本发明涉及一种等离子体(plasma)处理装置。
背景技术：
：：在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(opticaldisk)等各种产品的制造工序中，有时要在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜。薄膜能够通过对工件形成金属等的膜的成膜、或对所形成的膜进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制作。成膜或膜处理能够利用各种方法来进行，作为其一，有使用等离子体的方法。在成膜时，向配置有靶材(target)的腔室(chamber)内导入惰性气体，并施加直流电流。使等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞至靶材，使从靶材撞出的材料堆积于工件以进行成膜。在膜处理中，向配置有电极的腔室内导入工艺气体(processgas)，对电极施加高频电压。使等离子体化的工艺气体的离子碰撞至工件上的膜，由此进行膜处理。有一种等离子体处理装置，其在一个腔室的内部安装有旋转平台(table)，沿旋转平台上方的周方向配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元，以便能够连续地进行此种成膜与膜处理(例如参照专利文献1)。通过将工件保持于旋转平台上来搬送，并使其通过成膜单元与膜处理单元的正下方，从而形成光学膜等。在使用旋转平台的等离子体处理装置中，作为膜处理单元，有时使用上端封闭且下端具有开口部的筒形的电极(以下称作“筒形电极”)。在使用筒形电极的情况下，在腔室的上部设有开口部，将筒形电极的上端经由绝缘物安装于所述开口部。筒形电极的侧壁在腔室的内部延伸存在，且下端的开口部隔着微小的间隙面向旋转平台。腔室接地，筒形电极作为阳极(anode)发挥功能，腔室与旋转平台作为阴极(cathode)发挥功能。向筒形电极的内部导入工艺气体并施加高频电压，从而使等离子体产生。所产生的等离子体中所含的电子流入作为阴极的旋转平台侧。使由旋转平台所保持的工件通过筒形电极的开口部之下，由此等离子体中所含的离子碰撞至工件以进行膜处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2002-256428号公报技术实现要素：[发明所要解决的课题]在腔室中，以覆盖在内部延伸的筒形电极的侧壁的方式安装有筒形的护罩。护罩安装于腔室的开口部的缘部，与筒形电极的侧壁平行地延伸。连接于所述腔室的护罩也作为阴极发挥功能。护罩与筒形电极隔着微小的间隙相向配置，以便不与筒形电极接触。近年来，需要处理的工件有大型化的倾向，而且要求提高处理效率，因此，筒形电极有大型化的倾向。为了减少因筒形电极的大型化而增加的重量，有使筒形电极变薄的倾向。在膜处理中，因等离子体的产生而筒形电极的温度大幅上升，因此，变薄的筒形电极因热而发生变形并产生与护罩接触的可能性。因筒形电极与护罩接触、即施加有电压的电极与接地的电极接触而发生异常放电，等离子体变得不稳定。结果有可能无法进行稳定的膜处理。本发明的目的在于，为了解决如上所述的课题，提供一种防止筒形电极与护罩的接触而可稳定地进行膜处理的可靠性高的等离子体处理装置。[解决课题的技术手段]为了达成所述目的，本发明的等离子体处理装置包括：筒形电极，具有设有开口部的一端与被封闭的另一端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；真空容器，具有开口，所述筒形电极在所述真空容器的内部延伸存在且所述另一端经由绝缘构件而安装于所述开口；搬送部，将利用所述工艺气体受到处理的工件搬送至所述筒形电极的开口部之下；护罩，连接于所述真空容器，且隔着间隙覆盖在所述真空容器的内部延伸存在的所述筒形电极；以及间隔件，包含绝缘材料，且设置于所述筒形电极与所述护罩的间隙中。所述间隔件可为块形形状。所述间隔件与所述筒形电极相向的面及与所述护罩相向的面的面积可为1cm2～3cm2。所述间隔件可在与所述筒形电极相向的面的位于所述真空容器的所述开口侧的角部具有向所述护罩侧倾斜的倾斜部。所述间隔件可利用包含绝缘材料的螺栓固定于所述护罩。所述间隔件可设置于所述筒形电极的一端的附近。所述间隔件可设置于所述筒形电极的一端的附近、另一端的附近、及一端与另一端的中间附近。所述筒形电极及所述护罩为方筒状，所述间隔件可分别设置于所述筒形电极及所述护罩的相向的间隙中。[发明的效果]通过在筒形电极的侧壁与护罩的间隙中配置间隔件，能够提供一种防止筒形电极与护罩的接触而可稳定地进行膜处理的可靠性高的等离子体处理装置。附图说明图1是示意性地表示本发明的实施方式的等离子体处理装置的构成的平面图。图2是图1的a-a剖面图。图3是图1的b-b剖面图，是从旋转平台的中心观察膜处理单元的图。图4是间隔件的放大侧视图。图5是间隔件的放大正视图。图6是表示将间隔件安装于护罩的状态的图。图7是表示间隔件的设置形态的另一例的图。图8是表示作为比较例的、绝缘构件覆盖筒形电极与护罩的间隙整体的形态的图。[符号的说明]1：腔室(真空容器)1a：开口2：排气部3：旋转平台(搬送部)3a：保持部3b：旋转轴4a、4b、4c、4d、4f、4g：处理单元(成膜单元)4e：处理单元(膜处理单元)5：加载互锁部6：靶材7：dc电源8：溅射气体导入部9：隔离壁10：筒形电极10a：凸缘11：开口部12：壳体13：护罩15：rf电源16：工艺气体导入部20：控制部21：匹配器22：绝缘构件30：间隔件30a、30b、30c、30d：侧面31：螺栓孔32：螺栓33：倾斜部p：搬送路w：工件d：间隙具体实施方式[构成]参照附图来具体说明本发明的实施方式。如图1及图2所示，等离子体处理装置具有大致圆筒形的腔室1。在腔室1中设有排气部2，能够将腔室1的内部排气成真空。即，腔室1作为真空容器发挥功能。在腔室1的上表面设有开口1a，但在所述开口1a中嵌入有后述的筒形电极10，从而腔室1的内部被保持为气密。旋转轴3b贯穿腔室1的底部而竖立设置于腔室1的内部。在旋转轴3b上，安装有大致圆形的旋转平台3。在旋转轴3b上连结有未图示的驱动机构。通过驱动机构的驱动，旋转平台3以旋转轴3b为中心而旋转。腔室1、旋转平台3及旋转轴3b在等离子体处理装置中是作为阴极发挥作用，因此可包含电阻小的导电性金属构件。旋转平台3例如可采用在不锈钢的板状构件的表面喷镀有氧化铝。在旋转平台3的上表面，设有多个保持工件w的保持部3a。多个保持部3a是沿着旋转平台3的周方向而等间隔地设置。通过旋转平台3旋转，由保持部3a所保持的工件w沿旋转平台3的周方向移动。换言之，在旋转平台3的面上，形成有工件w的圆形的移动轨迹即搬送路径(以下称作“搬送路p”)。保持部3a例如可采用载置工件w的托盘(tray)。以下，在简称作“周方向”时，是指“旋转平台3的周方向”，在简称作“半径方向”时，是指“旋转平台3的半径方向”。而且，本实施方式中，作为工件w的示例，使用了平板状的基板，但进行等离子体处理的工件w的种类、形状及材料并不限定于特定。例如，也可使用中心具有凹部或者凸部的弯曲的基板。而且，也可使用包含金属、碳(carbon)等导电性材料的基板，包含玻璃或橡胶等绝缘物的基板，包含硅等半导体的基板。在旋转平台3的上方，设有进行等离子体处理装置中的各工序的处理的单元(以下称作“处理单元”)。各处理单元是以下述方式而配置：沿着形成于旋转平台3的面上的工件w的搬送路p，彼此隔开规定的间隔而邻接。使由保持部3a所保持的工件w通过各处理单元之下，由此来进行各工序的处理。图1的示例中，沿着旋转平台3上的搬送路p而配置有七个处理单元4a～处理单元4g。本实施方式中，处理单元4a、处理单元4b、处理单元4c、处理单元4d、处理单元4f、处理单元4g是对工件w进行成膜处理的成膜单元。处理单元4e是对通过成膜单元而形成于工件w的膜进行处理的膜处理单元。本实施方式中，设成膜单元为进行溅射(sputtering)的单元来进行说明。而且，设膜处理单元4e为进行后氧化的单元来进行说明。所谓后氧化，是指如下所述的处理：对于通过成膜单元而成膜的金属膜，导入由等离子体所生成的氧离子等，从而对金属膜进行氧化。在处理单元4a与处理单元4g之间，设有加载互锁(loadlock)部5，所述加载互锁部5从外部将未处理的工件w搬入至腔室1的内部，并将处理完毕的工件w搬出至腔室1的外部。另外，本实施方式中，将工件w的搬送方向设为沿图1的顺时针方向从处理单元4a的位置朝向处理单元4g的方向。当然，这只是一例，搬送方向、处理单元的种类、排列顺序及数量并不限定于特定，能够适当决定。图2表示作为成膜单元的处理单元4a的构成例。其他的成膜单元4b、成膜单元4c、成膜单元4d、成膜单元4f、成膜单元4g也可与成膜单元4a同样地构成，但也可应用其他构成。如图2所示，成膜单元4a具备安装于腔室1的内部上表面的靶材6，以作为溅射源。靶材6是包含堆积在工件w上的材料的板状构件。靶材6被设置于当工件w通过成膜单元4a之下时与工件w相向的位置。在靶材6上，连接有对靶材6施加直流电压的直流(directcurrent，dc)电源7。而且，在腔室1的内部上表面的、安装有靶材6的部位附近，设置有将溅射气体导入至腔室1内部的溅射气体导入部8。溅射气体例如可使用氩等惰性气体。在靶材6的周围，设置有用于减少等离子体的流出的隔离壁9。另外，关于电源，可应用dc脉冲电源、射频(radiofrequency，rf)电源等众所周知的电源。图2及图3表示膜处理单元4e的构成例。膜处理单元4e具备设置于腔室1的内部上表面的筒形电极10。筒形电极10为方筒状，一端具有开口部11，另一端被封闭。筒形电极10中，使具有开口部的一端(以下称作“下端”)为下侧，使被封闭的另一端(以下称作“上端”)为上侧，且上端经由绝缘构件22而安装于腔室1的上表面中所设的开口1a。筒形电极10的侧壁在腔室1的内部延伸存在，下端的开口部11面向旋转平台3。更具体而言，在上端设有向外伸出的凸缘10a。绝缘构件22固定于凸缘10a的下表面与腔室1的开口1a的周缘，由此将腔室1的内部保持为气密。绝缘构件22并不限定于特定的材料，例如可包含聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，ptfe)等材料。筒形电极10的开口部11被配置在与形成于旋转平台3上的搬送路p对置的位置。即，旋转平台3作为搬送部搬送工件w而使其通过开口部11的正下方。并且，开口部11正下方的位置成为工件w的通过位置。如图1所示，当从上方观察时，筒形电极10呈从旋转平台3的半径方向上的中心侧朝向外侧扩径的扇形。此处所说的扇形是指扇子扇面的部分的形状。筒形电极10的开口部11也同样为扇形。被保持在旋转平台3上的工件w通过开口部11之下的速度在旋转平台3的半径方向上越朝向中心侧则越慢，越朝向外侧则越快。因此，若开口部11为简单的长方形或正方形，则在半径方向上的中心侧与外侧，工件w通过开口部11正下方的时间会产生差异。通过使开口部11从半径方向上的中心侧朝向外侧扩径，从而能够将工件w通过开口部11的时间设为固定，能够使后述的等离子体处理变得均等。但是，若通过时间的差异为不会造成产品方面的问题的程度，则也可为长方形或正方形。筒形电极10的大小或壁面的厚度并不限定于特定，但有大型化及薄型化的倾向，例如有时使用周方向的宽度为300mm～400mm、半径方向的宽度为800mm、壁面的厚度为1mm左右的筒形电极。如上所述，筒形电极10贯穿腔室1的开口1a，且一部分露出至腔室1的外部。所述筒形电极10中的露出至腔室1外部的部分如图2所示，被壳体12所覆盖。通过壳体12来将腔室1的内部空间保持为气密。筒形电极10的位于腔室1内部的部分、即侧壁的周围由护罩13所覆盖。护罩13是与筒形电极10为同轴的扇形的方筒，且比筒形电极10大。护罩13连接于腔室1。具体而言，护罩13从腔室1的开口1a的缘部竖立设置，并向腔室1的内部延伸，下端位于与筒形电极10的开口部11相同的高度。护罩13与腔室1同样地作为阴极发挥作用，因此可包含电阻小的导电性金属构件。护罩13可与腔室1一体成型，或者也可使用固定金属件等安装于腔室1。护罩13是为了使筒形电极10内稳定地产生等离子体而设。护罩13的各侧壁以与筒形电极10的各侧壁隔着规定的间隙d大致平行地延伸的方式设置。若间隙d变得过大，则静电电容变小，或筒形电极10内所产生的等离子体进入间隙d中，因此理想的是间隙d尽可能小。但是，若间隙d变得过小，则筒形电极10与护罩13之间的静电电容变大，因此也不优选。间隙d的大小可根据对等离子体的产生而言必需的静电电容来适当设定，例如可设为7mm。另外，图3仅图示了护罩13及筒形电极10的在半径方向上延伸的两个侧壁面，但在护罩13及筒形电极10的在周方向上延伸的两个侧壁面之间也可设有与半径方向的侧壁面相同大小的间隙d。而且，在筒形电极10上连接有工艺气体导入部16，从外部的工艺气体供给源经由工艺气体导入部16而向筒形电极10的内部导入工艺气体。工艺气体可根据膜处理的目的来适当变更。例如，在进行蚀刻时，可使用氩等惰性气体来作为蚀刻气体。当进行氧化处理或后氧化处理时，可使用氧。当进行氮化处理时，可使用氮。在筒形电极10上，连接有用于施加高频电压的rf电源15。在rf电源15的输出侧，串联连接有作为匹配电路的匹配器(matchingbox)21。rf电源15也连接于腔室1。若从rf电源15施加电压，则筒形电极10作为阳极发挥作用，腔室1、护罩13及旋转平台3作为阴极发挥作用。匹配器21通过使输入侧及输出侧的阻抗匹配，从而使等离子体的放电稳定化。另外，腔室1或旋转平台3接地。连接于腔室1的护罩13也接地。rf电源15及工艺气体导入部16均经由壳体12上所设的贯穿孔而连接于筒形电极10。若从工艺气体导入部16向筒形电极10内导入作为工艺气体的氧气，并从rf电源15对筒形电极10施加高频电压，则氧气等离子体化，从而产生电子、离子及自由基等。当氧气等离子体化时，筒形电极10的内部成为高温。如上所述，筒形电极10有大型化及薄型化的倾向，因此有可能因热而挠曲或发生变形。如上所述，筒形电极10与护罩13之间的间隙d小，因此若筒形电极10发生变形，则有可能与护罩13接触。本发明的实施方式中，在筒形电极10与护罩13之间的间隙d中设置有间隔件30。即使筒形电极10发生变形，间隔件30会抑制筒形电极10的移动，因此也可防止筒形电极10与护罩13的接触。图4～图6表示间隔件的放大图。间隔件30为长方体的块形形状。为了维持阳极-阴极间的绝缘，间隔件30可包含绝缘材料。间隔件30可与绝缘构件22同样地包含ptfe。间隔件30具有与腔室1的上表面及底面相向的且彼此平行的上表面及下表面，还具有连接上表面与下表面的四个侧面30a、侧面30b、侧面30c、侧面30d。以贯穿与筒形电极10相向的侧面30a以及与护罩13相向的侧面30b的方式设有螺栓孔31。螺栓孔31在筒形电极10侧为供螺栓32的头部进入的大小，但在护罩13侧缩径而成为仅供螺栓32的轴部通过的大小。在图示的示例中，螺栓孔31平行地设有两个，但螺栓孔31的数量或螺栓孔31的位置并不限定于图示的示例，可适当进行设计。如图6所示，间隔件30利用通过了螺栓孔31的螺栓32而固定于护罩13。另外，螺栓32可使用包含聚醚醚酮(polyetheretherketone，peek)或ptfe等绝缘材料。间隔件30的大小可适当决定，理想的是使包含绝缘材料的间隔件30为小型的，以便不会对阳极-阴极间的静电电容产生大的影响。例如，作为与筒形电极10相向的面的侧面30a以及作为与护罩13相向的面的侧面30b的面积可为1cm2～3cm2左右。作为与侧面30a及侧面30b正交且连接侧面30a及侧面30b的面的侧面30c、侧面30d的宽度可和筒形电极10与护罩13之间的间隙d相同或比所述间隙d稍小，以便嵌入至护罩13与筒形电极10之间的间隙d中。例如，若间隙d为7mm，则可将侧面30c、侧面30d的宽度设为6mm。与筒形电极10相向的侧面30a的位于腔室1的开口1a侧的角部被斜切而设有向护罩13侧倾斜的倾斜部33。倾斜角度可适当设定，例如可相对于侧面30a而为30°。当安装间隔件30时，在已将筒形电极10从腔室1的开口1a拆除的状态下利用螺栓32将间隔件30安装于护罩13。其后，从开口1a将筒形电极10嵌入。如上所述，间隔件30的尺寸形成为嵌入至间隙d，因此，通过具有倾斜部33，可将筒形电极10顺畅地插入。在图3的示例中，两个间隔件30分别设置于方筒状的护罩13及筒形电极10的沿半径方向的两个侧壁面之间的间隙d、即相向的间隙d中。通过将两个间隔件30分别设置于相向的间隙d中，可稳定地维持间隙d。而且，两个间隔件30分别设置于筒形电极10的下端附近。认为筒形电极10的成为开放端的下端附近较安装于腔室1的上端附近更容易发生变形。通过将间隔件30设置于下端附近，可防止筒形电极10的容易发生变形的下端附近与护罩13接触。然而，图3的示例终究只是一例，间隔件30的设置数量及设置位置并不限定于此。只要即使在筒形电极10发生了变形的情况下仍可维持护罩13与筒形电极10的间隙d而防止接触，且间隔件30所引起的静电电容的增加为不会对匹配器21的控制产生影响的范围，则设置位置及设置数量可适当设定。例如，如图7所示，也可不仅在下端的附近，也在上端的附近、上端与下端的中间附近设置间隔件30，以便可在整体上稳定地维持间隙d。当然，也可不配置于三个位置的全部，例如可仅设置于上端附近或中间附近。间隔件30的设置间隔可为等间隔。或者，设置也可不为等间隔，例如可在下端附近设置得较多。另外，图3、图7示出了设置于方筒状的护罩13及筒形电极10的沿半径方向的两个侧壁面之间的间隙d中的示例，但也可设置于沿周方向的两个侧壁面之间的间隙d中。当然，还可设置于半径方向的间隙d及周方向的间隙d两者中。或者，也可不设置于相向的间隙d两者中，而将间隔件30设置于半径方向的间隙d中的一个与周方向的间隙d中的一个。等离子体处理装置还包括控制部20。控制部20包含可编程逻辑控制器(programmablelogiccontroller，plc)或中央处理器(centralprocessingunit，cpu)等运算处理装置。控制部20进行与溅射气体及工艺气体向腔室1的导入及排气相关的控制、dc电源7及rf电源15的控制、及旋转平台3的转速控制等控制。[动作及作用]对本实施方式的等离子体处理装置的动作与间隔件30的作用进行说明。从加载互锁室将未处理的工件w搬入至腔室1。搬入的工件w由旋转平台3的保持部3a予以保持。腔室1的内部由排气部2进行排气而成为真空状态。通过驱动旋转平台3，从而使工件w沿着搬送路p来搬送，以使其通过各处理单元4a～处理单元4g之下。在成膜单元4a中，从溅射气体导入部8导入溅射气体，从dc电源7对溅射源施加直流电压。通过直流电压的施加，溅射气体等离子体化，从而产生离子。当所产生的离子碰撞到靶材6时，靶材6的材料飞出。飞出的材料堆积于通过成膜单元4a之下的工件w，由此在工件w形成薄膜。其他的成膜单元4b、成膜单元4c、成膜单元4d、成膜单元4f、成膜单元4g中，也以同样的方法来进行成膜。但是，未必需要利用所有的成膜单元来进行成膜。作为一例，此处，对于工件w，通过dc溅射来形成si膜。利用成膜单元4a～成膜单元4d进行了成膜的工件w接着在搬送路p上由旋转平台3予以搬送，从而在膜处理单元4e中，通过筒形电极10的开口部11正下方的位置、即膜处理位置。如上所述，本实施方式中，对在膜处理单元4e中进行后氧化的示例进行说明。在膜处理单元4e中，从工艺气体导入部16向筒形电极10内导入作为工艺气体的氧气，并从rf电源15对筒形电极10施加高频电压。通过高频电压的施加，氧气等离子体化，从而产生电子、离子及自由基等。等离子体从作为阳极的筒形电极10的开口部11流向作为阴极的旋转平台3。通过等离子体中的离子碰撞至通过开口部11之下的工件w的薄膜，从而使薄膜受到后氧化。如上所述，在rf电源15上连接有匹配器21。匹配器21使输出侧阻抗与输入侧阻抗匹配，以使流至阴极侧的电流成为最大值，以便进行稳定的等离子体放电。然而，筒形电极10会因等离子体处理时产生的热而挠曲或发生变形，若与护罩13接触则有可能发生异常放电。本实施方式中，在护罩13与筒形电极10之间的间隙d中设置有间隔件30，因此即使筒形电极10发生变形，也可防止护罩13的接触。此处，若以防止筒形电极10向护罩13的接触为目的，则也考虑如图8所示，可使介于筒形电极10的上端的凸缘10a与腔室1的开口1a的周缘之间的绝缘构件22扩张而覆盖筒形电极10与护罩13之间的间隙d的整体。然而，因绝缘构件22占据筒形电极10与护罩13之间的间隙d的整体，阳极-阴极间的静电电容将大幅增加。匹配器21基于预先设定的阳极-阴极间的静电电容来进行阻抗控制。对于现有的等离子体处理装置，当将绝缘构件22更换为占据间隙d的整体时，必须基于增加的静电电容值来进行匹配器21的再设定，从而繁琐。因此，本实施方式中，以不会对阳极-阴极间的静电电容产生大的影响的方式将块形形状的间隔件30设置于筒形电极10与护罩13之间的间隙d中。间隔件30设置于间隙d的一部分中。由此，与占据间隙d整体的图8的绝缘构件22相比，增加率被抑制得较低。即使因间隔件30而静电电容稍有增加，只要为匹配器21的控制的容许范围，则无须进行匹配器21的再设定。已知若静电电容的增加率未满约±1％，则即使不进行匹配器21的再设定，也可维持稳定的等离子体。此处，对图8所示的绝缘构件22覆盖筒形电极10与护罩13之间的间隙d的整体的情况下、与本实施方式的配置间隔件30的情况下的静电电容的增加率进行比较研究。在图8的构成中，在绝缘构件22包含ptfe的情况下，间隙d被置换成相对介电常数为2.1的ptfe，因此，与在间隙d中未配置任何物质的情况相比静电电容成为约2倍，静电电容的增加率为约100％。即，在设为图8的构成的情况下会超过匹配器21的控制的容许范围，因此需要进行匹配器21的再设定。将间隔件30配置于间隙d中的本实施方式的构成中的静电电容的增加率r[％]可如以下般求出。在包含平行板式的阳极-阴极的电容器中，在板间距离为k[m]、各平行板的面积为s[m2]的情况下，静电电容c[f]可利用以下的式(1)来求出。[数学式1]此处，ε0为真空下的介电常数，为8.85×10-12[f/m]。εr为介电体的相对介电常数。在本实施方式的间隔件30包含ptfe的情况下，εr成为2.1。作为每1个间隔件30的静电电容的增加量cp，只要从一个间隔件30的静电电容中除去置换有一个间隔件30的空间的静电电容即可，因此，可利用以下的式(2)来求出。[数学式2]此处，sp为间隔件30的与筒形电极10相向的面积[m2]。式(1)的板间距离k[m]与间隙d的大小相对应。将sp＝6×10-4[m2]＝6[cm2]、d＝7×10-3[m]＝7[mm]代入所述式(2)，则cp的值为8.35×10-13[f]。若将不具有间隔件30时的筒形电极10的静电电容设为c0[f]，则因使用间隔件30而带来的静电电容的增加率r[％]可藉由以下的式(3)来求出。[数学式3]此处，n为间隔件30的设置个数。当将间隔件30的设置个数设为例如9个时，在式(3)中代入c0＝7.6×10-10[f]、n＝9，则增加率r＝0.99[％]左右。即，即使设置9个间隔件30，与未配置间隔件30的情况相比，静电电容的增加率仍被抑制为未满1％，因此不会对匹配器21的控制产生影响，即使不进行再设定，也可维持稳定的等离子体。[效果]如上所述，本实施方式的等离子体处理装置包括：筒形电极10，具有作为设有开口部11的一端的下端与作为被封闭的另一端的上端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；以及作为具有开口1a的真空容器的腔室1，上端经由绝缘构件22而安装于腔室1的开口1a的筒形电极10在腔室1的内部延伸存在。而且，等离子体处理装置包括：作为搬送部的旋转平台3，将利用工艺气体受到处理的工件w搬送至筒形电极10的开口部11之下；护罩13，隔着间隙d覆盖在真空容器的内部延伸存在的筒形电极10；以及间隔件30，设置于筒形电极10与护罩13的间隙d的一部分中且包含绝缘材料。在膜处理中，因等离子体的产生而温度大幅上升，因此，筒形电极10因热而发生变形并产生与护罩13接触的可能性。通过在筒形电极10的侧壁与护罩13的间隙d中配置间隔件30，可防止筒形电极10与护罩13的接触以稳定地进行膜处理。而且，间隔件30并非设置于间隙d的整体而是仅设置于一部分，由此不会对阳极-阴极间的静电电容产生大的影响，因此即使在将间隔件30安装于现有的等离子体处理装置的情况下，也无须进行匹配器21的再设定，便利性高。间隔件30可为块形形状。由此，即使在筒形电极10的侧壁与护罩13的狭窄的间隙d中也容易进行插入，安装也变得容易。间隔件30的作为与筒形电极10相向的面的侧面30a及作为与护罩13相向的面的侧面30b的面积可为1cm2～3cm2。通过使间隔件30为小型，可减少阳极-阴极间的静电电容的变化。由此，即使在将间隔件30安装于现有的等离子体处理装置的情况下，也无须进行匹配器21的再设定，便利性高。间隔件30可在侧面30a的位于腔室1的开口1a侧的角部具有向护罩13侧倾斜的倾斜部33。筒形电极10与护罩13的间隙d狭窄，因此，若在设置间隔件30之后再将筒形电极10从腔室1的开口1a插入，则容易卡挂于间隔件30。此处，间隔件30的角部倾斜，由此可防止卡挂，从而可实现筒形电极10的顺畅插入。由此，可提高组装效率。间隔件30可利用包含绝缘材料的螺栓32固定于护罩13。通过固定间隔件30的螺栓32也包含绝缘材料，可维持阳极-阴极间的绝缘。间隔件30可配置于筒形电极10的设有开口部11的下端的附近。通过将间隔件30配置于筒形电极10的容易发生变形的下端附近，可有效地防止向护罩13的接触。间隔件30可设置于筒形电极10的设有开口部11的下端的附近、上端的附近、下端与上端的中间附近。通过分散地配置间隔件30，可在整体上稳定地维持筒形电极10与护罩13之间的间隙d。筒形电极10及护罩13为方筒状，间隔件30可分别设置于筒形电极10及护罩13的相向的间隙d中。通过将两个间隔件30分别设置于相向的间隙d中，可稳定地维持间隙d。[其他实施方式](1)本发明并不限定于所述实施方式。例如，所述实施方式中，在膜处理中进行后氧化，但也可进行蚀刻处理或氮化处理。当进行蚀刻处理时，可向膜处理单元4e内导入氩气，且当进行氮化处理时，可向膜处理单元4e内导入氮气。(2)收容旋转平台3或各处理单元的腔室1的形状或者处理单元的种类及配置形态也并不限定于特定，可根据工件w的种类或设置环境进行适当变更。(3)以上对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但所述实施方式或各部的变形例是作为一例而进行提示，并不意图限定发明的范围。所述这些新颖的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内可进行多种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形包含于发明的范围或主旨内，并且包含于权利要求书所记载的发明中。当前第1页12当前第1页12