半导体封装件及半导体封装件的制造方法与流程

本发明涉及半导体封装件及半导体封装件的制造方法。尤其涉及四方扁平无引线封装(qfn)型的半导体封装件(quadflatnon-leadpackage)及半导体封装件的制造方法。

背景技术：

以往，在移动电话或智能电话等的电子设备中，已知在引线框架上搭载ic(集成电路)芯片等的半导体装置的半导体封装件。通常，这种半导体封装件采用的结构如下：在引线框架上经由粘接层接合ic芯片等的半导体装置，并利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置，来保护半导体装置。

近年来，已开发了在半导体封装件的四边及下部面上设置有连接端子的qfn型的半导体封装件(例如专利文献1)。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特开2001-189410号公报

技术实现要素：

(技术问题)

关于以往的qfn型的半导体封装件，对连接端子的下部面实施了镀敷。另一方面，连接端子的侧面则未实施镀敷，而是露出了铜(cu)。由此，当利用焊料将半导体封装件搭载至印刷电路板等时，连接端子的侧面与下部面相比焊料润湿性低。因此，在以往的半导体封装件中难以形成良好的填角(fillet，焊料填角)。

鉴于这种问题，本发明的一个实施方式的目的在于提供一种连接端子的侧面的焊料润湿性得到改善的半导体封装件及其制造方法。

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体封装件，其特征在于包括：管芯焊盘(diepad)；多个外部连接端子，配置于所述管芯焊盘的周边；半导体芯片，配置于所述管芯焊盘的上部面，并与所述多个外部连接端子电连接；以及密封部件，用于掩埋所述管芯焊盘、所述多个外部连接端子及所述半导体芯片，并使所述多个外部连接端子各个的外侧端部露出，所述多个外部连接端子的各个在所述外侧端部的侧面包括第一区域，在所述第一区域中施有镀层。

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：准备引线框架，所述引线框架的特征在于，具备要单片化为多个半导体封装件的多个区域，所述多个区域各个包括管芯焊盘、配置于所述管芯焊盘的周边的多个外部连接端子、连接于所述管芯焊盘并连接所述多个外部连接端子的外侧端部第一连结部、以及连接所述多个外部连接端子的内侧端部的第二连结部，所述第二连结部从上部面被减薄；在所述引线框架的上部面的所述管芯焊盘上配置与所述多个外部端子电连接的半导体芯片；形成用于掩埋所述管芯焊盘、所述多个外部连接端子及所述半导体芯片，并使所述多个外部连接端子各个的外侧端部露出的密封部件；利用模具加工，形成用于将所述多个外部连接端子及所述第一连结部的连结部去除的第一开口部；利用向所述引线框架供给电流的电解镀敷处理，在露出了所述引线框架的区域中形成镀层；形成从所述引线框架的下部面将所述多个外部连接端子及所述第二连结部分离的槽部；以及利用模具加工，单片化为所述多个半导体封装件。

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：准备引线框架，所述引线框架的特征在于，具备要单片化为多个半导体封装件的多个区域，所述多个区域的各个包括管芯焊盘、配置于所述管芯焊盘的周边的多个外部连接端子、以及连接于所述管芯焊盘并连接所述多个外部连接端子的外侧端部的第一连结部，所述第一连结部具有沿着所述多个外部连接端子的外侧端部配置的第一开口部；在所述引线框架的上部面的所述管芯焊盘之上配置与所述多个外部端子电连接的半导体芯片；形成用于掩埋所述管芯焊盘、所述多个外部连接端子及所述半导体芯片，并使所述多个外部连接端子各个的外侧端部露出的密封部件；利用向所述引线框架供给电流的电解镀敷处理，在露出了所述多个外部连接端子的区域中形成镀层；以及利用模具加工，单片化为所述多个半导体封装件，同时形成在侧面上具有所述第一开口部的侧壁的一部分的所述多个外部连接端子的各个。

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：准备引线框架，所述引线框架的特征在于，具备由划片划分且要单片化为多个半导体封装件的多个区域，所述多个区域各个包括管芯焊盘、配置于所述管芯焊盘的周边的多个外部连接端子、以及连接于所述管芯焊盘相连接并连接所述多个外部连接端子的外侧端部的第一连结部；在所述引线框架的上部面的所述管芯焊盘之上配置与所述多个外部端子电连接的半导体芯片；形成用于掩埋所述管芯焊盘、所述多个外部连接端子及所述半导体芯片，并使所述多个外部连接端子各个的外侧端部露出的密封部件；利用切削加工，将所述多个外部连接端子各个的外侧端部的下部面的至少一部分减薄；利用向所述引线框架供给电流的电解镀敷处理，在露出了所述多个外部连接端子的区域中形成镀层；以及利用切削加工，单片化为所述多个半导体封装件。

根据本发明的一个实施方式，能够提供一种外部连接端子的侧面的焊料润湿性得到改善的半导体封装件及其制造方法。

附图说明

图1为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的立体图。

图2为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的俯视图及侧视图。

图3为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的俯视图及剖视图。

图4为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的下部面及截面的放大图。

图5a为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图5b为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图5c为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图5d为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图5e为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的仰视图及截面的放大图。

图5f为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图5g为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的仰视图及截面的放大图。

图5h为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图5i为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的仰视图及截面的放大图。

图6为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的俯视图及侧视图。

图7为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的俯视图及剖视图。

图8为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的下部面及剖视图。

图9a为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图9b为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图9c为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图9d为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图9e为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的仰视图及截面的放大图。

图10为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的俯视图及剖视图。

图11为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的下部面及剖视图。

图12a为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图12b为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图12c为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图12d为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图12e为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的俯视图及剖视图。

图13为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的放大立体图。

图14为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的放大立体图。

图15为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的放大立体图。

(附图标记说明)

100、200、300：半导体封装件；100a：槽部；100b：第一开口部；

102、202、302：引线框架；102a：上部面；102b：下部面；102c：侧面；

104：管芯焊盘；104a：上部面；104b：下部面；104c：侧面；106：第一连结部；

108：第二连结部；110：第三连结部；114：外部连接端子；114a：上部面；

114b：下部面；114c：侧面；114d：内侧端部；114e：外侧端部；114f：第一区域；

114g：凸部；114h：顶部；114i：锥形部；116：半导体芯片；118：引线；

120：密封部件；120a：模制线；122：镀层；

具体实施方式

以下，参照附图等对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明能够以多种不同的实施方式来实施，不应解释为局限于以下示例的实施方式的记载内容。另外，为了更加明确地说明，存在附图与实际的实施方式相比，示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但这仅是一个示例，不用于限定本发明的解释。另外，在本说明书和各附图中，对于各附图与前述的附图相同的要素标注相同的附图标记，并存在适当省略详细的说明的情况。

在本说明书中，在某个部件或区域在其他部件或区域之“上(或下)”的情况下，除非另有限定，这些不仅包括其他部件或区域的正上方(或正下方)的情况，还可以包括其他部件或区域的上方(或下方)的情况，即，也可以包括在其他部件或区域的上方(或下方)且在其间包括其他结构要素的情况。

<第一实施方式>

[半导体封装件100的结构]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件100的结构进行详细的说明。

图1为用于说明本实施方式的半导体封装件100的结构的立体图。图13为用于说明本实施方式的半导体封装件100的结构的放大立体图。这些附图示出了分别从半导体封装件100的上部面及下部面侧观察的立体图。在图13中，将外部连接端子114附近放大示出。本实施方式的半导体封装件100为qfn型的半导体封装件。半导体封装件100的下部面呈矩形，沿着其四边配置有多个外部连接端子114，并且多个外部连接端子114的各个的侧面114c及下部面114b露出。外部连接端子114所露出的侧面114c及下部面114b实施了镀层122。另外，在半导体封装件100的下部面上，沿着四边配置有四个槽部100a。四个槽部100a的各个与七个外部连接端子114相邻地配置。

图2为用于说明本实施方式的半导体封装件100的结构的仰视图及侧视图。图3为用于说明本实施方式的半导体封装件100的结构的俯视图及剖视图。图4为用于说明本实施方式的半导体封装件100的结构的下部面及截面的放大图。在此，在图3的俯视图中，为了说明密封了的半导体芯片116等，以将密封部件120的一部分切除的方式示出。

本实施方式的半导体封装件100包括管芯焊盘(diepad)104、多个外部连接端子114、半导体芯片116、多个引线118以及密封部件120。

管芯焊盘104具有上部面、下部面及侧面。上部面及下部面配置于实质上相互平行的平面上。在本实施方式中，例如从图3或图4可知，管芯焊盘104的上部面及侧面因密封部件120的缘故而从外部无法看到，而下部面是露出的。在露出的管芯焊盘104的下部面施有镀层122。作为镀层122的材料，稍后进行详细地说明，但使用也可镀敷在外部连接端子114的侧面114c上的镀层122即可。

作为管芯焊盘104的材料，优选地使用具有优异的机械强度、导电性、导热性及耐腐蚀性等的金属材料。作为管芯焊盘104的具体的材料，可以使用例如铜(cu)类材料。作为cu类材料，可以使用例如在铜中添加了铁(fe)、磷(p)等的合金。另外，也可以使用fe类材料。作为fe类材料，可以使用例如在fe中添加了镍(ni)等的金属。

例如，如图3可知，多个外部连接端子114配置于管芯焊盘104的周边。在本实施方式中，如图4所示，多个外部连接端子114的各个呈矩形，所述矩形具有配置于管芯焊盘104的一侧的内侧端部114d及比内侧端部114d更远离于管芯焊盘104的外侧端部114e。此外，外部连接端子114的平面形状不限于矩形。作为另外的示例，外侧端部114e可以呈凸形。进而，可以呈包括曲线的形状。

如图4的剖视图所示，多个外部连接端子114的各个具有上部面114a、下部面114b及侧面114c。上部面114a及下部面114b配置为实质上相互平行的平面状。另外，在此，侧面114c是指多个外部连接端子114的各个的表面中的除了上部面114a及下部面114b之外的表面。

关于多个外部连接端子114的各个，下部面114b及外侧端部114e的侧面114c露出。在露出的下部面114b上施有镀层122。露出的外侧端部114e的侧面114c包括第一区域114f。在本实施方式中，第一区域114f等同于外侧端部114e的侧面114c。在第一区域114f上施有镀层122。作为镀层122的材料，优选使用改善焊料润湿性、降低要搭载半导体封装件100的印刷电路板的布线等的外部布线与外部连接端子114之间的电阻的金属。作为具体的镀层122的材料，可以使用例如锡(sn)，或在sn中添加了银(ag)、铜(cu)、铋(bi)等金属的材料等。

对于多个外部连接端子114，将在后述的制造方法说明中进行详细的说明，但由于是从与管芯焊盘104相同的引线框架102中切出的，因此由与管芯焊盘104相同的材料构成。

半导体芯片116配置于管芯焊盘104的上部面，并与多个外部连接端子114电连接。半导体芯片116经由粘接剂(未图示)而固定于上部面来配置。在半导体芯片116的上部设置有与半导体芯片116所包括的电子电路相连接的外部端子(未图示)。另外，在本实施方式中，示出了半导体封装件100包括一个半导体芯片116的实施方式，但不限于此，只要包括至少一个半导体芯片116即可。

作为半导体芯片116，例如，可以使用中央运算处理装置(centralprocessingunit，cpu)、存储器以及微机电系统(microelectromechanicalsystem，mems)等。

多个引线118用于将各半导体芯片116和多个外部连接端子114连线。作为引线118的材料，优选使用具有必要的导电性及连接性的材料。例如，优选地，使用金线或铜线。

密封部件120用于掩埋管芯焊盘104、多个外部连接端子114及半导体芯片116。进而，密封部件120可将多个外部连接端子114的各个的外侧端部114e露出。

关于本实施方式的半导体封装件100，在露出了多个外部连接端子114的表面上，不仅在下部面114b上，而且在外侧端部114e的侧面114c上也施敷有镀层122。通过具有如此的结构，多个外部连接端子114的各个的外侧端部114e的侧面114c的焊料润湿性得到提高。由此，当将半导体封装件100利用焊料搭载到印刷电路板等时，能够形成良好的填角。

[半导体封装件100的制造方法]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件100的制造方法进行详细的说明。图5a至图5i为用于说明本实施方式的半导体封装件100的制造方法的图。在这些附图中，图5a～图5d、图5f、图5h为用于说明本实施方式的半导体封装件100的制造方法的俯视图及剖视图。图5g及图5i分别为将图5f及图5h的状态中的下部面及截面放大的图。

首先，对在本实施方式的半导体封装件100的制造方法中使用的引线框架102的结构进行详细的说明。

图5a为在本实施方式的半导体封装件100的制造方法中使用的引线框架102的俯视图及剖视图。引线框架102由金属板构成，包括要单片化为多个半导体封装件100的多个区域a。

引线框架102具有上部面102a、下部面102b及侧面102c。上部面102a及下部面102b配置于实质上相互平行的平面上。侧面102c为金属板的表面当中除上部面102a及下部面102b之外的表面。引线框架102的厚度相应于金属板的厚度，为100μm以上且600μm以下。在本实施方式中，作为引线框架102的厚度假定为200μm。

作为构成引线框架102的金属板的材料，优选使用具有优异的机械强度、导电性、导热性及耐腐蚀性等的金属材料。作为金属板的具体的材料，可以使用例如铜(cu)类材料。作为cu类材料，可以使用例如在cu中添加了铁(fe)、磷(p)等的合金。另外，也可以使用fe类材料。作为fe类材料，可以使用例如在fe中添加了镍(ni)等的金属。

金属板可以通过包括蚀刻加工或使用模具的冲压加工的处理，来加工成以下说明的引线框架102。

多个区域a的各个包括管芯焊盘104、多个外部连接端子114、第一连结部106及第二连结部108。

管芯焊盘104具有矩形的平面形状，并且配置于多个区域a的各个的大致中央部。从矩形的管芯焊盘104的四角的各个延伸出第三连结部110，并与第一连结部106连接。

多个外部连接端子114配置于管芯焊盘104的周边。多个外部连接端子114的各个具有：内侧端部114d，配置于管芯焊盘104一侧；以及外侧端部114e，与内侧端部114d相比更远离管芯焊盘104。此外，在准备引线框架102的阶段中，该内侧端部114d连接于后述的第二连结部108，该外侧端部114e连接于后述的第一连结部106，因此两个端部的侧面并不露出。在本实施方式中，配置有28个外部连接端子114。

第一连结部106沿着多个区域a的边界配置。总之，第一连结部106在引线框架102中排列成栅格状。因此，在多个区域a的各个中，沿着矩形的该区域a的四边配置。

第一连结部106连接于管芯焊盘104。如上所述，第三连结部110从矩形的管芯焊盘104的四角呈辐射状地延伸，并连接于第一连结部106。

第一连结部106连接多个外部连接端子114的外侧端部114e。换言之，多个外部连接端子114的外侧端部114e连接于第一连结部106。在本实施方式中，配置于区域a的四边的各第一连结部106连接于七个外部连接端子114。由此，在区域a的周边连接了28个外部连接端子114。

第二连结部108连接多个外部连接端子114的内侧端部114d。换言之，多个外部连接端子114的内侧端部114d连接于第二连结部108。第二连结部108配置于管芯焊盘104的周围，并连接于第三连结部110。

在本实施方式中，第二连结部108沿着矩形的管芯焊盘104的周边配置，并连接相邻的第三连结部110彼此。在连接相邻的第三连结部110的第二连结部108的各个上，连接着七个外部连接端子114的内侧端部114d。

相对于构成引线框架102的金属板的厚度，第二连结部108被减薄。在本实施方式中，第二连结部108从上部面102a和下部面102b中的任意一面(在本实施方式中为上部面102a)被减薄。第二连结部108减薄为例如100μm。

本实施方式的引线框架102所具有的各结构相互物理连接且电连接。

以上，对在本实施方式的半导体封装件100的制造方法中所使用的引线框架102的结构进行了说明。接下来，对本实施方式的半导体封装件100的制造方法进行详细的说明。

首先，准备上述引线框架102(图5a)。

接下来，在引线框架102的上部面102a的管芯焊盘104上配置半导体芯片116。半导体芯片116与多个外部连接端子114电连接。在本实施方式中，利用引线118来接线半导体芯片116及多个外部连接端子114的各个(图5b)。

接下来，形成掩埋管芯焊盘104、多个外部连接端子114及半导体芯片116的密封部件120(图5c)。密封部件120将多个外部连接端子114各个的外侧端部114e露出。

关于本实施方式中的密封部件120的形成，将引线框架102的上部面102a的一侧的一部分掩埋，而露出下部面102b。总之，在多个区域a的各个中，露出多个外部连接端子114的上部面114a的一部分、第一连结部106的上部面、管芯焊盘104的下部面、多个外部连接端子114的下部面114b、第一连结部106的下部面及第二连结部108的下部面。

利用模具来进行密封部件120的形成。以图5b的状态设置于模具的内部，并在模具内部中利用高压压入密封部件，来填充模具内部的空间。作为密封部件120，可以使用热固性树脂。作为热固性树脂，可以使用例如环氧树脂。

接下来，形成第一开口部100b(图5d及图5e)。第一开口部100b至少贯通引线框架102，并去除多个外部连接端子114和第一连结部106的连结部。由此，露出多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c。在此，第一开口部100b的侧壁形状与多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的形状相对应。第一开口部100b可以通过模具加工来形成。作为模具加工可以使用基于具有规定图案的模具的冲压加工。

在本实施方式中，在多个区域a的各个的四个位置处形成槽状的第一开口部100b。总之，沿着区域a的四边的各个而形成槽状的第一开口部100b。

此外，在本实施方式中，作为第一开口部100b的形状，示出了矩形的示例，但不限于此。如上所述，第一开口部100b的侧壁的形状也可以与多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面的形状相对应，由此可根据期望的多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的形状，来选择第一开口部100b的形状。例如，多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c可以呈凸形。进而，可以呈包括曲线的形状。

接下来，可以实施向引线框架102供给电流的电解镀敷处理(图5f及图5g)。由此，在露出了引线框架102的区域形成镀层122。

优选地，作为镀层122的材料，可以使用改善焊料润湿性、降低搭载半导体封装件100的印刷电路板的布线等的外部布线与外部连接端子114之间的电阻下降的金属。作为具体的镀层122的材料，可以使用例如锡(sn)，或在sn中添加了银(ag)、铜(cu)及铋(bi)等金属的材料等。

在上述工序中，通过形成第一开口部100b，来去除多个外部连接端子114及第一连结部106的连结部。但是，多个外部连接端子114的各个经由第二连结部108连接于引线框架102。由此，在该电解镀敷处理中，也向多个外部连接端子114供给电流，而能够对露出的区域实施电解镀敷处理。

在此，露出了多个外部连接端子114的上部面114a的一部分、第一连结部106的上部面、管芯焊盘104的下部面、多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c、多个外部连接端子114的下部面114b、第一连结部106的下部面及第二连结部108的下部面，因此，可在这些区域上形成镀层122。在此，通过形成第一开口部100b，而在多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c形成镀层122。

在以往的半导体封装件100的制造方法中，不包括本实施方式这样的形成第一开口部100b的工序，因此在外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c不形成镀层122。

接下来，形成将多个外部连接端子114及第二连结部108从引线框架102的下部面102b分离的槽部100a(图5h及图5i)。槽部100a是有底的，并不贯通引线框架102。槽部100a只要具有贯通减薄了的第二连结部108的厚度即可。由此，多个外部连接端子114的各个被分离。

槽部100a可以通过切削加工来形成。作为切削加工，可以采用例如使用划片刀(dicingsaw)的切削加工。关于使用划片刀的切削加工，通过将作为钻石制的圆形刀片的划片刀高速旋转，在使用纯水进行冷却/切屑冲洗的同时进行切削。

在本实施方式中，沿着半导体封装件100的下部面的四边，在四个位置处形成槽部100a。进而，在本实施方式中，利用切削加工完全去除第二连结部108。但是，在所述切削加工中，只需将多个外部连接端子114的各个分离即可，并非一定要完全去除第二连结部108。

接下来，利用模具加工而单片化为多个半导体封装件100。利用以上的工序，能够获得在图1至图4中示出的本实施方式的半导体封装件100。

以上对本实施方式的半导体封装件100的制造方法进行了说明。根据本实施方式的半导体封装件100的制造方法，也可以在露出了外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c上形成镀层122。由此，能够提供外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的焊料润湿性得到改善的半导体封装件100。

<第二实施方式>

[半导体封装件200的结构]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件200的结构进行说明。

图14为用于说明本实施方式的半导体封装件200的结构的放大立体图。该图为分别从半导体封装件200的上部面及下部面一侧观察的立体图，将外部连接端子114附近放大示出。图6为用于说明本实施方式的半导体封装件200的结构的仰视图及侧视图。图7为用于说明本实施方式的半导体封装件200的结构的俯视图及剖视图。图8为用于说明本实施方式的半导体封装件200的结构的下部面及截面的放大图。在此，在图7的俯视图中，为了说明密封了的半导体芯片116等，切除了密封部件120的一部分而示出。

在如下的说明中，省略对于与第一实施方式的半导体封装件100相通用的结构要素的说明，而以不同点为中心进行说明。

本实施方式的半导体封装件200与第一实施方式的半导体封装件100相比，其不同点在于外部连接端子114的结构。具体而言，例如，如图6及图7所示，关于本实施方式的半导体封装件200，多个外部连接端子114的各个在外侧端部114e的侧面上具有凸部114g。凸部114g突出于作为密封部件120所占的区域的模制线120a的外侧。凸部114g的上部面及下部面分别配置于实质上与外部连接端子114的上部面114a及下部面114b相同的平面上。施有镀层122的第一区域114f包括凸部114g的顶部114h。在本实施方式中，第一区域114f等同于凸部114g的顶部114h。

在本实施方式的半导体封装件200中，在露出了多个外部连接端子114的表面，不仅在下部面114b，而且在外侧端部114e的侧面114c的一部分也施有镀层122。通过具有这样的结构，多个外部连接端子114的各个的外侧端部114e的侧面114c的焊料润湿性得到提高。由此，当将半导体封装件200利用焊料搭载到印刷电路板等时，能够形成良好的填角。

[半导体封装件200的制造方法]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件200的制造方法进行详细的说明。图9a至图9e为用于说明本实施方式的半导体封装件200的制造方法的图。在这些图中，图9a～图9d为用于说明本实施方式的半导体封装件200的制造方法的俯视图及剖视图。图9e为将图9d的状态中的下部面及截面放大的图。

首先，对在本实施方式的半导体封装件200的制造方法中使用的引线框架202的结构进行详细的说明。

图9a为在本实施方式的半导体封装件200的制造方法中使用的引线框架202的俯视图及剖视图。引线框架202由金属板构成，并包括要单片化为多个半导体封装件200的多个区域a。

关于构成引线框架202的金属板的厚度、材料等，与第一实施方式中说明的厚度、材料等相同。

金属板可通过利用蚀刻加工或使用模具的冲压加工的处理，而加工为以下说明的线框架202。

多个区域a的各个包括管芯焊盘104、多个外部连接端子114及第一连结部106。

在此，关于管芯焊盘104及多个外部连接端子114的结构，与第一实施方式中说明的结构相同。以下，对第一连结部106的结构的不同点进行说明。

在本实施方式的引线框架202中，第一连结部106具有沿着多个外部连接端子114的外侧端部114e配置的第一开口部106a。进而，在本实施方式中，在多个区域a的各个的四个位置处配置有槽状的第一开口部106a。简言之，沿着区域a的四边的各个配置有槽状的第一开口部106a。

作为第一开口部106a各个的配置，优选配置为，在第一连结部106中，第一开口部106a的侧壁与多个外部连接端子114尽可能地接近。另一方面，为此，从确保第一连结部106及多个外部连接端子114的连结部的强度的观点来看，优选要设置充分的距离。

本实施方式的引线框架202所具有的各结构相互物理连接且电连接。

以上，对在本实施方式的半导体封装件200的制造方法中所使用的引线框架202的结构进行了说明。接下来，对本实施方式的半导体封装件200的制造方法进行详细的说明。

首先，准备上述引线框架202(图9a)。

接下来，在引线框架202的上部面202a的管芯焊盘104之上配置半导体芯片116。半导体芯片116与多个外部连接端子114电连接。在本实施方式中，利用引线118将各半导体芯片116及所述多个外部连接端子114接线(图9b)。

接下来，形成掩埋管芯焊盘104、多个外部连接端子114及半导体芯片116的密封部件120(图9c)。密封部件120露出多个外部连接端子114各自的外侧端部114e。密封部件120的形成可利用模具加工来进行。

接下来，实施向引线框架202供给电流的电解镀敷处理(图9d及图9e)。由此，在露出有引线框架202的区域中形成镀层122。

接下来，通过模具加工单片化为多个半导体封装件200。与此同时，形成在侧面具有第一开口部106a的侧壁的一部分的多个外部连接端子114的各个。在基于模具加工的单片化中，可以使用基于具有规定图案的模具的冲压加工，沿着图9e所示的图案200a进行切断。在此，第一开口部106a的侧壁的形状与多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的形状相对应。通过以上的工序，能够获得在图6至图8中示出的本实施方式的半导体封装件200。

此外，在本实施方式中，作为第一开口部106a的形状，示出了矩形的示例，但不限于此。如上所述，第一开口部106a的侧壁的形状与多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面的形状相对应，因此可以根据期望的多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的形状来选择第一开口部106a的形状。例如，多个外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c可以呈半椭圆形、三角形的凸形。

以上，对本实施方式的半导体封装件200的制造方法进行了说明。根据本实施方式的半导体封装件200的制造方法，也可以在露出了外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c上形成镀层122。由此，能够提供外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的焊料润湿性得到改善的半导体封装件200。

<第三实施方式>

[半导体封装件300的结构]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件300的结构进行说明。

图15为用于说明本实施方式的半导体封装件300的结构的放大立体图。该图为分别从半导体封装件300的上部面及下部面一侧观察的立体图，将外部连接端子114附近放大示出。图10为用于说明本实施方式的半导体封装件300的结构的仰视图及侧视图。图11为用于说明本实施方式的半导体封装件300的结构的俯视图及剖视图。在此，在图11的俯视图中，为了说明密封了的半导体芯片116等，切除密封部件120的一部分而示出。此外，在本实施方式中，例示并说明了基于一并模制方式的半导体封装件300的结构及制造方法的方式，但也可采用第一实施方式及第二实施方式所例示的单片模制方式。

在以下的说明中，省略对于与第一实施方式的半导体封装件100通用的结构要素的说明，而以不同点为中心进行说明。

本实施方式的半导体封装件300与第一实施方式的半导体封装件100相比，其不同点在于，在多个外部连接端子114各个的外侧端部114e的侧面114c具有锥形部114i，要实施镀层122的第一区域114f包括所述锥形部114i。在本实施方式中，第一区域114f等同于锥形部114i。

[半导体封装件300的制造方法]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件300的制造方法进行说明。图12a至图12e为用于说明本实施方式的半导体封装件300的制造方法的俯视图及剖视图。

首先，对在本实施方式的半导体封装件300的制造方法中使用的引线框架302的结构进行详细的说明。

图12a为用于说明在本实施方式的半导体封装件300的制造方法中使用的引线框架302的俯视图及剖视图。引线框架302由金属板构成，由划片线302d划分，且包括要被单片化为多个半导体封装件300的多个区域a。

对于构成引线框架302的金属板的厚度、材料等，与在第一实施方式中说明的部分相同。

金属板可以利用包括蚀刻加工或使用模具的冲压加工的处理，而加工成以下说明的引线框架302。

多个区域a各个包括管芯焊盘104、多个外部连接端子114及第一连结部106。

在此，关于管芯焊盘104、多个外部连接端子114及第一连结部106的结构，与在第一实施方式中说明的部分相同，因此省略详细的说明。

本实施方式的引线框架302具有的各结构相互物理连接且电连接。

以上，对在本实施方式的半导体封装件300的制造方法中所使用的引线框架302的结构进行了说明。接下来，对本实施方式的半导体封装件300的制造方法进行详细的说明。

首先，准备上述引线框架302(图12a)。

接下来，在引线框架302的上部面302a的管芯焊盘104之上配置半导体芯片116。半导体芯片116与多个外部连接端子114电连接。在本实施方式中，利用引线118将半导体芯片116及多个外部连接端子114的各个接线(图12b)。

接下来，形成掩埋管芯焊盘104、多个外部连接端子114及半导体芯片116的密封部件120(图12c)。密封部件120露出多个外部连接端子114的各个的下部面114b。密封部件120的形成可利用模具加工来进行。

接下来，通过切削加工，将多个外部连接端子114各个的外侧端部114e的下部面114b的至少一部分减薄(图12d)。

在本实施方式中，底部的区域形成包括划片线302d的槽部302e，由此形成减薄了的区域。槽部302e的侧壁具有倾斜。利用该倾斜，在俯视图上，槽部302e的开口边缘配置于底部的外侧。

接下来，实施向引线框架302供给电流的电解镀敷处理。由此，在露出引线框架302的区域中形成镀层122(图12e)。

接下来，通过切削加工来单片化为多个半导体封装件300。通过以上的工序，能够获得在图10及图11中示出的本实施方式的半导体封装件300。

此时，划片线302d配置于槽部302e的底部内，因此，具有倾斜的槽部302e的侧壁保留而不被切削。由此，可在外侧端部114e形成具有锥形部114i的外部连接端子114。

以上，对本实施方式的半导体封装件300的制造方法进行了说明。根据本实施方式的半导体封装件300的制造方法，也可以在露出了外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c上形成镀层122。由此，能够提供外部连接端子114的外侧端部114e的侧面114c的焊料润湿性得到改善的半导体封装件300。

以上，对基于本发明的优选实施方式的半导体封装件及半导体封装件的制造方法进行了说明。但是，这些只是示例，本发明的技术范围不限于此。实际上，只要是本发明所属领域的普通技术人员，就能够不脱离权利要求书所要求的本发明的要旨，而进行各种变更。由此，应理解为这些变更当然也属于本发明的技术范围内。