有机发光显示设备的制作方法

发明构思的示例性实施例涉及一种有机发光显示设备。更具体地，发明构思的示例性实施例涉及一种具有镜面功能和显示功能的有机发光显示设备。

背景技术：

显示装置利用发光的像素来显示图像。有机发光显示装置包括具有有机发光二极管(oled)的像素。oled发光，光的波长取决于包括在oled中的有机材料。例如，oled包括与红色光、绿色光和蓝色光中的一种对应的有机材料。有机发光显示装置通过将有机材料发射的光混合来显示图像。

近来，由于显示器的更广泛的使用范围，对于具有镜面功能和显示功能的显示设备的需求已经增加了。另外，已经研制出了具有位于显示设备的边界(例如，显示设备的边框)上的相机的显示设备。在这种情况下，相机不能拍摄位于显示设备前面的物体的精确前视照片图像。因此，相机拍摄的照片图像会不自然。

技术实现要素：

发明构思的一个或更多个示例性实施例提供了一种具有镜面功能和显示功能的显示设备，所述显示设备能拍摄位于所述显示设备前面的物体的前视照片图像。

根据发明构思的示例性实施例，一种有机发光显示设备包括沿着第一方向和第二方向以4×2的矩阵构造布置的第一像素至第八像素，并包括设置为拍摄照片的相机。第一像素至第八像素中的每个像素在第一方向上具有宽度并在第二方向上具有长度。第一像素至第八像素中的每个像素具有发光结构和限定与发光结构对准的开口的第一镜面图案。第一镜面图案在彼此相邻的每两个或更多个像素中限定一个透射窗，其中，透射窗透射光，相机设置为通过透射窗拍摄照片。

在示例性实施例中，透射窗与相邻的透射窗之间的距离可以大于所述宽度和所述长度。

在示例性实施例中，所述4×2的矩阵包括两个2×2的矩阵，每个2×2的矩阵包括四个像素，在每个2×2的矩阵中形成有一个透射窗。

在示例性实施例中，透射窗可以分别形成在每个2×2的矩阵中的第一个像素中。

在示例性实施例中，透射窗可以分别形成在第一像素和第七像素中。

在示例性实施例中，在彼此相邻的每两个或更多个像素中可以形成有一个透射窗。

在示例性实施例中，透射窗可以分别形成在第一像素、第三像素、第六像素和第八像素中。

在示例性实施例中，透射窗可以是形成在第一镜面图案处的开口。

在示例性实施例中，有机发光显示设备还可以包括设置为与第一镜面图案和第一镜面图案的开口叠置的第二镜面层。

在示例性实施例中，相机可以设置为与所述透射窗的中心重合。

在示例性实施例中，透射窗可以具有正方形形状。

在示例性实施例中，透射窗的正方形形状的每个边缘可以被倒圆。

在示例性实施例中，透射窗的被倒圆的边缘的半径可以等于或大于透射窗的边的直线的长度。

在示例性实施例中，透射窗可以具有圆形形状。

根据本发明构思的示例性实施例，一种有机发光显示设备包括：基体基底；发光结构，设置在基体基底的上表面上；密封基底，面对基体基底；第一镜面图案，设置在密封基底上，限定与发光结构叠置的开口，并限定通过其透射光的透射窗；相机，设置为通过透射窗拍摄照片，并设置在基体基底的下表面上。透射窗具有边缘被倒圆的形状。

在示例性实施例中，透射窗可以具有边缘被倒圆的正方形形状。

在示例性实施例中，透射窗的被倒圆的边缘的半径可以等于或大于透射窗的边的直线的长度。

在示例性实施例中，在彼此相邻的每两个或更多个像素中可以形成有一个透射窗。

在示例性实施例中，在2×2的矩阵中每四个像素可以形成有一个透射窗。

在示例性实施例中，透射窗可以具有圆形形状。

根据本发明构思的示例性实施例，一种有机发光显示设备包括具有透射窗的第一镜面图案和相机。所述第一镜面图案可以在彼此相邻的每两个或更多个像素中限定一个透射窗，使得两个相邻的透射窗之间的距离大于在每个像素中有透射窗的装置的两个相邻的透射窗之间的距离。因此，可以减小相机拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

另外，透射窗可以具有边缘被倒圆的形状，使得可以减小相机拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

附图说明

通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例，发明构思的上述和其他特征将变得更清楚，在附图中：

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

图2是沿着图1的线i-i'截取的剖视图。

图3是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

图4是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

图5a至图10b是示出与依据根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的透射窗的形状的衍射程度有关的模拟图像的图。

图11是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地解释发明构思。

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。图2是沿着图1的线i-i'截取的剖视图。

参照图1，有机发光显示设备包括沿着第一方向d1和与第一方向d1交叉的第二方向d2以矩阵构造来布置的第一像素至第八像素px1、px2、px3、px4、px5、px6、px7和px8。第二方向d2可以与第一方向d1基本垂直。第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4可以在第一方向d1上布置。第五像素px5可以设置为在第二方向d2上与第一像素px1相邻。第六像素px6可以设置为在第二方向d2上与第二像素px2相邻。第七像素px7可以设置为在第二方向d2上与第三像素px3相邻。第八像素px8可以设置为在第二方向d2上与第四像素px4相邻。每个像素可以在第一方向d1上具有宽度w，在第二方向d2上具有高度h。

有机发光显示设备可以包括第一镜面图案mr1。第一镜面图案mr1可以限定透射光的透射窗tw和与发光结构150对准的开口op。如在这里使用的，两个部件彼此“对准”意指它们至少部分地排成一行使得与基体基底100的表面基本正交的假想线穿过这两个部件。

透射窗tw可以是形成在第一镜面图案mr1处的开口，并且可以具有正方形形状。透射窗tw可以形成在每四个像素中。透射窗tw的尺寸可以是在每个像素中具有透射窗的装置的透射窗的尺寸的四倍。根据本示例实施例，透射窗tw可以分别形成在第一像素px1中和第三像素px3中。

两个相邻的透射窗tw之间的距离dt大于像素的宽度w并且大于像素的高度h。因此，两个相邻的透射窗tw之间在第一方向d1上的距离dt大于宽度w，两个相邻的透射窗tw之间在第二方向d2上的距离大于高度h。

在本示例实施例中，两个相邻的透射窗tw之间的距离大于宽度w和高度h，使得两个相邻的透射窗tw之间的距离大于现有技术的距离。因此，可以减小相机300拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

参照图2，有机发光显示设备可以包括基体基底100、缓冲层110、有源图案act、第一绝缘层120、薄膜晶体管tft、第二绝缘层130、平坦化层140、第一电极el1、像素限定层pdl、发光结构150、第二电极el2、密封基底200、第一镜面图案mr1、第二镜面图案mr2和相机300。

基体基底100可以包括透明绝缘基底。例如，基体基底100可以包括玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。用于基体基底100的透明树脂基底的示例可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚醚类树脂、含磺酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂等。

缓冲层110可以设置在基体基底100上。缓冲层110可以防止金属原子和/或杂质从基体基底100扩散。另外，缓冲层110可以调整用于有源图案act的连续结晶工艺的热传递速率，从而获得基本均匀的有源图案act。在基体基底100可能具有相对不规则的表面的情况下，缓冲层110可以改善基体基底100的表面的平坦度。缓冲层110可以使用硅化合物形成。例如，缓冲层110可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、氮碳化硅(sicxny)等。可以单独使用或以其混合使用这些材料。缓冲层110可以具有单层结构或多层结构。例如，缓冲层110可以具有单层结构，该单层结构包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜或氮碳化硅膜。可选择地，缓冲层110可以具有多层结构，该多层结构包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜、氮碳化硅膜等中的至少两种。

有源图案act可以设置在缓冲层110上。有源图案act可以包括作为掺杂杂质区的源区和漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。

第一绝缘层120可以设置在其上设置了有源图案act的基体基底100上。第一绝缘层120可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层120可以使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化铝(alox)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)、氧化钛(tiox)等形成。可以单独使用或以其组合使用这些材料。另外，第一绝缘层120可以具有包括氧化硅和/或氮化硅的单层结构或多层结构。在示例实施例中，第一绝缘层120可以沿着有源图案act的轮廓均匀地形成在基体基底100上。这里，第一绝缘层120可以具有基本上小的厚度，使得台阶部可以形成在第一绝缘层120的与有源图案act相邻的部分处。在一些示例实施例中，第一绝缘层120可以具有相对大的厚度以充分地覆盖有源图案act，使得第一绝缘层120可以具有基本水平的表面。

栅极图案可以设置在第一绝缘层120上。栅极图案可以包括金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。栅极图案可以包括与有源图案act叠置的栅电极ge和被构造为传输信号以驱动像素的诸如栅极线的信号线等。

第二绝缘层130可以设置在其上设置有栅极图案的第一绝缘层120上。第二绝缘层130可以使栅电极ge与源电极se和漏电极de绝缘。第二绝缘层130可以沿着栅极图案的轮廓均匀地形成在第一绝缘层120上。这里，第二绝缘层130可以具有基本上小的厚度，使得台阶部可以形成在第二绝缘层130的与栅极图案邻近的部分处。第二绝缘层130可以包括硅化合物等。例如，第二绝缘层130可以使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)等形成。在一些示例实施例中，第二绝缘层130可以具有相对大的厚度以充分地覆盖栅极图案，使得第二绝缘层130可以具有基本水平的表面。

第二绝缘层130可以不形成在第一镜面图案mr1的透射窗tw处。因此，第二绝缘层130可以形成为不与透射窗tw叠置。在一些示例实施例中，第二绝缘层130可以形成在整个基体基底100上以与第一镜面图案mr1的透射窗tw叠置。

数据图案可以设置在第二绝缘层130上。数据图案可以包括源电极se、漏电极de、被构造为传输信号以驱动像素的诸如数据线的信号线、第二存储电极等。源电极se和漏电极de可以通过穿过第一绝缘层120和第二绝缘层130形成的接触孔电连接到有源图案act。

有源图案act、栅电极ge、源电极se和漏电极de可以包括在薄膜晶体管tft中。

平坦化层140可以设置在其上设置有薄膜晶体管tft的第二绝缘层130上。平坦化层140可以包括单层结构或多层结构，其中，多层结构包括至少两个绝缘膜。平坦化层140可以使用有机材料形成。例如，平坦化层140可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。可以单独使用或以其组合使用这些材料。可选择地，平坦化层140可以包括无机材料。例如，平坦化层140可以使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化镁、氧化锌、氧化铪、氧化锆等形成。可以单独使用或混合使用这些材料。

平坦化层140可以不形成在第一镜面图案mr1的透射窗tw处。因此，平坦化层140可以形成为不与透射窗tw叠置。在一些示例实施例中，平坦化层140可以形成在整个基体基底100上以与第一镜面图案mr1的透射窗tw叠置。

第一电极el1可以设置在平坦化层140上。第一电极el1可以通过穿过平坦化层140形成的接触孔连接到漏电极de。

在一些示例实施例中，可以在接触孔中形成接触件、塞或垫，然后可以在接触件、塞或垫上形成第一电极el1。这里，第一电极el1可以通过接触件、塞或垫电连接到漏电极de。

有机发光显示设备可以是前发射型有机发光显示设备，从而第一电极el1可以包括反射材料。例如，第一电极el1可以使用铝、含铝合金、氮化铝、银、含银合金、钨、氮化钨、铜、含铜合金、镍、含镍合金、铬、氮化铬、钼、含钼合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等形成。可以单独使用或以其组合使用这些材料。在示例实施例中，第一电极el1可以具有单层结构或多层结构。

像素限定层pdl可以设置在其上形成有第一电极el1的平坦化层140上。像素限定层pdl可以限定开口以暴露第一电极el1的一部分。像素限定层pdl可以包括透明有机材料或透明无机材料。例如，像素限定层pdl可以使用光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅化合物等形成。

发光结构150可以设置在通过像素限定层pdl的开口暴露的第一电极el1上。发光结构150可以在像素限定层pdl的开口的侧壁上延伸。发光结构150可以包括有机发光层(el)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等。在示例实施例中，多个有机发光层可以使用发光材料形成，该发光材料用于根据显示装置的彩色像素(参见图1的一个像素中的三个开口op)来产生诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色光。在一些示例实施例中，发光结构150的有机发光层可以包括多个堆叠的用于产生红光、绿光和蓝光的发光材料，从而发射白光。在一些示例实施中，发光结构150的el可以对应每个像素设置，hil、htl、etl、eil等可以对应多个像素公共地设置。

第二电极el2可以设置在像素限定层pdl、发光结构150、平坦化层140和第一绝缘层120上。有机发光显示设备可以是前发射型的有机发光显示设备，从而第二电极el2可以包括透射材料。例如，第二电极el2可以使用铝、含铝合金、氮化铝、银、含银合金、钨、氮化钨、铜、含铜合金、镍、含镍合金、铬、氮化铬、钼、含钼合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等形成。可以单独使用或以其组合使用这些材料。在示例实施例中，第二电极el2也可以具有单层结构或多层结构，单层结构或多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。

密封基底200可以设置在第二电极el2上。密封基底200可以包括透明材料并被构造为防止环境空气和湿气渗透到透明有机发光显示设备内。密封基底200可以与基体基底100组合，以通过密封剂(未示出)密封基体基底100与密封基底200之间的空间。

第一镜面图案mr1可以设置在密封基底200上。第一镜面图案mr1可以形成与发光结构150对应的开口op。第一镜面图案mr1可以包括诸如金属的具有高反射率的材料以反射外部光。例如，第一镜面图案mr1可以包括铝(al)、铬(cr)、银(ag)、铁(fe)、铂(pt)、汞(hg)、镍(ni)、钨(w)、钒(v)、钼(mo)等。在一些示例实施例中，第一镜面图案mr1可以具有多层结构，该多层结构具有透明导电金属氧化物层和金属层。例如，第一镜面图案mr1可以包括ito/ag/ito三层。

第一镜面图案mr1可以限定透光的透射窗tw。透射窗tw可以是形成在第一镜面图案mr1处的开口。

第二镜面层mr2可以设置在其上设置有第一镜面图案mr1的密封基底200上。第二镜面层mr2可以对应于第一镜面图案mr1、开口op和透射窗tw形成，使得第二镜面层mr2可以形成在整个密封基底200上。第二镜面层mr2可以包括与第一镜面图案mr1相同的材料，或者可以包括另一种材料。第二镜面层mr2的厚度可以小于第一镜面图案mr1的厚度。外部光可以在第二镜面层mr2的开口op和透射窗tw上部分地反射并且通过开口op和透射窗tw部分地透射。例如，第二镜面层mr2可以包括铝(al)、铬(cr)、银(ag)、铁(fe)、铂(pt)、汞(hg)、镍(ni)、钨(w)、钒(v)、钼(mo)等。在一些示例实施例中，第二镜面层mr2可以具有多层结构，该多层结构具有透明导电金属氧化物层和金属层。例如，第二镜面层mr2可以包括ito/ag/ito三层。第二镜面层mr2覆盖第一镜面图案mr1的边界，使得可以降低在第一镜面图案mr1的边界上由于散射的反射引起的模糊效果。

相机300可以设置在基体基底100的下表面上。相机300可以通过透射窗tw拍摄设置在有机发光显示设备前面的物体的照片。相机300的镜片可以对应于一个透射窗tw设置。在一些示例实施例中，当相机300的镜片比一个透射窗tw大时，镜片的中心可以设置为与透射窗tw的中心重合。因此，相机300可以通过多个透射窗tw拍摄设置在有机发光显示设备前面的物体的照片。另外，在一些示例实施例中，第二电极el2可以具有对应于透射窗tw的开口。另外，在一些示例实施例中，第二绝缘层130和/或像素限定层pdl也可以对应于透射窗tw形成。因此，第二绝缘层130和/或像素限定层pdl可以与透射窗tw叠置。

图3是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

参照图3，除了透射窗tw的位置之外，有机发光显示设备可以与图1和图2的有机发光显示设备基本相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。

有机发光显示设备包括沿着第一方向d1和与第一方向d1交叉的第二方向d2以矩阵形式来布置的第一像素至第八像素px1、px2、px3、px4、px5、px6、px7和px8。第二方向d2可以与第一方向d1基本垂直。第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4可以在第一方向d1上布置。第五像素至第八像素px5、px6、px7和px8可以在第一方向d1上布置，并且可以分别与第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4相邻设置。

有机发光显示设备可以包括第一镜面图案mr1。第一镜面图案mr1可以限定透射光的透射窗tw和与发光结构叠置的开口op。

透射窗tw可以是形成在第一镜面图案mr1处的开口，并且可以具有正方形形状。透射窗tw可以形成在每四个像素中，使得透射窗tw的尺寸可以是现有技术的在每个像素中具有透射窗的设备的透射窗的尺寸的四倍。根据本示例实施例，透射窗tw可以分别形成在第一像素px1中和第七像素px7中。

可以对角地设置的彼此相邻的第一像素px1的透射窗tw和第七像素px7的透射窗tw可以沿着相对于第一方向d1倾斜的方向彼此间隔开距离dt。彼此相邻的两个透射窗tw之间的距离dt可以大于图1和图2的示例实施例的距离dt。

在本示例实施例中，可以最大化透射窗tw之间的距离dt，使得两个相邻的透射窗tw之间的距离大于现有技术的距离。因此，可以减小相机300拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

图4是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

参照图4，除了透射窗tw的位置之外，有机发光显示设备可以与图1和图2的有机发光显示设备基本相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。

有机发光显示设备包括沿着第一方向d1和与第一方向d1交叉的第二方向d2以矩阵形式来布置的第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4。第二方向d2可以与第一方向d1基本垂直。第一像素px1和第二像素px2可以沿着第一方向d1布置。第三像素px3和第四像素px4可以沿着第一方向d1布置，并且可以分别与第一像素px1和第二像素px2相邻设置。

有机发光显示设备包括第一镜面图案mr1。第一镜面图案mr1可以限定透射光的透射窗tw和与发光结构叠置的开口op。

透射窗tw可以是形成在第一镜面图案mr1处的开口，并且可以具有正方形形状。透射窗tw可以形成在每两个像素中，使得透射窗tw的尺寸可以是现有技术的在每个像素中具有透射窗的装置的透射窗的尺寸的两倍。根据本示例实施例，在第一像素px1和第四像素px4中的每个中可以形成有一个透射窗tw。

设置为彼此相邻的第一像素px1的透射窗tw的中心和第四像素px4的透射窗tw的中心可以沿着相对于第一方向d1倾斜的方向彼此间隔开距离dt。

在本示例实施例中，相邻的透射窗tw之间的距离dt可以大于在每个像素中具有透射窗的装置中的透射窗之间的距离。因此，可以减小相机300拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

图5a至图10b是示出与依据根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的透射窗的形状的衍射程度有关的模拟图像的图。

参照图5a、图6a、图7a、图8a、图9a和图10a，描述了根据各种示例实施例的有机发光显示设备的第一镜面图案的透射窗的各种形状。透射窗可以具有边缘被倒圆的正方形形状。当所述被倒圆的边缘的半径表示为a时，透射窗的边的直线表示为b，在每幅图中用于模拟的a和b的具体值为下面的表1。

<表1>

另外，在示例实施例中，透射窗的形状可以是圆。

图5b、图6b、图7b、图8b、图9b和图10b示出了穿过透射窗的光的衍射效果。在透射窗的边界处会看见由衍射引起的特定图案。特定图案会降低相机(参见图2的300)拍摄的照片的质量。然而，根据本发明的示例实施例，倒圆的边缘可以减小衍射，使得相机拍摄的照片的质量可以改善。

随着被倒圆的边缘的半径增大，衍射的效果可以降低。在图8a、图9a和图10a的示例实施例中，衍射非常小，使得照片的衍射的效果非常小。例如，当倒圆的边缘的半径等于或大于透射窗的边的直线的长度时，衍射的效果可以最小化。

再次参照图5a至图10b，透射窗的被倒圆的边缘减小了穿过透射窗的光的衍射，使得相机拍摄的照片的质量可以改善。

图11是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示设备的像素中的至少一些的平面图。

参照图11，除了透射窗tw的形状之外，有机发光显示设备可以与图1和图2的有机发光显示设备基本相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。

有机发光显示设备包括沿着第一方向d1和与第一方向d1交叉的第二方向d2以矩阵形式来布置的第一像素至第八像素px1、px2、px3、px4、px5、px6、px7和px8。第二方向d2可以与第一方向d1基本垂直。第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4可以在第一方向d1上布置。第五像素至第八像素px5、px6、px7和px8可以在第一方向d1上布置，并且可以分别与第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4邻近设置。

有机发光显示设备可以包括第一镜面图案mr1。第一镜面图案mr1可以限定透光的透射窗tw和与发光结构叠置的开口op。

透射窗tw可以是形成在第一镜面图案mr1处的开口，并且可以具有边缘被倒圆的正方形形状。被倒圆的边缘的尺寸可以适当调整。在示例实施例中，透射窗tw的形状可以是圆。透射窗tw可以形成在每四个像素中，使得透射窗tw的尺寸可以是在每个像素中具有透射窗的现有技术的装置的透射窗的尺寸的四倍。根据本示例实施例，透射窗tw可以分别形成在第一像素px1中和第三像素px3中。

根据本发明的示例实施例，有机发光显示设备包括具有透射窗的第一镜面图案和相机。所述第一镜面图案可以在彼此相邻的每两个或更多个像素中限定一个透射窗，使得两个相邻的透射窗之间的距离大于现有技术的距离。因此，可以减小相机拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

另外，透射窗可以具有边缘被倒圆的形状，使得可以减小相机拍摄的照片由于衍射引起的劣化。

前述内容是对本发明构思的说明，并且不应被解释为对其的限制。虽然已经描述了本发明构思的一些示例性实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下，可以对示例性实施例进行许多修改。因此，所有这样的修改意图被包括在本发明构思的如权利要求所限定的范围内。在权利要求中，方法加功能的条款意图覆盖在这里描述的执行所记载的功能的结构，并且不仅仅覆盖结构等同物而且还覆盖等同结构。因此，要理解上述内容是对本发明构思的说明，而不应被解释为限于所公开的特定示例性实施例，并且对所公开的示例性实施例以及其他示例性实施例的修改意图包括在所附权利要求的范围内。本发明构思由权利要求限定，其中包括权利要求的等同物。