控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质与流程

本发明基于在2016年03月24日申请的日本专利特愿第2016-059725号的优先权，该日本申请的全部内容被引入本发明。

本发明涉及一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。

背景技术：

在半导体装置的制造过程中，当在半导体晶圆(晶圆)等基板形成具有规定特性的膜的情况下，预先计算获得具有规定特性的膜的最优成膜条件，使用计算出的最优成膜条件来在基板上形成膜。在计算最优成膜条件的情况下，需要关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验，有时无法容易地计算最优成膜条件。

以往，作为计算最优成膜条件的系统，已知一种只由操作者输入目标膜厚、控制部计算接近目标膜厚的最优温度的热处理系统(例如，参照日本特开2013-207256号)。根据该系统，控制部参照由膜厚测定器测定出的膜厚数据来计算出最优成膜条件。

技术实现要素：

本发明的一个方式涉及一种控制装置，对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

上述的概括只用于说明，并不意图限制在任一方式。通过参照附图和以下的详细说明，除了上述的说明性的方式、实施例以及特征变得明确之外，追加的方式、实施例以及特征也变得明确。

附图说明

图1是示出本实施方式的基板处理装置的一例的概要结构图。

图2是示出本实施方式的控制装置的一例的概要结构图。

图3是示出本实施方式的控制装置的动作的一例的流程图。

图4是示出调整处理前与调整处理后的各区带中的加热器的设定温度的图。

图5是示出调整处理前与调整处理后的ald的周期个数的图。

图6是示出调整处理前与调整处理后的各区带中的sin膜的膜厚的图。

图7是示出调整处理前与调整处理后的sin膜的膜厚的面间均匀性的图。

具体实施方式

在以下的详细说明中，参照形成说明书的一部分的附图。详细说明、附图以及权利要求书所记载的说明性的实施例并不是意图进行限制。在不脱离此处示出的本发明的思想或范围的情况下，能够使用其它实施例并能够进行其它变形。

然而，在通过原子层沉积(ald：atomiclayerdeposition)在基板形成具有规定特性的膜的情况下，难以调整多个参数(例如温度、气体流量、压力、周期个数)来计算最优成膜条件。

因此，另一个侧面，本公开的目的在于，提供一种即使是关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验少的操作者也能够容易地计算在基板形成基于原子层沉积的膜的最优成膜条件的控制装置。

为了实现上述目的，本发明的一个方式涉及一种控制装置，对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

在上述的控制装置中，所述成膜条件包含所述基板的温度，在所述模型存储部中，还存储有表示所述基板的温度与对所述基板进行加热的加热器的设定温度之间的关系的热模型，所述控制部基于所述模型存储部所存储的所述热模型来决定所述加热器的设定温度，使得所述基板的温度成为根据所述工艺模型计算出的温度。

在上述的控制装置中，所述控制部基于所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来调整所述成膜条件以避免所述加热器的功率饱和。

在上述的控制装置中，所述控制部利用最优化算法来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

在上述的控制装置中，所述膜的特性是膜厚。

本发明的一个方式涉及一种基板处理系统，具有：基板处理装置，其用于在基板形成基于原子层沉积的膜；以及控制装置，其用于对所述基板处理装置的动作进行控制，其中，所述控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

在上述的基板处理系统中，所述基板处理装置具有：基板保持器具，其沿垂直方向隔开规定的间隔地保持多个所述基板；处理容器，其用于收容所述基板保持器具；以及气体供给单元，其用于向所述处理容器内供给第一处理气体和同所述第一处理气体进行反应的第二处理气体。

在上述的基板处理系统中，所述第一处理气体是二氯甲硅烷气体，所述第二处理气体是氨气。

本发明的一个方式涉及一种基板处理方法，包括以下工序：成膜工序，通过原子层沉积以规定的成膜条件在基板形成膜；测定工序，测定所述成膜工序中形成的所述膜的特性；以及计算工序，基于所述测定工序中测定出的所述膜的特性的测定结果、表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型、以及成膜时的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

本发明的一个方式涉及一种存储介质，存储使计算机执行上述的基板处理方法的程序。

通过公开的控制装置，即使是关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验少的操作者也能够容易地计算在基板形成基于原子层沉积的膜的最优成膜条件。

下面，参照附图来对用于实施本公开的方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，通过针对实质上相同的结构标注相同的标记来省略重复的说明。

(基板处理装置)

对本实施方式的基板处理装置进行说明。本实施方式的基板处理装置是如下一种批次式的装置：能够将沿垂直方向隔开规定的间隔地保持有多个作为基板的一例的半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)的基板保持器具收容于处理容器，能够针对多个晶圆同时形成基于原子层沉积(ald：atomiclayerdeposition)的膜。

以下基于图1来进行说明。图1是示出本实施方式的基板处理装置的一例的概要结构图。

如图1所示，基板处理装置具有长边方向为垂直方向的大致圆筒形的处理容器4。处理容器4具有具备圆筒体的内筒6和外筒8的二重管构造，该外筒8在内筒6的外侧与圆筒体的内筒6同心状地配置并具有顶板。内筒6和外筒8例如由石英等耐热性材料形成。

内筒6和外筒8的下端部被由不锈钢等形成的歧管10保持。歧管10例如固定于未图示的底板。此外，歧管10与内筒6、外筒8一同形成大致圆筒形的内部空间，因此歧管10形成处理容器4的一部分。即，处理容器4具备例如由石英等耐热性材料形成的内筒6和外筒8、以及由不锈钢等形成的歧管10，歧管10设置于处理容器4的侧面下部，以从下方保持内筒6和外筒8。

歧管10具有气体导入部20，该气体导入部20用于将成膜处理中使用的成膜气体等处理气体、吹扫处理中使用的吹扫气体等各种气体导入到处理容器4内。在图1中，示出了设置有一个气体导入部20的方式，但是不限定于此，也可以与所使用的气体的种类等相应地设置多个气体导入部20。

作为成膜气体的种类，不特别地进行限定，能够根据形成的膜的种类等适当地进行选择。例如，在通过ald在晶圆w形成氮化硅膜(sin膜)的情况下，能够使用二氯甲硅烷气体(dcs气体)以及氨气(nh3气体)。此时，向处理容器4内交替地反复供给dcs气体和nh3气体并持续规定的周期个数，由此能够在晶圆w形成基于dcs气体和nh3气体的反应生成物的sin膜。此外，dcs气体是第一处理气体的一例，nh3气体是第二处理气体的一例。

作为吹扫气体的种类，不特别地进行限定，例如能够使用氮气(n2)等非活性气体。

对气体导入部20连接用于将各种气体导入到处理容器4内的导入配管22。此外，在导入配管22插入设置有用于调整气体流量的质量流量控制器等流量调整部24、未图示的阀等。气体导入部20、导入配管22、流量调整部24、阀等是气体供给单元的一例。

另外，歧管10具有对处理容器4内进行排气的气体排出部30。在气体排出部30上连接有包括能够对处理容器4内进行减压控制的真空泵32、开度可变阀34等的排气配管36。

在歧管10的下端部形成有炉口40，在炉口40处设置有例如由不锈钢等形成的圆盘状的盖体42。盖体42例如设置为能够通过作为晶圆舟升降机发挥功能的升降机构44进行升降，构成为能够气密性地密封炉口40。

在盖体42上设置有例如由石英制成的保温筒46。在保温筒46上载置有例如由石英制成的晶圆舟48，该晶圆舟48例如将50个至175个左右的晶圆w以水平状态且以规定的间隔多层地保持。

通过使用升降机构44使盖体42上升来向处理容器4内加载(搬入)晶圆舟48，来对保持在晶圆舟48内的晶圆w进行各种成膜处理。在进行了各种成膜处理之后，通过使用升降机构44使盖体42下降来将晶圆舟48从处理容器4内向下方的装载区域卸载(搬出)。

在处理容器4的外周侧设置有例如圆筒形状的加热器60，该加热器60能够对处理容器4进行加热控制使之成为规定的温度。

加热器60被分割为多个区带，从铅垂方向的上侧朝向下侧地设置有加热器60a～60g。加热器60a～60g构成为能够被电力控制器62a～62g分别独立地控制发热量。另外，在内筒6的内壁和/或外筒8的外壁，与加热器60a～60g对应地设置有未图示的温度传感器。以下将设置有加热器60a～60g的区带分别称为区带1～7。此外，在图1中，示出了加热器60被分割为七个区带的方式，但是不限定于此，例如也可以从铅垂方向的上侧朝向下侧被分割为六个以下区带，还可以从铅垂方向上侧朝向下侧被分割为八个以上区带。另外，也可以不将加热器60分割为多个区带。

载置于晶圆舟48的多个晶圆w构成一个批次，以一个批次为单位进行各种成膜处理。另外，优选的是，载置于晶圆舟48的晶圆w中的至少一个以上的晶圆w为监视晶圆。另外，优选的是，与被分割的加热器60a～60g分别对应地配置监视晶圆。

另外，本实施方式的基板处理装置具有用于对装置整体的动作进行控制的计算机等控制装置100。控制装置100通过有线、无线等通信单元而与主计算机连接，基板处理装置构成基板处理系统。

(控制装置)

基于图2来说明本实施方式的控制装置100。图2是示出本实施方式的控制装置的一例的概要结构图。

如图2所示，控制装置100具有模型存储部102、制程存储部104、记录存储部105、rom(readonlymemory)106、ram(randomaccessmemory)108、i/o端口110、cpu(centralprocessingunit)112以及将它们相互连接的总线114。

在模型存储部102中，例如存储工艺模型、热模型。

工艺模型是表示成膜条件对成膜结果产生的影响的模型，例如能够列举温度-膜厚模型、周期个数-膜厚模型。温度-膜厚模型是表示晶圆w的温度对形成的膜的膜厚产生的影响的模型。周期个数-膜厚模型是表示ald的周期个数对形成的膜的膜厚产生的影响的模型。

另外，作为其它工艺模型，例如能够列举表示晶圆w的温度、ald的周期个数、成膜气体的流量、成膜气体的供给时间、处理容器4内的压力、吹扫气体的供给时间、晶圆舟48的转速(旋转速度)等成膜条件对形成的膜的膜厚、杂质浓度、薄层电阻、反射率等特性、这些特性的面内均匀性、面间均匀性产生的影响的模型。

此外，在模型存储部102中，既可以存储前述的工艺模型中的一部分，也可以存储前述的工艺模型的全部。

模型存储部102除了存储前述的工艺模型之外，还存储热模型。

热模型是表示晶圆w的温度与加热器60的设定温度之间的关系的模型，热模型是在决定加热器60的设定温度以使晶圆w的温度成为根据温度-膜厚模型等工艺模型计算出的晶圆w的温度时参照的模型。

另外，关于这些模型，将由于成膜条件、基板处理装置的状态而默认(既定)值不是最优的情况也考虑进去，因此也可以通过对软件附加扩展卡尔曼滤波器等来搭载学习功能以进行模型的学习。

在制程存储部104中，存储有根据由基板处理装置进行的成膜处理的种类来确定控制过程的工艺用制程。工艺用制程是按由操作者(operator)实际地进行的每个成膜处理准备的制程。工艺用制程规定例如从向基板处理装置搬入晶圆w起至将处理完的晶圆w搬出为止的温度变化、压力变化、供给各种气体的开始和停止的定时、各种气体的供给量等成膜条件。

在记录存储部105中，存储有正在晶圆w形成膜时的成膜条件的实际测量值(以下称为“记录信息”。)。作为记录信息，能够列举形成膜时(成膜处理的开始至结束的期间)的每隔规定时间的加热器60的温度、加热器60的功率、成膜气体的流量、成膜气体的供给时间、处理容器4内的压力、吹扫气体的供给时间、晶圆舟48的转速等成膜条件的实际测量值。

rom106包括eeprom(electricallyerasableprogrammablerom(电可擦可编程只读存储器))、快闪存储器、硬盘驱动器等，是存储cpu112的动作程序等的存储介质。

ram108作为cpu112的工作区等而发挥功能。

i/o端口110向cpu112供给关于温度、压力、气体流量等成膜条件的测定信号。另外，i/o端口110向各部(电力控制器62、开度可变阀34的未图示的控制器、流量调整部24等)输出cpu112所输出的控制信号。另外，对i/o端口110连接用于由操作者对基板处理装置进行操作的操作面板116。

cpu112执行rom106所存储的动作程序，按照来自操作面板116的指示，根据制程存储部104所存储的工艺用制程，来对基板处理装置的动作进行控制。

另外，cpu112基于通过制程存储部104所存储的工艺用制程而形成的膜的特性的测定结果、模型存储部102所存储的工艺模型、以及记录存储部105所存储的记录信息，来计算满足设为目标的膜的特性的成膜条件。此时，利用线性规划法、二次规划法等最优化算法，基于读出的工艺用制程所存储的规定的膜厚、膜质等，来计算满足晶圆w的面内均匀性、晶圆w的面间均匀性的成膜条件。

另外，cpu112基于模型存储部102所存储的热模型，来决定加热器60的设定温度以使晶圆w的温度成为根据工艺模型计算出的晶圆w的温度。

总线114在各部之间传输信息。

在通过ald在晶圆w形成具有规定特性的膜的情况下，理论上能够在晶圆w上形成均匀的膜。例如，在向晶圆w供给充足的成膜气体，充分地供给用于使成膜气体活性化的能量，残留在处理容器4内的反应后的成膜气体被充分地排出的情况下，能够在晶圆w形成均匀的膜。

然而，在晶圆w形成均匀的膜所需的成膜气体的供给量、用于使成膜气体活性化的能量、残留在处理容器4内的反应后的成膜气体被充分地排出的时间等环境按每个成膜条件而不同。因此，如果要使假定的所有成膜条件满足上述的环境，则需要大量时间以计算最优成膜条件，使得制造成本增加，生产性下降。另外，在通过ald在晶圆w形成具有规定特性的膜的情况下，调整多个参数(例如温度、气体流量、压力、周期个数)来计算最优成膜条件，因此计算最优成膜条件并不容易。

因此，在本实施方式中，基于通过制程存储部104所存储的工艺用制程形成的膜的特性的测定结果、模型存储部102所存储的工艺模型以及记录存储部105所存储的记录信息来计算满足设为目标的膜的特性的成膜条件。由此，即使是关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验少的操作者也能够容易地计算在晶圆w形成基于ald的膜的最优成膜条件。另外，能够缩短直到计算出最优成膜条件为止所需的时间。

接着，说明即使是关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验少的操作者也能够容易地计算在晶圆w形成基于ald的膜的最优成膜条件的控制装置的动作(调整处理)。

下面，基于图3，举出通过ald在晶圆w上形成sin膜的情况作为例子来进行说明。图3是示出本实施方式的控制装置的动作的一例的流程图。

既可以在进行成膜处理之前的安装阶段进行本实施方式的调整处理，也可以与成膜处理同时进行本实施方式的调整处理。另外，在调整处理过程中，操作者对操作面板116进行操作，选择工艺类型(例如，使用dcs气体和nh3气体来形成sin膜)，并且按区带输入形成的sin膜的膜厚(目标膜厚)。

当被输入工艺类型等需要的信息并接收到开始指令时，cpu112从制程存储部104读出与输入的工艺类型对应的工艺用制程(步骤s1)。

接着，在晶圆w上形成sin膜(步骤s2：成膜工序)。具体地说，cpu112使盖体42下降来至少将在各区带搭载有晶圆w的晶圆舟48配置在盖体42上。接下来，cpu112使盖体42上升来将晶圆舟48搬入处理容器4内。接下来，cpu112按照从制程存储部104读出的工艺用制程来对流量调整部24、开度可变阀34、电力控制器62等进行控制，从而在晶圆w上形成sin膜。通过将供给dcs气体后使dcs气体吸附在晶圆w上的吸附步骤与供给nh3气体后使吸附在晶圆w上的dcs气体同nh3气体进行反应的反应步骤交替地重复进行规定的周期个数，由此形成sin膜。

当sin膜的形成结束时，cpu112使盖体42下降，将形成有sin膜的晶圆w搬出。主计算机使被搬出的晶圆w搬送到未图示的膜厚测定器等测定装置，测定sin膜的膜厚(步骤s3：测定工序)。膜厚测定器当测定出sin膜的膜厚时，经由主计算机而向cpu112发送测定出的膜厚。此外，也可以由操作者对操作面板116进行操作来输入由膜厚测定器测定出的膜厚。

当cpu112接收到测定出的sin膜的膜厚时(步骤s4)，cpu112判定sin膜的膜厚是否为目标膜厚的允许范围内的膜厚(步骤s5)。允许范围内是指包含在相对于输入的目标膜厚能够允许的规定的范围内，例如是指相对于输入的目标膜厚±1％以内的情况。

cpu112在步骤s5中判定为sin膜的膜厚为目标膜厚的允许范围内的膜厚的情况下，结束调整处理。cpu112在步骤s5中判定为sin膜的膜厚不是目标膜厚的允许范围内的膜厚的情况下，执行制程最优化计算(步骤s6：计算工序)。在制程最优化计算中，基于步骤s4中接收到的sin膜的膜厚、模型存储部102所存储的温度-膜厚模型和周期个数-膜厚模型、以及记录存储部105所存储的加热器60的温度的实际测量值，来计算使膜厚成为目标膜厚的各区带中的晶圆w的温度和ald的周期个数。此时，如前所述，也可以根据用途使用线性规划法、二次规划法等最优化算法。另外，基于模型存储部102所存储的热模型来计算加热器60的设定温度以使晶圆w的温度成为根据工艺模型等计算出的晶圆w的温度。另外，例如基于制程存储部104所存储的加热器60的设定温度、以及记录存储部105所存储的加热器60的温度的实际测量值和加热器60的功率的实际测量值来调整加热器60的设定温度以避免加热器60的功率饱和。

接下来，cpu112将读出的工艺用制程的加热器60的设定温度和ald的周期个数更新为步骤s6中计算出的加热器60的设定温度和ald的周期个数(步骤s7)，返回步骤s2。工艺用制程的更新既可以覆盖既存的工艺用制程，也可以与既存的工艺用制程分开地制作新的工艺用制程。

(实施例)

以下，在实施例中具体地说明本公开，但是不是将本公开限定地解释为实施例。

图4是示出调整处理前与调整处理后的各区带中的加热器的设定温度的图，横轴表示区带，纵轴表示加热器的设定温度(℃)。图5是示出调整处理前与调整处理后的ald的周期个数(次数)的图。图6是示出调整处理前与调整处理后的各区带中的sin膜的膜厚的图，横轴表示区带，纵轴表示膜厚(nm)。图7是示出调整处理前与调整处理后的sin膜的膜厚的面间均匀性(±％)的图。此外，在图4至图7中，利用“前(before)”表示调整处理前的设定值和实际测量值，利用“第一次(1st)”表示第一次调整处理后的设定值和实际测量值，利用“第二次(2nd)”表示第二次调整处理后的设定值和实际测量值。

首先，如图4和图5所示，将加热器60a～60g的设定温度设为600℃，将ald的周期个数设为306次(参照图4和图5的“前”)，在晶圆w上形成sin膜，测定出形成的sin膜的膜厚。此外，目标膜厚、成膜气体、工艺模型以及记录信息如下所示。

(成膜条件)

·目标膜厚：30.0nm

·成膜气体：dcs气体(2slm、25秒/周期)、nh3气体(20slm、35秒/周期)

·工艺模型：温度-膜厚模型、周期个数-膜厚模型

·记录信息：加热器60的温度的实际测量值、加热器60的功率的实际测量值

如图6所示，sin膜的膜厚在所有区带(区带1～7)中均是比目标值(30nm)厚的值。另外，如图7所示，sin膜的膜厚的面间均匀性是±1.5％左右。

接下来，使用sin膜的膜厚的测定结果，进行前述的调整处理(以下称为“第一次调整处理”。)，计算出加热器60的设定温度和ald的周期个数。另外，以被更新为计算出的加热器60的设定温度和ald的周期个数的成膜条件(参照图4和图5的“第一次”)，在晶圆w上形成sin膜，测定出形成的sin膜的膜厚。

如图6所示，第一次调整处理后形成的sin膜的膜厚是比调整处理前形成的sin膜的膜厚更接近目标值的值。另外，如图7所示，第一次调整处理后形成的sin膜的膜厚的面间均匀性比调整处理前形成的sin膜的膜厚的面间均匀性有所改善，是±0.3％左右。

接下来，使用第一次调整处理后的sin膜的膜厚的测定结果，进行前述的调整处理(以下称为“第二次调整处理”。)，计算出加热器60的设定温度和ald的周期个数。另外，以被更新为通过第二次调整处理计算出的加热器60的设定温度和ald的周期个数的成膜条件(参照图4和图5的“第二次”)在晶圆w上形成sin膜，测定出形成的sin膜的膜厚。

如图6所示，第二次调整处理后形成的sin膜的膜厚是比第一次调整处理后形成的sin膜的膜厚更接近目标值的值。另外，如图7所示，第二次调整处理后形成的sin膜的膜厚的面间均匀性比第一次调整处理后形成的sin膜的膜厚的面间均匀性有所改善，是±0.2％左右。

这样，通过进行本实施方式的调整处理，能够易于计算最优成膜条件。具体地说，在实施例中，能够通过进行两次调整处理来在所有区带(区带1～7)中获得与目标膜厚大致同等的膜厚。

如以上所说明那样，在本实施方式中，控制装置100基于通过制程存储部104所存储的工艺用制程而形成的膜的特性的测定结果、模型存储部102所存储的工艺模型以及记录存储部105所存储的记录信息，来计算满足设为目标的膜的特性的成膜条件。由此，即使是关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验少的操作者也能够容易地计算在晶圆w形成基于ald的膜的最优成膜条件。另外，能够缩短直到计算出最优成膜条件为止所需的时间。

以上，利用上述实施例对控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及程序进行了说明，但是本公开不限定于上述实施例，在本公开的范围内能够进行各种变形和改良。

在本实施方式中，对通过制程最优化计算来调整加热器60的设定温度和ald的周期个数的方式进行了说明，但是并不限定于此，例如也可以调整加热器60的设定温度和ald的周期个数中的任一个。另外，也可以调整从其它成膜条件、例如成膜气体的流量、成膜气体的供给时间、处理容器4内的压力、吹扫气体的供给时间、晶圆舟48的转速(旋转速度)中选择出的一个成膜条件。并且，也可以同时调整从这些成膜条件中选择出的多个成膜条件。

另外，在本实施方式中，由载置于晶圆舟48的多个晶圆w构成一个批次，举出以一个批次为单位进行成膜处理的批次式的装置作为例子进行了说明，但是并不限定于此。例如既可以是对载置在保持件上的多个晶圆w一并进行成膜处理的半批次式的装置，也可以是一个一个地进行成膜处理的单片式的装置。

另外，在本实施方式中，列举由对基板处理装置的动作进行控制的控制装置100进行调整处理的情况作为例子进行了说明，但是并不限定于此，例如也可以通过对多个装置进行统一管理的控制装置(群控制器)、主计算机进行。

另外，在本实施方式中，作为控制对象的一例，列举形成的膜的膜厚作为例子进行了说明，但是并不限定于此，例如也可以是形成的膜的杂质浓度、薄层电阻、反射率等特性。

从上述的内容可以理解的是，本公开的各种实施例是出于说明的目的而记载的，另外，能够不脱离本公开的范围和思想地进行各种变形。因而，此处公开的各种实施例不是对通过各权利要求指定的实质性的范围和思想进行限制。