技术总结
得到一种能够实现高可靠性的半导体装置。在主单元区域，在半导体衬底(1)的主面形成有第1扩散区域(2)，在终端区域，在主面形成有第2扩散区域(3)。绝缘膜(5、6)形成于半导体衬底(1)的主面之上，在第1及第2扩散区域(2、3)之上分别具有第1及第2接触孔(7、8)。相同材质的第1及第2电极(9、10)分别形成于第1及第2接触孔(7、8)内。半绝缘性膜(11)将第2电极(10)覆盖。第1电极(9)不将第1接触孔(7)完全填埋。第2电极(10)将第2接触孔(8)完全填埋。第3电极(14)形成于第1电极(9)之上，将第1接触孔(7)完全填埋。
技术研发人员：藤井秀纪
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201710117505
技术研发日：2017.03.01
技术公布日：2017.09.08