包括迭层结构的有机发光显示装置的制作方法

本发明的示例性实施例总体上涉及有机发光显示装置。更具体地，本发明构思的示例性实施例涉及包括迭层结构的有机发光显示装置和制造该包括迭层结构的有机发光显示装置的方法。

背景技术：

因为平板显示(fpd)装置比阴极射线管(crt)显示装置轻薄，所以fpd装置广泛地用作显示装置。fpd装置可以是液晶显示(lcd)装置、有机发光显示(oled)装置等。oled装置可以比lcd装置具有更高的亮度和更宽的视角。另外，因为oled装置不需要背光，所以oled装置可以比lcd装置更薄。在oled装置中，电子和空穴通过阴极和阳极注入到有机薄层中，然后在有机薄层中复合以产生激子。因此，可以发射特定波长的光。

一些oled装置可以设有迭层结构(tandemstructure)为特征。在迭层结构中，多个发光层和多个电荷产生层彼此交替地堆叠。oled装置的迭层结构可以由此发射白光。由于包括迭层结构的oled装置的尺寸增大，因此包括在oled装置中的阴极的电阻会增大。当阴极的电阻增大时，会在oled装置中产生ir降(例如，电压降)。在此情况下，因为由于ir降而彼此不同的电压电平会被施加到oled装置的多个像素，所以oled装置会显示具有不均匀亮度的图像。

技术实现要素：

根据本发明的示例性实施例，有机发光显示(oled)装置包括迭层结构。迭层结构包括多个发光层和多个电荷产生层。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种制造包括迭层结构的oled装置的方法。oled装置的迭层结构包括多个发光层和多个电荷产生层。

根据本发明的示例性实施例，oled装置包括包含发光区和外围区的基底。辅助电源线设置在基底的外围区中。下电极设置在基底的发光区中。像素限定层设置在基底上。像素限定层暴露发光区中的下电极的一部分，像素限定层暴露位于外围区中的辅助电源线的一部分。第一公共层设置在像素限定层和下电极上。第一公共层暴露辅助电源线。发光结构设置在第一公共层上。发光结构暴露辅助电源线。发光结构包括：第一发光层；第一电荷产生层，设置在第一发光层上；第二发光层，设置在第一电荷产生层上。第二公共层设置在发光结构上，第二公共层覆盖发光结构。第二公共层暴露辅助电源线。上电极设置在第二公共层上。上电极接触辅助电源线。

在本发明的示例性实施例中，oled装置还包括置于像素限定层与基底之间的平坦化层，平坦化层包括暴露辅助电源线的一部分的第一开口。

在本发明的示例性实施例中，像素限定层包括暴露辅助电源线的一部分的第二开口，像素限定层包括暴露下电极的一部分的第三开口。

在本发明的示例性实施例中，第一开口与第二开口叠置，第一公共层、第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层顺序地设置在第一开口和第二开口中的每个的侧壁上。

在本发明的示例性实施例中，第二公共层覆盖第一电荷产生层，使得第一电荷产生层在第一开口和第二开口中的任一开口的侧壁中不被暴露。

在本发明的示例性实施例中，在第一开口和第二开口中的每个的侧壁中，第二公共层覆盖第一公共层的末端部分、第一发光层的末端部分、第一电荷产生层的末端部分和第二发光层的末端部分，第二公共层与辅助电源线的上表面接触。

在本发明的示例性实施例中，下电极包括：第一透明电极层，设置在平坦化层上；反射电极层，设置在第一透明电极层上；第二透明电极层，设置在反射电极层上。

在本发明的示例性实施例中，oled装置还包括置于辅助电源线与上电极之间的导电图案。导电图案和下电极使用相同的材料同时地形成。

在本发明的示例性实施例中，oled装置还包括与辅助电源线分隔开的半导体元件，半导体元件置于基底与下电极之间。半导体元件包括：设置在基底上的有源层；设置在有源层上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的栅电极；设置在栅电极上的绝缘中间层；以及设置在绝缘中间层上的源电极和漏电极。

在本发明的示例性实施例中，源电极、漏电极和辅助电源线包括相同的材料。

在本发明的示例性实施例中，oled装置还包括：包封基底，设置在上电极上；滤色器，设置在包封基底的下表面上，滤色器与下电极叠置。

在本发明的示例性实施例中，发光结构还包括：第二电荷产生层，设置在第二发光层上；第三发光层，设置在第二电荷产生层上。第二公共层覆盖第二电荷产生层，使得第二电荷产生层在发光区和外围区中不被暴露。

在本发明的示例性实施例中，第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，第二公共层包括电子传输层和电子注入层。

根据本发明的示例性实施例，制造oled装置的方法包括设置包括发光区和外围区的基底。在基底上的外围区中形成辅助电源线。在基底上形成具有第一开口的平坦化层。第一开口暴露辅助电源线的一部分。在平坦化层上的发光区中形成下电极。在平坦化层上形成像素限定层。像素限定层包括第二开口和第三开口。第二开口暴露位于外围区中的辅助电源线的一部分，第三开口暴露位于发光区中的下电极的一部分。在像素限定层、下电极和辅助电源线上形成第一公共层。在第一公共层上形成发光结构，发光结构包括第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层。部分地去除第一公共层和发光结构使得辅助电源线的一部分被暴露。在像素限定层、发光结构和辅助电源线上形成第二公共层，使得第一电荷产生层在部分地去除了第一公共层和发光结构的部分中不被暴露。部分地去除第二公共层，使得辅助电源线的一部分被暴露。在像素限定层、发光结构和辅助电源线上形成上电极。

在本发明的示例性实施例中，部分地去除第一公共层和发光结构使得辅助电源线的一部分被暴露的步骤包括使用第一激光束照射辅助电源线，第一激光束具有第一宽度。

在本发明的示例性实施例中，部分地去除第二公共层使得辅助电源线的一部分被暴露的步骤包括使用第二激光束照射辅助电源线，第二激光束具有比第一宽度小的第二宽度。

在本发明的示例性实施例中，通过第二激光束去除第二公共层的设置在辅助电源线上的第一部分，第二公共层的设置在第二开口的侧壁上的第二部分不被第二激光束去除。

在本发明的示例性实施例中，第一开口和第二开口叠置，第一公共层、第一发光层、第一电荷产生层和第二发光层顺序地形成在第一开口和第二开口中的每个的侧壁中。第二公共层覆盖第一电荷产生层，使得第一电荷产生层在第一开口和第二开口中的任一开口的侧壁中不被暴露。

在本发明的示例性实施例中，第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，第二公共层包括电子传输层和电子注入层。

在本发明的示例性实施例中，所述方法还包括：设置包封基底；在包封基底的下表面上形成滤色器，使得滤色器与下电极叠置；结合包封基底和基底。

根据本发明的示例性实施例，oled装置包括包含发光区和外围区的基底。辅助电源线设置在外围区中。下电极设置在发光区中。下电极电连接到半导体装置。像素限定层设置在基底上。像素限定层包括设置在辅助电源线的第一部分处的第一开口和设置在下电极的第一部分处的第二开口。第一公共层设置在像素限定层和下电极上。第一公共层包括设置在辅助电源线的第一部分处的第三开口。发光结构设置在第一公共层上。发光结构包括设置在辅助电源线的第一部分处的第四开口。发光结构包括第一发光层、设置在第一发光层上的第一电荷产生层和设置在第一电荷产生层上的第二发光层。第二公共层设置在发光结构上，第二公共层与发光结构叠置。第二公共层包括设置在辅助电源线的第一部分处的第五开口。上电极设置在第二公共层上。上电极和辅助电源线在辅助电源线的第一部分处彼此电连接。

附图说明

通过结合附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示(oled)装置的剖视图；

图2是根据本发明的示例性实施例的图1的区域a的放大剖视图；

图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是示出根据本发明的示例性实施例的制造oled装置的方法的剖视图；

图14是示出根据本发明的示例性实施例的oled装置的剖视图；

图15是示出根据本发明的示例性实施例的oled装置的剖视图；

图16是示出根据本发明的示例性实施例的图15的下电极的剖视图。

具体实施方式

在下文中将参照附图详细地解释本发明的示例性实施例。将理解，当层或元件被称作在另一层或元件上时，该层或元件可以直接在所述另一层或元件上，或者可以在其间设置中间层或中间元件。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示(oled)装置的剖视图。图2是根据本发明的示例性实施例的图1的区域a的放大剖视图。

参照图1和图2，有机发光显示(oled)装置100可以包括基底110、半导体元件250、辅助电源线370、平坦化层270、下电极290、像素限定层310、第一公共层320、发光结构330、第二公共层325、上电极340、滤色器380、包封基底350等。半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230。发光结构330可以包括第一发光层331、第一电荷产生层(cgl)333和第二发光层335。如图2中所示，第一公共层320可以包括空穴注入层(hil)321和空穴传输层(htl)322，第二公共层325可以包括电子传输层(etl)326和电子注入层(eil)327。

基底110可以包括发光区10和外围区20。基底110可以包括透明材料。基底110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。可选择地，基底110可以包括诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料。聚酰亚胺基底可以包括例如第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。由于聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，因此聚酰亚胺基底可以设置在刚性玻璃基底上，在形成上结构(例如，半导体元件250、辅助电源线370、下电极290、第一公共层320、发光结构330、第二公共层325、上电极340等)期间，刚性玻璃基底用于支撑。基底110可以具有例如第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在刚性玻璃基底上的结构。当制造oled装置100时，在聚酰亚胺基底的第二聚酰亚胺层上设置绝缘层(例如，缓冲层)之后，可以在绝缘层上设置上结构。在绝缘层上形成上结构之后，可以去除其上设置有聚酰亚胺基底的刚性玻璃基底。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以在不支撑聚酰亚胺基底的情况下，可能很难在聚酰亚胺基底上形成上结构。因此，可以在聚酰亚胺基底和刚性玻璃基底上形成上结构。然后，在去除刚性玻璃基底之后，聚酰亚胺基底可以用作oled装置100的基底110。

缓冲层可以设置在基底110上。缓冲层可以被设置为覆盖整个基底110。缓冲层可以防止金属原子和/或杂质从基底110扩散到半导体元件250中。另外，缓冲层可以在用于形成有源层130的结晶工艺中控制热传递的速率。因此，可以形成相对均匀的有源层130。另外，当基底110的表面相对不规则(例如，台阶的、波纹的或其它不平坦的)时，缓冲层可以改善基底110的表面平坦性。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层。可选择地，可以不在基底110上设置缓冲层。缓冲层可以包括例如有机材料或无机材料。

半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230。

有源层130可以设置在基底110上的发光区10中。有源层130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。

栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以覆盖位于基底110上的发光区10中的有源层130并可以设置在整个基底110上。例如，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130并可以具有平的(例如平坦的)表面而没有围绕有源层130的台阶。可选择地，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，并可以被设置为沿有源层130的轮廓具有基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)、氧化铝(alox)、氮化铝(alnx)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)、氧化钛(tiox)等。

栅电极170可以设置在栅极绝缘层150上。栅电极170可以设置在发光区10中的有源层130上，并且栅极绝缘层150置于有源层130与栅电极170之间。栅电极170可以包括金属材料，例如，金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，栅电极170可以具有多层结构。

绝缘中间层190可以设置在栅极绝缘层150和栅电极170上。绝缘中间层190可以覆盖发光区10中的栅电极170，并可以设置在整个基底110上。例如，绝缘中间层190可以覆盖栅电极170，并可以具有平的(例如，平坦的)表面，而没有围绕栅电极170的台阶。可选择地，绝缘中间层190可以覆盖栅电极170，并可以被设置为沿栅电极170的轮廓具有均匀的厚度。绝缘中间层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。绝缘中间层190可以使栅电极170与将要形成在绝缘中间层190上的源电极210和漏电极230不接触而绝缘。

源电极210和漏电极230可以设置在绝缘中间层190上的发光区10中。源电极210可以通过接触孔与有源层130的第一侧接触。所述接触孔可以通过去除栅极绝缘层150和绝缘中间层190的一部分来形成。漏电极230可以通过另外的接触孔与有源层130的第二侧接触。所述另外的接触孔可以通过去除栅极绝缘层150和绝缘中间层190的一部分来形成。源电极210和漏电极230中的每个可以包括金属材料，例如，金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，源电极210和漏电极230中的每个可以具有多层结构。因此，包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250可以设置在基底110上。

在本发明的示例性实施例中，oled装置100的半导体元件250具有顶栅结构，但半导体元件250的结构不限于此。例如，在本发明的示例性实施例中，半导体元件250可以具有底栅结构。

另外，oled装置100的半导体元件250可以设置在发光区10中。然而，设置半导体元件250的位置不限于发光区10。例如，半导体元件250可以设置在外围区20中。

辅助电源线370可以设置在绝缘中间层190上的外围区20中。辅助电源线370可以与半导体元件250(例如，源电极210和漏电极230)分隔开。

当oled装置的尺寸变大时，上电极的电阻会增大。当上电极的电阻增大时，会在oled装置中产生ir降(例如，电压降)。因此，oled装置的亮度会不均匀。在本发明的示例性实施例中，oled装置100还可以包括辅助电源线370以减小ir降。辅助电源线370可以与上电极340直接接触。辅助电源线370可以是提供低电源电压的低电源电压布线。低电源电压可以施加到例如辅助电源线370，辅助电源线370可以将低电源电压提供到上电极340。辅助电源线370可以包括金属材料，例如，金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，辅助电源线370可以包括铝(al)、铝合金、氮化铝(alnx)、银(ag)、银合金、钨(w)、氮化钨(wnx)、铜(cu)、铜合金、镍(ni)、铬(cr)、氮化铬(crnx)、钼(mo)、钼合金、钛(ti)、氮化钛(tinx)、铂(pt)、钽(ta)、氮化钽(tanx)、钕(nd)、钪(sc)、氧化锶钌(sro)、氧化锌(znox)、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化镓(gaox)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，辅助电源线370可以具有多层结构。在本发明的示例性实施例中，源电极210、漏电极230和辅助电源线370可以使用相同的材料同时地形成。

平坦化层270可以设置在绝缘中间层190、源电极210、漏电极230和辅助电源线370的一部分上。平坦化层270可以覆盖外围区20中的辅助电源线370的两个侧部。在本发明的示例性实施例中，平坦化层270可以置于像素限定层310与基底110之间。另外，平坦化层270可以具有暴露外围区20中的辅助电源线370的一部分的第一开口360。平坦化层270可以是相对厚的以覆盖绝缘中间层190、源电极210和漏电极230。在此情况下，平坦化层270可以具有平的(例如，平坦的)上表面。另外，还可以对平坦化层270执行平坦化工艺以使平坦化层270的上表面平坦。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，平坦化层270可以包括有机材料。平坦化层270可以包括例如光致抗蚀剂、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。

下电极290可以设置在平坦化层270上的发光区10中。下电极290的厚度可以大于上电极340的厚度，使得从发光结构330发射的光可以在朝向包封基底350(例如，朝向oled装置100的前方)的方向上反射。下电极290可以通过接触孔与漏电极230接触。所述接触孔可以通过去除平坦化层270的一部分来形成。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属材料，例如，金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，下电极290可以具有多层结构。

像素限定层310可以设置在下电极290的一部分和平坦化层270上，使得像素限定层310暴露外围区20中的辅助电源线370。像素限定层310可以覆盖下电极290的两个侧部。在本发明的示例性实施例中，像素限定层310可以具有第二开口362和第三开口364，第二开口362暴露位于外围区20中的辅助电源线370的一部分，第三开口364暴露位于发光区10中的下电极290的一部分。第一开口360和第二开口362可以叠置。第二开口362的尺寸可以大于第一开口360的尺寸。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，像素限定层310可以仅包括有机材料。

第一公共层320可以设置在像素限定层310和下电极290上。第一公共层320可以暴露辅助电源线370的一部分。第一公共层320可以设置在第一开口360和第二开口362的侧壁上。如上所述，第一公共层320可以包括hil321和htl322。hil321可以设置在平坦化层270上，htl322可以设置在hil321上。hil321可以包括空穴注入材料，例如，(n-咔唑基)三苯胺(tcta)或4,4',4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)。htl322可以包括空穴传输材料，例如，4,4'-双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(npb)、4,4'-双[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]联苯(tpd)、n,n'-二-1-萘基-n,n'-二苯基-1,1'-联苯基-4,4'-二胺(npd)、n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或它们的组合。

发光结构330可以设置在第一公共层320上。发光结构330可以暴露辅助电源线370的一部分。发光结构330可以在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中设置在第一公共层320上。如上所述，发光结构330可以包括第一发光层331、第一cgl333和第二发光层335。例如，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，第一发光层331可以设置在第一公共层320上，第一cgl333可以设置在第一发光层331上。另外，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，第二发光层335可以设置在第一cgl333上。在本发明的示例性实施例中，发光结构330可以具有迭层结构。

第一发光层331可以发射具有第一波长的光和具有第二波长的光。例如，第二波长可以与第一波长不同。这里，具有第一波长的光和具有第二波长的光可以彼此混合，并且可以产生具有黄颜色的光。例如，具有第一波长的光可以是具有红颜色的光，具有第二波长的光可以是具有绿颜色的光。第一发光层331可以包括红色和绿色的发射材料。可选择地，具有第一波长的光可以是具有绿颜色的光，具有第二波长的光可以是具有红颜色的光。

第一cgl333可以包括n型芳基胺类层和p型金属氧化物层。这里，当电压被施加到n型芳基胺类层和p型金属氧化物层时，可以发生氧化还原反应，在形成复合物之后可以产生电荷。第一cgl333可以包括芳基胺类有机化合物和金属材料(例如，金属氧化物、金属碳化物、金属氟化物等)。这些化合物和/或材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，栅电极170可以具有多层结构。例如，芳基胺类有机化合物可以包括α-npd、2-tnata、tdata、mtdata、螺-tad、螺-npb等，金属材料可以包括铯(cs)、mo、ti、w、钡(ba)、锂(li)等。另外，金属氧化物、金属碳化物和金属氟化物可以包括re2o7、moo3、v2o5、wo3、tio2、cs2co3、氟化钡(baf)、氟化锂(lif)、氟化铯(csf)等。

第二发光层335可以发射具有第三波长的光。具有第三波长的光可以是例如与具有第一波长的光和具有第二波长的光具有不同颜色的光。具有第三波长的光可以是具有蓝颜色的光。第二发光层335可以包括蓝颜色的发射材料。因此，从第一发光层331发射的具有第一波长的光和具有第二波长的光以及从第二发光层335发射的具有第三波长的光可以混合。因此，由混合具有第一波长的光、具有第二波长的光和具有第三波长的光所得的光可以是具有白颜色的光。可选择地，第一发光层331可以包括黄-绿磷光材料，第二发光层335可以包括蓝荧光材料。在此情况下，第二发光层335可以通过使用蓝荧光材料产生具有蓝颜色的光，第一发光层331可以通过使用黄-绿磷光材料产生黄-绿颜色的光。可以通过混合蓝颜色的光和黄-绿颜色的光来产生具有白颜色的光。

第二公共层325可以设置在发光结构330上。另外，第二公共层325可以覆盖发光结构330，并可以暴露辅助电源线370的一部分。第二公共层325可以在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中设置在发光结构330上。如上所述，第二公共层325可以包括etl326和eil327。例如，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，etl326可以设置在发光结构330(例如，第二发光层335)上。eil327可以设置在etl326上。在本发明的示例性实施例中，第二公共层325可以覆盖第一cgl333使得在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中不暴露第一cgl333。例如，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，第二公共层325可以覆盖第一公共层320的末端部分、第一发光层331的末端部分、第一cgl333的末端部分和第二发光层335的末端部分。在此情况下，第一公共层320的末端部分、第一发光层331的末端部分、第一cgl333的末端部分和第二发光层335的末端部分可以分别是面对辅助电源线370的端部。另外，在第一开口360和第二开口362中，第二公共层325可以与辅助电源线370的上表面的一部分接触。因此，包括第一发光层331、第一cgl333和第二发光层335的发光结构330可以设置在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中。

在本发明的示例性实施例中，oled装置100的迭层结构包括第一发光层331、第一cgl333和第二发光层335。然而，oled装置的迭层结构不限于此。例如，在本发明的示例性实施例中，迭层结构可以包括第一公共层320、第一发光层331、第一cgl333、第二发光层335和第二公共层325。

当第二公共层325不覆盖第一cgl333时，第一cgl333会被暴露，并会直接接触上电极340。在此情况下，第一cgl333和上电极340会短路(例如，彼此电接触)。当第一cgl333和上电极340短路时，不会从发光区10发射具有白颜色的光。由于第二公共层325覆盖第一cgl333，因此第二公共层325可以将第一cgl333与上电极340电绝缘。因此，第一cgl333和上电极340不会短路。因此，可以从发光区10发射具有白颜色的光。

etl326可以包括电子传输材料，例如，三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、2-(4-联苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(pbd)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(balq)、浴铜灵(bcp)、三唑(taz)、苯基喹唑啉或它们的组合。eil327可以包括电子注入材料，例如，lif、羟基喹啉锂(liq)、li2o、bao、nacl、csf等。

上电极340可以设置在第二公共层325和辅助电源线370上。上电极340可以覆盖第二公共层325。上电极340可以与辅助电源线370直接接触。上电极340可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。

包封基底350可以设置在上电极340上。包封基底350和基底110可以包括相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。在本发明的示例性实施例中，包封基底350可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，包封基底350可以包括柔性透明树脂。在此情况下，为了增加oled装置100的柔性，包封基底350可以包括至少一个无机层和至少一个有机层交替地堆叠的堆叠结构。

滤色器380可以设置在包封基底350的下表面上，并可以与下电极290叠置。滤色器380可以包括红色滤色器、绿色滤色器和/或蓝色滤色器。可选择地，滤色器380可以包括黄色滤色器、青色滤色器和/或品红色滤色器。滤色器380可以包括光敏树脂(或彩色光致抗蚀剂)等。

根据本发明的示例性实施例的oled装置100包括覆盖第一cgl333的第二公共层325。由于第二公共层325覆盖第一cgl333，因此第一cgl333和上电极340可以彼此电绝缘。因此，第一cgl333和上电极340不会短路，oled装置100可以在发光区10中发射具有白颜色的光。另外，由于oled装置100包括辅助电源线370，因此可以减少oled装置100中产生的ir降(例如，电压降)。因此，oled装置100可以显示具有均匀亮度的图像。

图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是示出根据本发明的示例性实施例的制造oled装置的方法的剖视图。

参照图3，基底510可以包括发光区10和外围区20。基底510可以包括透明材料。例如，基底510可以包括石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。可选择地，基底510可以包括诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料。

可以在基底510上形成缓冲层。可以在整个基底510上形成缓冲层。缓冲层可以防止金属原子和/或杂质从基底510扩散到半导体元件中。另外，缓冲层可以在用于形成有源层的结晶工艺中控制热传递的速率，以获得均匀的有源层。另外，当基底510的表面相对不规则(例如，台阶的、波纹的或其它不平坦的)时，缓冲层可以使基底510更加平坦。可以根据基底510的类型来在基底510上设置至少两个缓冲层。可选择地，可以不在基底510上设置缓冲层。例如，可以使用有机材料或无机材料来形成缓冲层。

可以在基底510上的发光区10中形成有源层530。例如，可以使用氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等来形成有源层530。

可以在有源层530上形成栅极绝缘层550。栅极绝缘层550可以覆盖基底510上的发光区10中的有源层530，并可以形成在整个基底510上。例如，栅极绝缘层550可以覆盖有源层530。另外，栅极绝缘层550可以具有平的(例如，平坦的)表面，而没有围绕有源层530的台阶。可选择地，栅极绝缘层550可以覆盖有源层530，并可以被设置为沿有源层530的轮廓具有均匀的厚度。栅极绝缘层550可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，可以使用siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox、tiox等来形成栅极绝缘层550。

可以在栅极绝缘层550上形成栅电极570。可以在有源层530上形成栅电极570以使栅电极570与发光区10中的有源层530叠置。可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等的金属材料来形成栅电极570。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，栅电极570可以以多层结构来形成。

参照图4，可以在栅极绝缘层550和发光区10中的栅电极570上形成绝缘中间层590。绝缘中间层590可以覆盖发光区10中的栅电极570，并可以形成在整个基底510上。例如，绝缘中间层590可以覆盖栅电极570，并可以具有平的(例如，平坦的)表面，而没有围绕栅电极570的台阶。可选择地，绝缘中间层590可以覆盖栅电极570，并可以被形成为沿栅电极570的轮廓具有基本上均匀的厚度。可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成绝缘中间层590。

可以在绝缘中间层590上的发光区10中形成源电极610和漏电极630。源电极610可以通过接触孔与有源层530的第一侧接触。可以通过去除栅极绝缘层550和绝缘中间层590的一部分来形成所述接触孔。漏电极630可以通过接触孔与有源层530的第二侧接触。可以通过去除栅极绝缘层550和绝缘中间层590的一部分来形成所述接触孔。可以使用例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等的材料来形成源电极610和漏电极630中的每个。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。因此，可以在基底510上形成包括有源层530、栅极绝缘层550、栅电极570、绝缘中间层590、源电极610和漏电极630的半导体元件650。

可以在绝缘中间层590上的外围区20中形成辅助电源线770。辅助电源线770可以与源电极610和漏电极630分隔开。可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等的金属材料来形成辅助电源线770。例如，辅助电源线770可以包括al、铝合金、alnx、ag、银合金、w、wnx、cu、铜合金、ni、cr、crnx、mo、钼合金、ti、tinx、pt、ta、tanx、nd、sc、sro、znox、snox、inox、gaox、ito、izo等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，辅助电源线770可以具有多层结构。在本发明的示例性实施例中，可以使用相同的材料来同时地形成源电极610、漏电极630和辅助电源线770。例如，可以在整个绝缘中间层590上形成初始金属层。在形成初始金属层之后，可以通过将初始金属层图案化来形成源电极610、漏电极630和辅助电源线770。

参照图5，可以在绝缘中间层590、源电极610、漏电极630和辅助电源线770的一部分上形成平坦化层670。平坦化层670可以覆盖外围区20中的辅助电源线770的两个端部。在本发明的示例性实施例中，平坦化层670可以具有暴露外围区20中的辅助电源线770的一部分的第一开口760。例如，平坦化层670可以被形成为相对厚，以覆盖绝缘中间层590、源电极610和漏电极630。在此情况下，平坦化层670可以具有平的上表面。另外，还可以对平坦化层670执行平坦化工艺以产生平坦化层670的平的(例如，平坦的)上表面。平坦化层670可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，可以使用有机材料来形成平坦化层670。例如，平坦化层670可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。

参照图6，可以在平坦化层670上的发光区10中形成下电极690。下电极690可以与漏电极630接触以填充通过去除平坦化层670的一部分形成的接触孔。另外，下电极690可以电连接到半导体元件650。例如，可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等的金属材料来形成下电极690。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选择地，下电极690可以具有多层结构。

可以在下电极690的一部分和平坦化层670上形成像素限定层710，使得像素限定层710暴露辅助电源线770。可以在外围区20中形成辅助电源线770。像素限定层710可以覆盖下电极690的两个端部。在本发明的示例性实施例中，像素限定层710可以具有暴露外围区20中的辅助电源线770的一部分的第二开口762和暴露发光区10中的下电极690的一部分的第三开口764。第一开口760和第二开口762可以叠置。第二开口762的尺寸可以大于第一开口760的尺寸。像素限定层710可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，可以仅使用有机材料来形成像素限定层710。

参照图7，可以在整个基底510上顺序地形成初始第一公共层820、初始第一发光层831、初始第一电荷产生层(cgl)833和初始第二发光层835。例如，可以在像素限定层710、下电极690和辅助电源线770上形成初始第一公共层820。可以在初始第一公共层820上形成初始第一发光层831。另外，可以在初始第一发光层131上形成初始第一cgl833。可以在初始第一cgl833上形成初始第二发光层835。在形成初始第一公共层820、初始第一发光层831、初始第一cgl833和初始第二发光层835之后，可以通过激光束对辅助电源线770上的第一宽度w1进行照射，使得辅助电源线770的一部分被暴露。例如，激光束可以具有第一宽度w1。

参照图8，在使用具有第一宽度w1的激光束对辅助电源线770进行照射之后，可以形成发光结构730。发光结构730可以包括第一公共层720、第一发光层731、第一cgl733和第二发光层735。

可以在像素限定层710和下电极690上形成第一公共层720。第一公共层720可以暴露辅助电源线770的一部分。可以在第一开口760和第二开口762的侧壁上形成第一公共层720。第一公共层720可以包括hil和htl(参见图2)。可以在平坦化层670上形成hil，可以在hil上形成htl。例如，可以使用空穴注入材料形成hil，可以使用空穴传输材料形成htl。

可以在第一公共层720上形成发光结构730，并可以使发光结构730暴露辅助电源线770的一部分。可以在第一开口760和第二开口762的侧壁中的第一公共层720上形成发光结构730。例如，在第一开口760和第二开口762的侧壁中，可以在第一公共层720上形成第一发光层731。另外，可以在第一发光层731上形成第一cgl733。可以在第一cgl733上形成第二发光层735。在本发明的示例性实施例中，发光结构730可以具有迭层结构。

第一发光层731可以发射具有第一波长的光和具有第二波长的光。第一波长和第二波长可以彼此不同。这里，可以混合具有第一波长的光和第二波长的光，并可以产生具有黄颜色的光。例如，具有第一波长的光可以是具有红颜色的光，具有第二波长的光可以是具有绿颜色的光。可选择地，具有第一波长的光可以是具有绿颜色的光，具有第二波长的光可以是具有红颜色的光。

可以使用n型芳基胺类层和p型金属氧化物层形成第一cgl733。第一cgl733可以包括芳基胺类有机化合物、金属、金属氧化物、金属碳化物、金属氟化物等。这些化合物和/或材料可以单独使用或彼此组合使用。

第二发光层735可以发射第三波长的光，例如，与具有第一波长的光和具有第二波长的光不同的光。这里，第三波长的光可以是具有蓝颜色的光。可以混合从第一发光层731发射的具有第一波长的光和具有第二波长的光以及从第二发光层735发射的具有第三波长的光。因此，由混合具有第一波长的光、具有第二波长的光和具有第三波长的光所得的光可以是具有白颜色的光。可选择地，可以使用黄-绿磷光材料来形成第一发光层731，可以使用蓝荧光材料来形成第二发光层735。在此情况下，可以通过使用蓝荧光材料来使第二发光层735产生具有蓝颜色的光，并可以通过使用黄-绿磷光材料来使第一发光层731产生黄-绿颜色的光。可以通过混合蓝颜色的光和黄-绿颜色的光来产生具有白颜色的光。

参照图9，可以在发光结构730和辅助电源线770上形成初始第二公共层825。在形成初始第二公共层825之后，可以通过具有第二宽度w2的激光束照射辅助电源线770，使得辅助电源线770的一部分被暴露。第二宽度w2可以小于第一宽度w1。因此，可以通过激光束去除初始第二公共层825的位于辅助电源线770上的那部分。然而，不使用激光束照射初始第二公共层825的位于第一开口760和第二开口762的侧壁上的部分。

参照图10，在具有第二宽度w2的激光束已经对初始第二公共层825进行了照射之后，可以形成第二公共层725。第二公共层725可以形成在发光结构730上。第二公共层725可以覆盖发光结构730，第二公共层725可以暴露辅助电源线770的一部分。第二公共层725可以形成在第一开口760和第二开口762的侧壁中的发光结构730上。第二公共层725可以包括etl和eil。例如，在第一开口760和第二开口762的侧壁中，可以在第二发光层735上形成etl，可以在etl上形成eil。在本发明的示例性实施例中，第二公共层725可以覆盖第一cgl733，使得第一cgl733在第一开口760和第二开口762的侧壁中不被暴露。例如，在第一开口760和第二开口762的侧壁中，第二公共层725可覆盖第一公共层720的末端部分、第一发光层731的末端部分、第一cgl733的末端部分和第二发光层735的末端部分。在这种情况下，第一公共层720的末端部分、第一发光层731的末端部分、第一cgl733的末端部分和第二发光层735的末端部分可以分别是面对辅助电源线770的端部。另外，第二公共层725可以与辅助电源线770的上表面的一部分接触。

可以使用电子传输材料来形成etl。另外，可以使用电子注入材料来形成eil。

参照图11，可以在第二公共层725和辅助电源线770上形成上电极740。上电极740可以覆盖第二公共层725。另外，上电极740可以与辅助电源线770直接接触。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成上电极740。

参照图12，可以在上电极740上形成包封基底750。可以使用相同的材料来形成包封基底750和基底510。例如，可以使用石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等来形成包封基底750。在本发明的示例性实施例中，包封基底750可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，包封基底750可以包括柔性透明树脂。

可以在包封基底750的下表面上形成滤色器780，并可以使滤色器780与下电极690叠置。滤色器780可以包括红色滤色器、绿色滤色器和/或蓝色滤色器。可选择地，滤色器780可以包括黄色滤色器、青色滤色器和/或品红色滤色器。可以使用光敏树脂(或彩色光致抗蚀剂)等来形成滤色器780。

参照图13，可以将包封基底750和基底510组合(例如，将包封基底750和基底510密封在一起)。例如，将包封基底750和基底510组合的步骤可以包括将包封基底750和基底510固定在一起。因此，可以制造图1中示出的oled装置100。由于第二公共层725覆盖第一cgl733，因此第一cgl733和上电极740可以电绝缘。因此，第一cgl733和上电极740不会短路(例如，彼此电连接)，oled装置100可以在发光区10中发射白颜色的光。

图14是示出根据本发明的示例性实施例的oled装置的剖视图。除了发光结构1330之外，图14中示出的oled装置可以具有与参照图1和图2描述的oled装置100的构造基本上相同或相似的构造。在图14中，为了简洁起见可以省略先前参照图1和图2描述的元件的详细描述。

参照图14，oled装置可以包括基底110、半导体元件250、辅助电源线370、平坦化层270、下电极290、像素限定层310、第一公共层320、发光结构1330、第二公共层325、上电极340、滤色器380、包封基底350等。半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230。发光结构1330可以包括第一发光层331、第一cgl333、第二发光层335、第二cgl337和第三发光层339。如图2中所示，第一公共层320可以包括hil321和htl322。另外，第二公共层325可以包括etl326和eil327。

发光结构1330可以设置在第一公共层320上，并可以暴露辅助电源线370的一部分。发光结构1330可以设置在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中的第一公共层320上。例如，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，第一发光层331可以设置在第一公共层320上，第一cgl333可以设置在第一发光层331上。另外，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，第二发光层335可以设置在第一cgl333上，第二cgl337可以设置在第二发光层335上。

在本发明的示例性实施例中，发光结构1330可以具有迭层结构。例如，第一发光层331可以包括可发射具有红颜色的光的发光层，第二发光层335可以包括可发射具有绿颜色的光的发光层。另外，第三发光层339可以包括可发射具有蓝颜色的光的发光层。第一cgl333可以置于可发射具有红颜色的光的发光层与可发射具有绿颜色的光的发光层之间。第二cgl337可以置于可发射具有绿颜色的光的发光层与可发射具有蓝颜色的光的发光层之间。可以通过混合上面提到的具有红颜色、蓝颜色和绿颜色的光来产生具有白颜色的光。第一发光层331可以包括可发射具有红颜色的光的发光材料。第二发光层335可以包括可发射具有绿颜色的光的发光材料。另外，第三发光层339可以包括可发射具有蓝颜色的光的发光材料。可选择地，第一发光层331可以包括黄磷光材料，第二发光层335可以包括蓝荧光材料。另外，第三发光层339可以包括蓝荧光材料。可以通过混合从黄磷光材料和蓝荧光材料发射的光来产生具有白颜色的光。

第二公共层325可以设置在发光结构1330上。另外，第二公共层325可以覆盖发光结构1330，并可以暴露辅助电源线370的一部分。第二公共层325可以设置在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中的发光结构1330上。如上所述，第二公共层325可以包括etl326和eil327。例如，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，etl326可以设置在发光结构1330上(例如，在第三发光层339上)，eil327可以设置在etl326上。在本发明的示例性实施例中，第二公共层325可以覆盖第一cgl333和第二cgl337，使得第一cgl333和第二cgl337在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中不被暴露。例如，在第一开口360和第二开口362中的每个的侧壁中，第二公共层325可以覆盖第一公共层320的末端部分、第一发光层331的末端部分、第一cgl333的末端部分、第二发光层335的末端部分、第二cgl337的末端部分以及第三发光层339的末端部分。在这种情况下，第一公共层320的末端部分、第一发光层331的末端部分、第一cgl333的末端部分、第二发光层335的末端部分、第二cgl337的末端部分和第三发光层339的末端部分分别可以是面对辅助电源线370的端部。另外，在第一开口360和第二开口362中，第二公共层325可以与辅助电源线370的上表面的一部分接触。

图15是示出根据本发明的示例性实施例的oled装置的剖视图。图16是示出根据本发明的示例性实施例的图15的下电极的剖视图。除了导电图案390之外，图15中示出的oled装置可以具有与参照图1和图2描述的oled装置100的构造基本相同或相似的构造。在图15和图16中，为了简洁起见可以省略先前参照图1和图2描述的元件的详细描述。

参照图15和图16，oled装置可以包括基底110、半导体元件250、辅助电源线370、平坦化层270、下电极290、导电图案390、像素限定层310、第一公共层320、发光结构330、第二公共层325、上电极340、滤色器380、包封基底350等。半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、绝缘中间层190、源电极210和漏电极230。发光结构330可以包括第一发光层331、第一cgl333和第二发光层335。如图2中所示，第一公共层320可以包括hil321和htl322。另外，第二公共层325可以包括etl326和eil327。如图16中所示，下电极290可以包括第一透明电极层291、反射电极层292和第二透明电极层293。

下电极290可以设置在平坦化层270上的发光区10中。

oled装置可以在发光区10中沿朝向包封基底350的方向显示图像(例如，顶发射结构)。因此，下电极290可以包括光反射层。例如，如图16中所示，下电极290可以具有多层结构。下电极290的多层结构可以包括第一透明电极层291、反射电极层292和第二透明电极层293。第一透明电极层291可以设置在平坦化层270上的发光区10中，反射电极层292和第二透明电极层293可以顺序地设置在第一透明电极层291上。第一透明电极层291和第二透明电极层293可以具有第一厚度，反射电极层292可以具有第二厚度。反射电极层292的第二厚度可大于第一透明电极层291的第一厚度。第一透明电极层291和第二透明电极层293可以包括相同的材料。反射电极层292可以置于第一透明电极层291与第二透明电极层293之间。

第一透明电极层291可以覆盖平坦化层270的不平坦的上表面。由于第一透明电极层291设置在平坦化层270上，因此第一透明电极层291可以用来形成反射电极层292。由于第二透明电极层293设置在反射电极层292上，因此可以根据需要来控制oled装置的色坐标。反射电极层292可以反射光。例如，反射电极层292可以使从第一发光层330发射的光朝向oled装置的前方反射。因此，包括反射电极层292的下电极290可以基本是不透明的。例如，反射电极层292可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。第一透明电极层291和第二透明电极层293中的每个可以是基本透明的。第一透明电极层291和第二透明电极层293中的每个可以包括透明导电材料等。

导电图案390可以置于辅助电源线370与上电极340之间。导电图案390可以增加上电极340和辅助电源线370的接触特性。

可以使用相同的材料同时形成导电图案390和下电极290。例如，导电图案390可以具有多层结构。

本发明可以应用于包括有机发光显示装置的各种显示装置。例如，本发明可以应用于车辆显示装置、船舶显示装置、飞行器显示装置、便携式通信装置、显示信息传递的用于显示器的显示装置、医疗显示装置等。

虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将清楚的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，在此可以在形式上和细节上做出各种改变。