用于标准单元的中段制程带的制作方法

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法，更具体地涉及用于标准单元的中段制程带。

背景技术：

例如，集成电路(ic)的半导体工艺包含前段制程(feol)、中段制程(meol)和后段制程(beol)。通常在所述前段制程期间，半导体结构在半导体晶圆上形成。然后所述半导体结构在meol工艺期间局部互连，形成所述集成电路。

技术实现要素：

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一有源区；第一导电线；第一导电通孔；第二导电通孔；第一导电金属段，通过所述第一导电通孔连接至所述第一导电线；第二导电金属段，设置在所述第一有源区上方并且通过所述第二导电通孔连接至所述第一导电线；以及第一局部导电段，配置为连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：有源区；第一导电线；导电通孔；第一导电金属段，通过所述导电通孔连接至所述第一导电线；第二导电金属段，设置在所述有源区上方；以及局部导电段，配置为连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，包括：设置第一导电金属段；在有源区上方设置第二导电金属段；设置局部导电段以连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段；在所述第一导电金属段上设置第一导电通孔；以及设置第一导电线，所述第一导电线通过所述第一导电通孔连接至所述第一导电金属段。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性布局顶视图；

图2为根据本发明的一些实施例的沿着图1中的线2-2截取的截面图；

图3为根据本发明的一些实施例的沿着图1中的线3-3截取的截面图；

图4为根据本发明的一些实施例的图1中半导体结构的一部分的透视图；

图5为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性布局顶视图；

图6为根据本发明的一些实施例的图5中的半导体结构的一部分的透视图；

图7为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性布局顶视图；

图8为根据本发明的一些实施例的沿着图7中的线8-8截取的截面图；

图9为根据本发明的一些实施例的沿着图7中的线9-9截取的截面图

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

本说明书中使用的术语，在本领域和每一术语所使用的特定文本中，都有其常见意义。本说明中使用的示例，包含本文所讨论的任何术语的示例，仅是说明性的，决不是限制本发明或任何示例性术语的范围和意义。同样，本发明并不限于本说明书中给出的各种实施例。

虽然在本文可能使用术语“第一”、“第二”等术语来描述各种元件，但这些元件并不用受这些术语的局限。这些术语是用来区分不同元件的。例如，第一元件也可被称为第二元件，同样，第二元件也可被称为第一元件，而不背离所述实施例的范围。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

例如，集成电路的半导体工艺包含前段制程(feol)、中段制程(meol)和后段制程(beol)，feol工艺包括晶圆准备、隔离、栅极图案化、隔片、延伸、源极/漏极注入、硅化物形成和双应力衬垫形成。例如，meol工艺包含栅极接触件形成。例如，beol工艺包含一系列晶圆加工步骤以用来互连在feol和meol工艺过程中形成的半导体结构。本发明的以下实施例中半导体结构布置的一部分与，例如，中段制程有关，和/或在，例如，中段制程中形成。以下实施例中与多个工艺有关和/或在多个工艺中形成的半导体结构的布置在本发明的预期范围之内。

图1为根据本发明的一些实施例的半导体示意性布局顶视图。在一些实施例中，半导体结构100代表一个标准单元。在一些实施例中，标准单元指在数据库形式的电路库中布局并存储的预设计的单元。此外，在一些实施例中，标准单元存储在有形存储介质中，例如，有形存储介质包括硬盘驱动器。设计集成电路时，标准单元从电路库中检索，并放置于布局操作(placementoperation)中。例如，使用电脑运行软件来设计集成电路，从而进行布局操作。所述软件包含电路布置工具，电路布置工具具有布局和布线的功能。

在一些实施例中，图1中的半导体结构100(将在下面进行详细说明)用来形成晶体管，晶体管包含，例如，鳍式场效应晶体管(finfet)和平面晶体管等。在另一些实施例中，半导体结构100形成的晶体管构成互补金属氧化物半导体(cmos)器件。为进行说明，半导体结构100包含n型金属氧化物半导体晶体管(nmos)和/或p型金属氧化物半导体晶体管(pmos)。本领域的技术人员应理解，以上示例是用于说明目的。通过半导体100实现的各种器件都在本发明的预期范围之内。

在一些实施例中，半导体结构100的组件(将在下面进行说明)设置在半导体衬底的上方，为说明的方便起见，将不在图1中示出。所述半导体衬底为硅衬底或其他合适的半导体衬底。

为在图1中进行说明，半导体结构100包含有源区161和162。在一些实施例中，有源区161为p型有源区，有源区162为n型有源区。布置p型有源区以形成p型金属氧化物半导体晶体管，布置n型有源区以形成n型金属氧化物半导体晶体管。

以上有源区161和162的类型是用于说明目的。有源区161和162的各种类型都在本发明的预期范围之内。在一些实施例中，本发明中所讨论的术语“有源区”也可指“od”(氧化物维度区)。

如图1所示，半导体结构100还包含栅极151-154。栅极151设置在有源区161上方，栅极152设置在有源区162上方，栅极153和154均设置在有源区161和162的上方。为进行说明，栅极151-154设置为互相平行并等距分隔开。

在一些实施例中，栅极151-154由多晶硅制成。因此，本发明中所讨论的术语“栅极”在一些实施例中也可指“po”。用来制成栅极151-154的各种半导体材料在本发明的预期范围之内。例如，在各种实施例中，栅极151-154由金属、金属合金、和金属硅化物制成。

为在图1中进行说明，栅极151和154设置在有源区161的相对边缘上方，并覆盖有源区161的相对边缘。栅极152和154设置在有源区162的相对边缘上方，并覆盖有源区162的相对边缘。因此，栅极151、152和154在一些实施例中也可指“pode”(od边缘上多晶硅)。

在一些实施例中，在有源区161和162内，在栅极153的两对两侧处的区域均是源极区/漏极区。术语“源极区/漏极区”在本发明指的是源极区或漏极区的区域。

在一些实施例中，栅极151、152和154中的至少一个设置为伪栅极。伪栅极并不作为任何晶体管的栅极。

如图1所示，半导体结构100还包含导电金属段131-136。导电金属段132和133设置在有源区161上方。导电金属段135和136设置在有源区162上方。导电金属段132设置在导电金属段131和133之间。导电金属段135设置在导电金属段134和136之间。在一些实施例中，本发明中所讨论的术语“导电金属段”也可指“m0od”或“md”。

在一些实施例中，导电金属段131和134中的至少有一个的高度高于导电金属132、133、135和136中的至少一个的高度。在另外的实施例中，导电金属段131和134中每一个的高度都高于导电金属132、133、135和136中的每一个的高度。

在一些实施例中，导电金属段131和134在浅沟槽隔离(sti)结构(未示出)上形成。在一些实施例中，sti结构通过应用氧化硅以填充用于隔离浅沟槽来形成。如上讨论的导电金属段131和134的形成用于说明目的。导电金属段131和134的各种形成都在本发明的预期范围之内。

如图1所示，半导体结构100还包含导电线111-114。在一些实施例中，导电线111-114由金属制成。用来制成导电线111-114的各种材料都在本发明的预期范围之内。

为进行说明，导电线111-114设置为互相平行。导电线111设置在栅极151、153和154的部分上方和导电金属段131和132的上方。导电线114设置在栅极152、153和154和导电金属段134和135的部分上方。导电线113设置在有源区162，栅极152、153和154和导电金属段134、135和136的部分上方。导电线112横跨在栅极153上方。

在一些实施例中，导电线112通过导电通孔125连接到栅极153。实际上，导电线112被配置为接收信号，并通过导电通孔125将信号传递到栅极153。

在一些实施例中，导电线111为电源线。为进行说明，所述电源线被配置为连接至电源vdd。在一些实施例中，导电线114为接地线。所述接地线被配置为连接，为进行说明，接地vss。

导电线111通过导电通孔122和导电金属段132连接到有源区161内的源极/漏极区。因此，在导电线111和导电金属段132之间存在电流路径(在图4中标示为410)。导电线111还通过导电通孔121连接到导电金属段131。

导电线114通过导电通孔124和导电金属段135连接到有源区162内的源极/漏极区。因此，导电线114和导电金属段135之间存在电流路径。导电线114还通过导电通孔123连接到导电金属段134。

如图1所示，半导体结构100还包含局部导电段141和142。为进行说明，局部导电段141横跨在栅极151上方，并设置在导电金属段131和132之间，用来连接导电金属段131和132。局部导电段142横跨在栅极152上方，并设置在导电金属段134和135之间，用来连接导电金属段134和135。在一些实施例中，本发明中所讨论的术语“局部导电段”也可指“mp”。

在一些实施例中，局部导电段141与栅极151连接，和/或局部导电段142与栅极152连接。

如图3所示，在一些实施例中，局部导电段141的高度加上栅极151的高度大体上等于导电金属段132的高度。相应地，局部导电段142的高度加上栅极152的高度大体上等于一些实施例中导电金属段135的高度。

局部导电段141被配置为电连接导电金属段131和132。在一些实施例中，局部导电段141的一端与导电金属段131接触，局部导电段141的另一端与导电金属段132接触。在一些其他实施例中，局部导电段141的两端设置在导电金属段131和132内。因此，导电金属段131和132通过局部导电段141互相电连接。结果，在导电金属段131和132之间存在另一电流路径(图4中标示为420)。

局部导电段142被配置为电连接导电金属段134和135。在一些实施例中，局部导电段142的一端与导电金属段134接触，局部导电段142的另一端与导电金属段135接触。在一些其他实施例中，局部导电段142具有设置在导电金属段134和135内的相对端。因此，导电金属段134和135通过局部导电段142互相电连接。结果，导电金属段134和135之间存在另一电流路径。

在一些实施例中，半导体结构100的导电线111-114、导电通孔121-125、导电金属段131-136、局部导电段141和142中至少一个与meol工艺相关连，和/或在meol工艺中形成。因此，在一些实施例中，meol工艺电源带(powerstrap)包含导电线111、导电通孔121和122、导电金属段131和132和局部导电段141，因此，为电力传输提供了上述两种电流路径。

图2为根据本发明的一些实施例的沿着图1中的线2-2截取的截面图。图3为根据本发明的一些实施例的沿着图1中的线3-3截取的截面图；关于图1中的实施例，像图2和图3中的元件一样，为便于理解，被指定了相同的参考编号。

为在图1和图2中进行说明，以自上而下的顺序，导电线111还通过导电通孔121连接到导电金属段131。局部导电段141的一部分设置在导电金属段131内。

为在图1和图3中进行说明，局部导电段的相对两端分别设置在导电金属段131和132内。导电金属段131的高度大于导电金属段132的高度。如图3所示，局部导电段141的高度加上栅极151的高度大体上等于导电金属段132的高度。

在一些实施例中，导电线114、导电通孔123、导电金属段134和135、栅极152和有源区162的关系和/或配置与图2和图3所示的那些相对应，且为简化说明，本文不对其进行进一步描述。

在一些实施例中，局部导电段141的顶面大体上与导电金属段131和132的顶面对齐，如图3所示。

图4为根据本发明的一些实施例的图1中半导体结构100的一部分的透视图。为便于理解，参考图2和图3以对图4进行说明。

如上所述，为在图4进行说明，导电线111和导电金属段132之间存在电流路径410。在电流路径410中，电流从导电线111流出，经过导电通孔122和导电金属段132到达有源区161。

此外，导电线111和导电金属段132之间还存在附加的电流路径420。在附加的电流路径420中，电流从导电线111流出，经过导电通孔121、导电金属段131、局部导电段141和导电金属段132到达有源区161。

有了附加的电流路径420，半导体结构100中的电流有所增加。随着电流的增加，有源区161和导电线111之间的增加的等效电阻对半导体100的性能的影响有所减弱。相应地，通过半导体结构100所实现的器件的操作速度能够有所提高。

相应地，存在与导电线114、导电通孔123、导电金属段134和135、局部导电段142和有源区162相关联的附加电流路径，为简化说明，本文不对此进行进一步的描述。相应地，有源区162和导电线114之间增加的等效电阻对半导体100的性能的影响有所减弱。因此，通过半导体结构100所实现的器件的操作速度也能够有所提高。

图5为根据本发明的一些其他实施例的半导体结构500的示意性布局顶视图。关于图1中的实施例，图5中的相同的元件用相同的参考编号指示，且为简化说明，本文不对其进行进一步的描述。与图1中半导体结构100相比，图1中的导电通孔122和124不包含在图5中的半导体500中，且在一些实施例中，图1中的导电金属段132和135被导电金属段532和535所代替。

与图1中的导电金属段132相比，图5所示的导电金属段532设置在有源区161的上方，而未纵向延伸以与导电线111连接。实际上，图5导电金属段532的长度小于图1中导电金属段132的长度。因此，导电金属段532和栅极153之间的寄生电容(图6中标为630)有所减少。

在一些实施例中，导电金属段532的长度与导电金属段133的长度大体上相等。在各种实施例中，导电金属段532的高度与导电金属段133的高度大体上相等。

与图1中的导电金属段135相比，图5所示导电金属段535设置在有源区162上方，而未纵向延伸以与导电线114连接。实际上，图5导电金属段535的长度小于图1中导电金属段135的长度。因此，导电金属段535和栅极153之间的寄生电容有所减少。

在一些实施例中，导电金属段535的长度与导电金属段136的长度大体上相等。在各种实施例中，导电金属段535的高度与导电金属段136的高度大体上相等。

在一些实施例中，半导体结构500的导电线111-114,导电通孔121、123和125,导电金属段131、133、134、136、532和535、局部导电段141和142中的至少一个与meol工艺相关联，和/或在meol工艺中形成。因此，在一些实施例中，meol工艺电源带(powerstrap)包含导电线111、导电通孔121、导电金属段131和532和局部导电段141，因此为电力传输提供了电流路径(图6中标示为610)。

图6为根据本发明的一些实施例的半导体结构500的一部分的透视图。为在图6中进行说明，导电线111和导电金属段532之间存在电流路径610。如图5所示，在电流路径610中，电流从导电线111流出，经过导电通孔121、导电金属段131、局部导电段141和导电金属段532到达有源区161。

如上讨论，与图4中导电金属段132相比，导电金属段532的长度较短，以减少导电金属段532和栅极153之间的寄生电容630。相应地，半导体结构500所实现的器件的性能能够有所提高。

相应地，存在与导电线114、导电通孔123、导电金属段134和535、局部导电段142和有源区162相关联的电流路径，为简化说明，本文不对其进行进一步的描述。相应地，导电金属段535的长度较短，以减少导电金属段535和栅极153之间的寄生电容630。因此，半导体结构500所实现的器件的性能也能够有所提高。

图7为根据本发明的可选实施例的半导体结构700的示意性布局顶视图。关于图1和图5中的实施例，图7中的相同的元件用相同的参考编号指定，且为简化说明，本文不对其进行进一步的描述。与图1和图5所述的实施例相比，图7中的半导体结构700具有多种布局，将在下面加以讨论。

如图7所示，半导体结构700包含导电金属段731、734、737和738。有源区161设置在导电金属段731和737之间。有源区162设置在导电金属段734和738之间。在一些实施例中，与图5中的实施例相比，导电金属段131和/或134的长度大于导电金属段731和/或734的长度，且另外设置了导电金属段737和738。

在一些实施例中，导电金属段731、734、737和738中至少有一个的高度大于图5中导电金属段133、136、532和535中至少一个的高度。在另一些实施例中，导电金属段731、734、737和738中至少一个的高度大于导电金属段133、136、532和535的每一个的高度。

在一些实施例中，导电金属段731、734、737和738在浅沟槽隔离(sti)结构(未示出)上形成。如上讨论的导电金属段731、734、737和738的形成是用于说明的目的。导电金属段731、734、737和738的各种形成都在本发明的预期范围之内。

为在图7中进行说明，局部导电段141设置在导电金属段731和532之间以连接导电金属段731和532。局部导电段142设置在导电金属段734和535之间以连接导电金属段734和535。

如图9所示，在一些实施例中，局部导电段141的高度加上栅极151的高度大体上等于导电金属段532的高度。相应地，局部导电段142的高度加上栅极152的高度大体上等于一些实施例中的导电金属段535的高度。

局部导电段141被配置为电连接导电金属段731和532。在一些实施例中，局部导电段141的一端与导电金属段731接触，局部导电段141的另一端与导电金属段532接触。在一些其他实施例中，如图9所示，局部导电段141具有设置在导电金属段731和532内的相对端。

相应地，局部导电段142被配置为电连接导电金属段734和535。在一些实施例中，局部导电段142的一端与导电金属段734接触，局部导电段142的另一端与导电金属段535接触。在一些其他实施例中，局部导电段142的两端具有导电金属段734和535内的相对端。

如图7所示，与图5中的实施例相比，半导体结构700包含导电线711-716。为进行说明，导电线711-716中的每一个设置为与导电线112平行。在一些实施例中，导电线711-716由金属形成。用来形成导电线711-716的各种材料都在本发明的预期范围之内。

为进行说明，导电线711-716中的每一个设置为与导电线112平行。导电线711设置在栅极151、153和154的部分上方。导电线714设置在栅极152、153和154的部分上方。导电线712设置为与导电线713平行。导电线712设置在导电金属段731、栅极151和有源区161的部分的上方。导电线713设置在有源区161、导电金属段133与737以及栅极153和154的部分上方。导电线715与导电线716成行设置。导电线715设置在导电金属段734、栅极152和有源区162的部分上方。导电线716设置在有源区162、导电金属段136及738和栅极153及154的部分上方。

在一些实施例中，导电线713通过导电通孔722连接到导电金属段133上。实际上，导电线713被配置为传输从导电金属段133中输出的信号。在一些实施例中，导电线716通过导电通孔724连接到导电金属段136。实际上，导电线716被配置为传输从导电金属段136中输出的信号。

在一些实施例中，导电线712为电源线。为了说明，电源线被配置为连接至电源vdd。在一些实施例中，导电线715为接地线。为进行说明，接地线被配置为连接至接地vss。

为进行说明，导电线712通过导电通孔721、局部导电段141和导电金属段532连接到有源区161内的源极/漏极区。因此，导电线712和导电金属段532之间存在电流路径。

为进行说明，导电线715通过导电通孔723、局部导电段142和导电金属段535连接到有源区162内的源极/漏极区。因此，导电线715和导电金属段535之间存在电流路径。

在一些实施例中，半导体结构700的导电线711-716，导电通孔721-724，导电金属段133、136、532、535、731、734和737及738和局部导电段141和142中的至少一个与meol工艺相连，和/或在meol工艺中形成。因此，在一些实施例中，meol导电带包含导电线712、导电通孔721、导电金属段731、532和局部导电段141，因此，为电力和/或信号传输提供了上述的电流路径。

如图7所示，在一些实施例中，导电结构700还包含隔离段771和/或772。为进行说明，隔离段771设置在导电线712和713之间。相应地，在一些实施例中，导电线712和713通过隔离段771互相电隔离。隔离段772设置在导电线715和716之间。相应地，在一些实施例中，导电线715和716通过隔离段772互相电隔离。

在一些实施例中，隔离段771和772由电绝缘材料形成，而导电线712、713、715和716由金属形成。相应地，在一些实施例中，本发明中所讨论的术语“隔离段”也可指“金属切割段”。

在一些实施例中，导电通孔721设置在导电金属段731的正上方。相应地，有足够的空间形成隔离段771，以隔离导电线712和713。

在一些实施例中，如图9所示，隔离段771设置在导电金属段532的正上方。相应地，在一些实施例中，隔离段772设置在导电金属段535的正上方。

图8为根据本发明的一些实施例的沿着图7中的线8-8截取的截面图。图9为根据本发明的一些实施例的沿着图7中的线9-9截取的截面图。关于图7中的实施例，为便于理解，用相同的参考编号指定图8和图9的相同的元件。

为了在图7和图8中进行说明，以自上而下的顺序，导电线712通过导电通孔721连接到局部导电金属段141。局部导电段141的一部分设置在导电金属段731内。

为了在图7和图9中进行说明，局部导电段141的相对端分别设置在导电金属段731和532内。导电通孔721的底端与导电金属段731和局部导电段141接触。导电金属段731的高度大于导电金属段532的高度。如图9所示，局部导电段141的高度加上栅极151的高度大体上等于导电金属段532的高度。

在一些实施例中，如图9所示，局部导电段141的顶面大体上与导电金属段731和532的顶面对齐。

在一些实施例中，如图9所示，局部导电段712和713的顶面大体上与隔离段771的顶面对齐。

在一些实施例中，导电线715、导电通孔723、导电金属段734和535、栅极152和有源区162的关系和/配置与图8和图9所示的相对应，且为简化说明，本文不对其进行进一步的描述。

在一些实施例中，公开了一种半导体结构，包含第一有源区、第一导电线、第一导电通孔、第二导电通孔、通过第一导电通孔连接到第一导电线的第一导电金属段、设置在第一有源区的上方并通过第二导电通孔连接到第一导电线连接的第二导电金属段以及被配置为连接第一导电金属段和第二导电金属段的局部导电段。

本发明还公开了一种半导体结构，包含有源区、第一导电线、导电通孔、通过导电通孔与导电线连接的第一导电金属段、设置在有源区上方的第二导电金属段以及被配置为连接第一导电金属段和第二导电金属段的局部导电段。

本发明还公开了一种方法，方法包含设置第一导电金属段；在有源区的上方设置第二导电金属段；设置局部金属段以连接第一导电金属段和第二导电金属段；在第一导电金属段上设置第一导电通孔；以及设置通过第一导电通孔连接至第一导电金属段的第一导电线。

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一有源区；第一导电线；第一导电通孔；第二导电通孔；第一导电金属段，通过所述第一导电通孔连接至所述第一导电线；第二导电金属段，设置在所述第一有源区上方并且通过所述第二导电通孔连接至所述第一导电线；以及第一局部导电段，配置为连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段。

在上述半导体结构中，还包括：栅极，设置在所述第一源区上方以及设置在所述第一局部导电段下方。

在上述半导体结构中，所述栅极设置在所述第一导电金属段和所述第二导电金属段之间。

在上述半导体结构中，所述第一局部导电段的高度加上所述栅极的高度等于所述第二导电金属段的高度。

在上述半导体结构中，所述第一导电金属段的高度大于所述第二导电金属段的高度。

在上述半导体结构中，从所述第一导电线通过所述第二导电通孔到所述第二导电金属段形成一电流路径，以及从所述第一导电线通过所述第一导电通孔、所述第一导电金属段和所述第一局部导电段到所述第二导电金属段形成另一电流路径。

在上述半导体结构中，还包括：第二有源区；第二导电线；第三导电通孔；四导电通孔；第三导电金属段，通过所述第三导电通孔连接至所述第二导电线；第四导电金属段，设置在所述第二有源区上方并且通过所述第四导电通孔连接至所述第二导电线；以及第二局部导电段，配置为连接所述第三导电金属段和所述第四导电金属段。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：有源区；第一导电线；导电通孔；第一导电金属段，通过所述导电通孔连接至所述第一导电线；第二导电金属段，设置在所述有源区上方；以及局部导电段，配置为连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段。

在上述半导体结构中，还包括：栅极，设置在所述有源区上方并且设置在所述局部导电段下方。

在上述半导体结构中，所述栅极设置在所述第一导电金属段和所述第二导电金属段之间。

在上述半导体结构中，所述第一导电金属段的高度大于所述第二导电金属段的高度。

在上述半导体结构中，所述第二导电金属段的长度短于所述第一导电金属段的长度。

在上述半导体结构中，从所述第一导电线通过所述导电通孔、所述第一导电金属段和所述局部导电段到所述第二导电金属段形成电流路径。

在上述半导体结构中，所述导电通孔的一端与所述第一导电线接触，所述导电通孔的另一端与所述第一导电金属段的部分和所述局部导电段的一端接触。

在上述半导体结构中，还包括：隔离段，设置在所述第二导电金属段上方以用于将所述第一导电线与第二导电线隔离开。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，包括：设置第一导电金属段；在有源区上方设置第二导电金属段；设置局部导电段以连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段；在所述第一导电金属段上设置第一导电通孔；以及设置第一导电线，所述第一导电线通过所述第一导电通孔连接至所述第一导电金属段。

在上述方法中，还包括：在所述第二导电金属段上设置第二导电通孔，其中，所述第一导电线连接至所述第二导电通孔。

在上述方法中，还包括：将栅极设置在所述有源区上方、所述局部导电段下方以及所述第一导电金属段和所述第二导电金属段之间。

在上述方法中，所述第一导电金属段的高度大于所述第二导电金属段的高度。

在上述方法中，还包括：在所述第二导电金属段上方设置隔离段以用于将所述第一导电线与第二导电线隔离开。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本人所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，本文中他们可以做出多种变化、替换以及改变。