半导体装置和半导体装置的制造方法与流程

技术总结
半导体装置和半导体装置的制造方法。为了在同一硅衬底一起形成可靠性高的受光元件和MOS晶体管，在MOS晶体管的栅电极形成以后，去除受光元件形成区域上的栅氧化膜，在受光元件形成区域上重新形成热氧化膜，并穿过该氧化膜对受光元件形成区域进行离子注入，由此形成浅的pn结。

技术研发人员：二木俊郎
受保护的技术使用者：精工半导体有限公司
文档号码：201710132974
技术研发日：2017.03.06
技术公布日：2017.09.12