.8到约1.6的乘数,例如大于1,或约1.05到约1.24。如果‘a’的值太低(例如,小于约0.8),那么连接元件30的延伸超出封装本体28的底部表面281(最外表面)的暴露部分的高度h2将会太小,且当连接元件30经接合(例如,到主板或半导体封装)时,可能发生不沾锡(non-wetting)且得到的接合强度可能不佳。如果‘a’的值太高(例如,大于约1.6),那么连接元件30的暴露部分的高度h2将会太大,且当连接元件30经接合(例如,到主板或半导体封装)时,可能在两个连接元件30之间发生焊料桥接。

连接元件30在底部表面281下方的部分的高度是h1,其中h1=b*h2,其中‘b’是约1.6到约5.8的乘数,例如大于1、大于2,或约2.2到约4.71。如果h1的值固定且‘b’的值太高(例如,大于约5.8),那么连接元件30的延伸超出封装本体28的底部表面281(最外表面)的暴露部分的高度h2将会太小,且当连接元件30接合到电气元件(例如,到主板或半导体封装)时,可能发生不沾锡且得到的接合强度可能不佳。如果h1的值固定且‘b’的值太低(例如,小于1.6),那么连接元件30的暴露部分的高度h2将会太大,且当连接元件30经接合(例如,到主板或半导体封装)时,可能在两个连接元件30之间发生焊料桥接。

如图2中所展示,模腔34的第一部分341的深度界定为d1,且模腔34的第二部分342的深度界定为d2,其中d2=c*d1,其中‘c’是约0.9到约20的乘数,例如大于约1,大于约2,或约2.21到约2.52。如果‘c’的值太低(例如,小于约0.9),那么第二部分342的体积将会太小,引起连接元件30延伸超出封装本体28的底部表面281(最外表面)的暴露部分的高度h2太大,且当连接元件30经接合(例如,到主板或半导体封装)时,可能在两个连接元件30之间发生焊料桥接。如果‘c’的值太高(例如,大于约20),那么连接元件30的暴露部分的高度h2将会太小,且当连接元件30经接合(例如,到主板或半导体封装)时,可能发生不沾锡且接合强度可能不佳。

图3是根据本发明的实施例的半导体装置2的横截面图。图3的半导体装置2类似于图1和图2中所说明的半导体装置1,不同之处在于模腔34的第二部分342的顶部表面3421是基本上平坦的表面。连接元件30的第二部分302从第二部分342的顶部表面3421突出。也就是说,连接元件30的颈部部分32位于模腔34的第一部分341与模腔34的第二部分342的顶部表面3421的结合部(junction)。

图4是根据本发明的实施例的半导体装置3的横截面图。图4的半导体装置3类似于图1和图2中所说明的半导体装置1,不同之处在于连接元件30a包含核心部分(coreportion)303和覆盖核心部分303的周边部分(peripheryportion)304。核心部分303的材料不同于周边部分304的材料。在一或多个实施例中,核心部分303包含铜、金或其合金,且周边部分304包含焊料锡(sn),或铅/锡(pbsn)或锡/银(snag)类焊料。在一或多个实施例中,核心部分303的材料的熔化温度高于周边部分304的熔化温度。在图4中,周边部分304包含颈部部分32上方的第一部分3041和颈部部分32下方的第二部分3042,其中第二部分3042的最大厚度(在所展示的定向的垂直方向上)大于第一部分3041的最大厚度。第二部分3042的最大厚度可与第一部分3041的最大厚度的约五到十倍一样大,或比其大。

图5是根据本发明的实施例的半导体装置4的横截面图。图5的半导体装置4类似于图1和图2中所说明的半导体装置1,不同之处在于半导体装置4进一步包含第二半导体裸片25和第二封装本体29。半导体裸片25电连接到衬底10的第二表面102上的顶部垫20,且封装本体29安置于衬底10的第二表面102上方以囊封半导体裸片25。

图6是根据本发明的实施例的半导体装置5的横截面图。图6的半导体装置5类似于图1和图2中所说明的半导体装置1,不同之处在于半导体装置5进一步包含可为主板或半导体封装的装置36。装置36与衬底10间隔开,且包含邻近于其表面的至少一个电接点361(例如,接合垫)。如图6中所展示,半导体装置1的连接元件30接合到装置36,且连接元件30的末端部分31接触电接点361。

图7是根据本发明的实施例的半导体装置6的横截面图。图7的半导体装置6类似于图6中所说明的半导体装置5,不同之处在于如图4所展示和相关描述,连接元件30a包含核心部分303和覆盖核心部分303的周边部分304。核心部分303包含铜、金或其合金,且周边部分304包含sn焊料、pbsn类焊料或snag类焊料。

图8是根据本发明的实施例的半导体装置7的横截面图。图8的半导体装置7类似于图6中所说明的半导体装置5,不同之处在于半导体装置7进一步包含附接到并电连接到衬底10的第二表面102上的顶部垫20的玻璃板38。玻璃板38在其中包含电路,使得当用户的手指触摸玻璃板38时,由手指的螺纹导致的电势差(electricalpotentialdifference)可提供到半导体裸片24以进行处理。半导体装置7因此可实施于指纹传感器中。更一般来说,如针对玻璃板38所说明和描述,多种传感器板(例如多种指纹传感器板)可连接到衬底10。

图9到14说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。参考图9,提供衬底10和半导体裸片24。衬底10具有第一表面101以及与第一表面101相对的第二表面102。球垫12、迹线14和凸块垫16包含在安置于衬底10的第一表面101上的第一电路图案中。迹线14可安置于球垫12之间。第一阻焊层18覆盖衬底10的第一表面101,且球垫12和凸块垫16从第一阻焊层18暴露。顶部垫20包含在安置于衬底10的第二表面102上的第二电路图案中。第二阻焊层22覆盖衬底10的第二表面102,且顶部垫20从第二阻焊层22暴露。

半导体裸片24安置为邻近于衬底10的第一表面101,且电连接到衬底10的第一表面101上的第一电路图案(例如,包含球垫12、迹线14和凸块垫16的电路图案)。在此实施例中,半导体裸片24通过倒装芯片接合电连接到第一电路图案,也就是说,半导体裸片24通过导电凸块26连接到凸块垫16。然而,在其它实施例中,半导体裸片24可通过打线接合电连接到第一电路图案。

参考图10,形成一或多个第一焊料球40邻近于衬底10的第一表面101。在此实施例中,多个焊料球40安置于围绕半导体裸片24的球垫12的相应者上。焊料球40包含sn焊料、pbsn类焊料或snag类焊料。

参考图11,形成封装本体28邻近于衬底10的第一表面101,以囊封/覆盖半导体裸片24和焊料球40。封装本体28为例如囊封剂或模制化合物,且封装本体28安置于第一阻焊层18上方。封装本体28具有底部表面281。沿着一或多个机械加工路径(machiningpath)41移除封装本体28对应于焊料球40下方的位置的部分,以暴露焊料球40。在一或多个实施例中,机械加工路径41是一或多个激光束依循的路径,且所述激光束施加于(在图11中展示的定向中)在焊料球40下方的区域上。

参考图12,从底部表面281移除封装本体28的一部分以形成一或多个开口,每一开口暴露对应焊料球40的下部部分。也就是说,焊料球40的下部部分不延伸超出封装本体28的底部表面281。在对应焊料球40下方形成的每一开口界定模腔34的第二部分342,其中模腔34进一步包含第一部分341和拐点343。模腔34的第一部分341的侧壁的曲度与模腔34的第二部分342的侧壁的曲度不连续,因此拐点343是第一部分341与第二部分342的相交点。第一部分341在拐点343上方,且第二部分342在拐点343下方。

图13是图12中的区域‘b’的放大视图。焊料球40的上部部分填充模腔34的第一部分341并接触衬底10上的球垫12,且焊料球40的下部部分位于模腔34的第二部分342中。第二部分342的深度d2是焊料球40的总高度h3的约二分之一。

参考图14,提供一或多个第二焊料球42以与对应焊料球40熔合以形成至少一个连接元件30,从而形成图1和图2中所说明的半导体装置1。在此实施例中,焊料球42的体积基本上等于焊料球40的体积,且焊料球42的材料与焊料球40的材料相同或类似。如图1和图2中所展示,于连接元件30的第二部分302的周边表面与模腔34的第二部分342的侧壁之间界定空间33。连接元件30的第二部分302的末端部分31延伸超出封装本体28的底部表面281(最外表面)。

如关于图13所描述,模腔34的第二部分342的深度d2是第一焊料球40的高度h3的约二分之一。在将焊料球42熔合到焊料球40以形成连接元件30之后,理想状况下,连接元件30的体积(焊料球40和42的体积之和)与模腔34的第二部分342的体积容量的比率是约1:1.2(也就是说,模腔34的第二部分342的体积容量是连接元件30的体积约1.2倍)。因此,当连接元件30接合到装置(例如,主板或半导体封装)时,空间33(图2)大到足以容纳被挤出的熔融连接元件30。因此,可避免两个相邻连接元件30之间的桥接,并改进接合质量。此外,约1:1.2的比率使连接元件30超出表面281的突起足够用以连接到装置(例如,主板或半导体封装)。更一般来说,模腔34的第二部分342的体积容量比连接元件30的体积大约1.05倍或以上、约1.1倍或以上、约1.15倍或以上、或约1.2倍或小于约1.4倍。

图15说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。在一或多个实施例中,图1和图2中所说明的半导体装置1接合到装置36(例如,主板或半导体封装)。如图15中所展示,连接元件30的末端部分31接合到装置36的电接点361(例如,接合垫)上的预焊料362,以获得图6中所说明的半导体装置5。然而,在其它实施例中,在不使用预焊料362的情况下将连接元件30的末端部分31接合到装置36的电接点361。

在一或多个实施例中,玻璃板38进一步附接到衬底10的第二表面102,以获得图8中所说明的半导体装置7。

图16到19说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。此实施例的初始阶段类似于关于图9所展示和描述的阶段,且图16的阶段是在图9的阶段之后。图16类似于图10,不同之处在于焊料球44是固态核心(solidcore)焊料球,其包含核心部分303和覆盖核心部分303的周边部分441。核心部分303包含铜、金或其合金,且周边部分304包含sn焊料、pbsn类焊料或snag类焊料。周边部分441的厚度是基本上均匀的。

参考图17,形成封装本体28邻近于衬底10的第一表面101,以囊封/覆盖半导体裸片24和焊料球44。封装本体28具有底部表面281。接着,如图18中所展示,沿着一或多个机械加工路径41移除封装本体28对应于焊料球44的部分,以暴露焊料球44。在一或多个实施例中,机械加工路径41是一或多个激光束依循的路径,且所述激光束施加于(在图17中展示的定向中)在焊料球44下方的区域上。

参考图18,移除封装本体28的底部表面281的部分会形成对应于模腔34的第二部分342的一或多个开口。

参考图19,提供第二焊料球42以与对应焊料球44熔合以形成连接元件30a,从而形成图4中所说明的半导体装置3。在此实施例中,焊料球42的材料与焊料球44的周边部分441的材料相同或类似。在熔合工艺期间,第二焊料球42与焊料球44的周边部分441的下部部分(暴露部分)熔融并熔合在一起,而焊料球44的核心部分303保持固态。因此,图4的连接元件30a的高度大于图2的连接元件30(其不具有核心部分303)的高度。

图20和21说明根据本发明的实施例的用于制造半导体装置的方法。此实施例的方法类似于图9到14的方法,且不同的是初始阶段。图20类似于图9,不同之处在于进一步提供第二半导体裸片25,且半导体裸片25电连接到衬底10的第二表面102上的顶部垫20。接着,形成一或多个焊料球40邻近于衬底10的第一表面101(与如关于图10所描述的类似)。

图21类似于图11,不同之处在于邻近于衬底10的第二表面102进一步形成第二封装本体29,以囊封/覆盖第二半导体裸片25。在此实施例中,封装本体29的材料与封装本体28的材料相同或类似,且其同时形成。

后续阶段类似于关于图11到14所描述的阶段,且形成图5中所说明的半导体装置4。

如本文中所使用,术语“基本上”和“约”用于描述和解释较小变化。举例来说,当结合数值使用时,术语可涵盖小于或等于所述数值的±10%的变化范围,例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%、或小于或等于±0.05%。对于另一实例,“基本上相等”的两个数值可涵盖两个值之间的差小于或等于所述值中的一者的±10%,例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%、或小于或等于±0.05%。

术语“基本上平坦”可指不超过约20微米、不超过约15微米或不超过约10微米(例如约3μm到约20μm),或其中表面的最高点和最低点之间的差不超过约20微米、不超过约15微米、或不超过约10微米(例如约5μm到约10μm)的表面粗糙度(ra)。术语关于两个边缘或表面“基本上平行”可指沿着线或沿着平面放置,其中从线或平面的位移不超过约20微米、不超过约15微米、或不超过约10微米,例如约3μm到约20μm。术语在厚度值的上下文中“基本上均匀”可指厚度变化不超过约20微米、不超过约15微米、或不超过约10微米,例如约5μm到约10μm。

另外,有时在本文中按范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解,此类范围格式是出于便利和简洁起见,且应灵活地理解,不仅包含明确地指定为范围限制的数值,而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围,如同明确地指定每一数值和子范围一般。

虽然已参考本发明的特定实施例描述和说明本发明,但这些描述和说明并非限制性的。所属领域的技术人员应理解,可在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下,作出各种改变且取代等效物。所述说明可能未必按比例绘制。归因于制造工艺和容差,本发明中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说明的本发明的其它实施例。应将本说明书和图式视为说明性的而非限制性的。可做出修改,以使具体情况、材料、物质组成、方法或工艺适应于本发明的目标、精神和范围。所有此类修改都既定在所附权利要求书的范围内。虽然本文中所揭示的方法已参考按特定次序执行的特定操作加以描述,但应理解,可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此,除非在本文中具体指示,否则操作的次序和分组并非局限性的。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1