包括InGaAs沟道的FET装置及制造该FET装置的方法与流程

技术特征：

技术总结
提供了包括InGaAs沟道的FET装置及其制造方法。根据本发明构思的实施例，制造具有设定的BTBT泄漏电流和最大VDD的FET装置的方法包括：根据BTBT泄漏电流和最大VDD确定InxGa1‑xAs中的x值；利用InxGa1‑xAs形成沟道，其中，x不为0.53。

技术研发人员：博尔纳·J·奥布拉多维奇;帝泰什·拉克西特;马克·S·罗德尔
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.03.21
技术公布日：2017.09.29