用于控制晶片内工艺均匀性的方法和装置与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月24日提交的美国临时申请no.62/312,638的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

本公开涉及衬底处理，更具体地涉及用于控制工艺材料分布的系统和方法。

背景技术：

这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的程度上，目前署名的发明人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于蚀刻衬底(例如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(rf)等离子体可以用于激活化学反应。

气体分配装置(例如，喷头)布置在衬底支撑件的上方，在气体分配装置和衬底之间具有固定的间隙。气体分配装置在各种工艺步骤期间将化学反应物分布在衬底的表面上。

技术实现要素：

衬底处理系统包括气体分配装置，所述气体分配装置布置成将工艺气体分配在布置在具有上室区域和下室区域的衬底处理室中的衬底的表面上。衬底支撑件布置在所述衬底处理室的所述下室区域中，位于所述气体分配装置下方。圈布置在所述衬底处理室的所述下室区域，位于所述气体分配装置下方且在所述衬底支撑件上方。所述圈设置成围绕所述气体分配装置的面板和在所述气体分配装置与所述衬底支撑件之间的区域，并且在所述衬底支撑件和所述圈之间限定间隙。

具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：

1.一种衬底处理系统，其包括：

气体分配装置，其被布置成将工艺气体分配在布置在具有上室区域和下室区域的衬底处理室中的衬底的表面上；

衬底支撑件，其被布置在所述衬底处理室的在所述气体分配装置下方的所述下室区域中；以及

圈，其被布置在所述衬底处理室的所述下室区域内，位于所述气体分配装置下方且在所述衬底支撑件上方，其中所述圈被布置成围绕(i)所述气体分配装置的面板和(ii)所述气体分配装置和所述衬底支撑件之间的区域，并且其中在所述衬底支撑件和所述圈之间限定间隙。

2.根据条款1所述的衬底处理系统，其中所述圈被配置为被选择性地升高和降低。

3.根据条款2所述的衬底处理系统，其中所述圈包括内圈和外圈。

4.根据条款3所述的衬底处理系统，其中所述内圈和所述外圈被配置为被独立地升高和降低。

5.根据条款2所述的衬底处理系统，其还包括控制器，所述控制器选择性地控制致动器以升高和降低所述圈。

6.根据条款5所述的衬底处理系统，其中所述控制器选择性地升高和降低所述圈以调节所述圈相对于所述处理室的上表面的高度。

7.根据条款5所述的衬底处理系统，其中所述控制器选择性地升高和降低所述圈以调节所述圈的下边缘和所述衬底的上表面之间的距离。

8.根据条款5所述的衬底处理系统，其中所述控制器基于在所述衬底处理系统中使用的选定的配方而选择性地升高和降低所述圈。

9.根据条款1所述的衬底处理系统，其中所述衬底支撑件被配置为被升高和降低。

10.根据条款9所述的衬底处理系统，其还包括控制器，所述控制器选择性地控制致动器以升高和降低衬底支撑件。

11.根据条款10所述的衬底处理系统，其中，所述控制器选择性地升高和降低所述衬底支撑件，以调整限定在所述衬底支撑件和所述圈之间的间隙。

12.根据条款10所述的衬底处理系统，其中所述控制器基于在所述衬底处理系统中使用的选定的配方而选择性地升高和降低所述衬底支撑件。

13.根据条款1所述的衬底处理系统，其中所述圈的直径大于所述面板的直径。

14.根据条款1所述的衬底处理系统，其还包括所述圈的下边缘和所述衬底支撑件的上表面之间的间隙。

15.根据条款1所述的衬底处理系统，其中所述圈的高度为约0.8英寸。

从详细描述、权利要求和附图，本公开的其他适用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅意图用于说明的目的，并且不旨在限制本公开的范围。

附图说明

从详细描述和附图将更全面地理解本公开，其中：

图1是没有流动控制特征(flow-controllingfeature)的示例性处理室；

图2a示出了没有流动控制特征的处理室中的示例性流动分布(flowdistribution)；

图2b示出了没有流动控制特征的处理室中的流动分布中的示例性不均匀百分比；

图3a、3b和3c示出了没有流动控制特征的处理室中的流动模式(flowpattern)；

图4是根据本公开的包括流动控制特征的示例性处理室的功能框图；

图5是根据本公开的包括流动控制特征的示例性处理室；

图6a示出了根据本公开的包括流动控制特征的处理室中的针对第一配方的示例性流动分布；

图6b示出了根据本公开的包括流动控制特征的处理室中的针对第一配方的流动分布中的示例性不均匀百分比；

图7a示出了根据本公开的包括流动控制特征的处理室中的针对第二配方的示例性流动分布；

图7b示出了根据本公开的包括流动控制特征的处理室中的针对第二配方的流动分布中的示例性不均匀百分比；

图8a示出了根据本公开的包括流动控制特征的处理室中的针对第三配方的示例性流动分布；

图8b示出了包括根据本公开的流动控制特征的处理室中的针对第三配方的流动分布中的示例性不均匀百分比；

图9a和9b示出了根据本公开的包括可调节环形圈(annularring)的示例性衬底处理室；以及

图10示出了根据本公开的示例性衬底处理方法的步骤。

在附图中，附图标记可以重复使用以标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

衬底处理系统中的气体分配装置(例如，喷头)在衬底的表面上分配化学反应物(例如气体)。衬底布置在气体分配装置下方的衬底支撑件上。通常，气体分配装置包括具有多个开口或孔的面板，以用于分配从面板上方提供的气体。气体分配受各种因素影响，各种因素包括但不限于：开口的尺寸和密度、面板上方的流动均匀性、正被提供的工艺气体混合物、气体流量(如流速)等。

气体在衬底上的均匀分布显著影响正在进行的工艺步骤的精度和效率。因此，可以实施各种特征以控制气体的分布，从而改善处理。在一些示例中，面板可以是可互换的。例如，针对特定的处理，可以选择并安装具有期望的孔图案、孔尺寸等的面板。然而，在处理和/或处理步骤之间更换面板可能会导致生产率的下降、延长的停机时间、增加的维护和清洁等。

根据本公开的原理的系统和方法在处理室内在面板下方提供流动控制特征(例如，环形圈或其他屏障)，并且选择性地调整衬底支撑件的高度以控制衬底的上表面与流动控制特征之间的有效间隙。尽管这里描述为环形圈，但是流动控制特征可以具有其它合适的形状。

现在参考图1，示例性衬底处理室10包括气体分配装置(诸如喷头14)。喷头14经由入口18接收一种或多种气体，并将气体分配到包括衬底(例如晶片)22的反应体积中。喷头14经由面板26分配气体。气体可以经由出口30从室10排出。如图所示，喷头14不包括根据本公开的原理的流动控制特征。

图2a示出了在衬底处理室10中提供的相应配方的在衬底22的表面上方大约0.1英寸处的不同流动分布(例如，表示为由平均速度归一化的局部速度)。速度随着距衬底22的中心的径向距离的增加(例如，从0到150mm)而变化。对应于n2o+o2+cf4的配方的流动分布示于34，对应于cf4和h2+nf3的配方的流动分布示于38。对于34，在衬底22的中心处的流速相对较高，而然后在衬底22的边缘处的流速急剧下降。相反，对于38，在衬底的内部区域中的流速相对均匀，在距中心约120mm处增加到峰值，然后在衬底22的边缘处急剧下降。因此，流动分布显示为因工艺配方的不同而变化。图2b示出了针对各配方的流动分布中的不均匀百分比(nu(％))。

图3a、3b和3c示出了各个配方的流动模式。n2o+o2+cf4的流动模式42包括喷头14内的死区(deadzone)。这些死区防碍气体在喷淋头14内均匀地扩散，并因此干扰来自面板26的均匀分布。相反，cf4和h2+nf3的流动模式44和48分别仅包括入口18下方的相对小的死区。因此，流动模式44和48在喷头14内相对均匀。

现在参考图4，示出了根据本公开的用于蚀刻衬底的层(仅作为示例，钨或w层)的衬底处理室100的示例。虽然示出和描述了特定的衬底处理室，但是本文描述的方法可以在其他类型的衬底处理系统上实现。

衬底处理室100包括下室区域102和上室区域104。下室区域102由室侧壁表面108、室底表面110和气体分配装置114的下表面限定。

上室区域104由气体分配装置114的上表面和圆顶118的内表面限定。在一些示例中，圆顶118搁置在第一环形支撑件121上。在一些示例中，第一环形支撑件121包括用于将工艺气体输送到上室区域104的一个或多个间隔开的孔123，如下面将进一步描述的。在一些示例中，工艺气体通过一个或多个间隔开的孔123以相对于包括气体分配装置114的平面成锐角的向上方向输送，但也可以使用其它角度/方向。在一些示例中，第一环形支撑件121中的气体流动通道134向一个或多个间隔开的孔123供应气体。

第一环形支撑件121可以搁置在第二环形支撑件125上，第二环形支撑件125限定用于将工艺气体从气体流动通道129输送到下室区域102的一个或多个间隔开的孔127。在一些示例中，气体分配装置114中的孔131与孔127对准。在其他示例中，气体分配装置114具有较小的直径，并且不需要孔131。在一些示例中，工艺气体通过一个或多个间隔开的孔127以相对于包括气体分配装置114的平面成锐角的朝向衬底的向下方向输送，但也可以使用其它角度/方向。

在其他示例中，上室区域104是具有平坦顶表面的圆筒形，并且可以使用一个或多个平坦的感应线圈。在其他示例中，单个室可以与位于喷头和衬底支撑件之间的间隔件(spacer)一起使用。

衬底支撑件122布置在下室区域102中。在一些示例中，衬底支撑件122包括静电卡盘(esc)，但是可以使用其他类型的衬底支撑件。在蚀刻期间，衬底126布置在衬底支撑件122的上表面上。在一些示例中，衬底126的温度可以由加热板132、具有流体通道的可选冷却板、以及一个或多个传感器(未示出)和/或任何其他合适的衬底支撑件温度控制系统和方法来控制。

在一些示例中，气体分配装置114包括喷头(例如，具有多个间隔开的孔133的板128)。多个间隔开的孔133从板128的上表面延伸到板128的下表面。在一些示例中，间隔开的孔133具有在0.4”至0.75”范围内的直径，并且喷头由导电材料(诸如铝)或具有由导电材料制成的嵌入电极的非导电材料(诸如陶瓷)制造。

一个或多个感应线圈140围绕圆顶118的外部部分布置。当通电时，一个或多个感应线圈140在圆顶118内部产生电磁场。在一些示例中，使用上线圈和下线圈。气体注射器142从气体输送系统150-1注射一种或多种气体混合物。

在一些示例中，气体输送系统150-1包括一个或多个气体源152、一个或多个阀154、一个或多个质量流动控制器(mfc)156、和混合歧管158，但是可以使用其它类型的气体输送系统。气体分流器(未示出)可以用于改变气体混合物的流速。(除了来自气体注射器142的蚀刻气体或者代替来自气体注射器142的蚀刻气体)还可以使用另一气体输送系统150-2来向气体流动通道129和/或134供应蚀刻气体或蚀刻气体混合物。

在于2015年12月4日提交的名称为“gasdeliverysystem”的共同转让的美国专利申请序列no.14/945,680中示出并描述了合适的气体输送系统，其全部内容通过引用并入本文。在于2016年1月7日提交的名称为“substrateprocessingsystemwithmultipleinjectionpointsanddualinjector”的共同转让的美国临时专利申请序列no.62/275,837中示出和描述了合适的单气体注射器或双气体注射器和其它气体注射位置，其全部内容通过引用并入本文。

在一些示例中，气体注射器142包括沿向下方向引导气体的中心注射位置和以相对于向下方向成角度注射气体的一个或多个侧注射位置。在一些示例中，气体输送系统150-1将气体混合物的第一部分以第一流速输送到中心注射位置，以及将气体混合物的第二部分以第二流速输送到气体注射器142的一个或多个侧注射位置。在其他示例中，由气体注射器142输送不同的气体混合物。在一些示例中，气体输送系统150-1将调谐气体输送到气体流动通道129和134和/或输送到处理室中的其它位置，如在下面将描述的。

等离子体发生器170可以用于产生输出到一个或多个感应线圈140的rf功率。等离子体190在上室区域104中产生。在一些示例中，等离子体发生器170包括rf发生器172和匹配网络174。匹配网络174将rf发生器172的阻抗与一个或多个感应线圈140的阻抗匹配。在一些示例中，气体分配装置114连接到诸如地之类的参考电位。阀178和泵180可以用于控制下室区域102和上室区域104内部的压力并且用于抽空反应物。

控制器176与气体输送系统150-1和150-2、阀178、泵180和/或等离子体发生器170连通，以控制工艺气体的流动、吹扫气体、rf等离子体和室压力。在一些示例中，通过一个或多个感应线圈140在圆顶118内维持等离子体。使用气体注射器142(和/或孔123)从室的顶部引入一种或多种气体混合物，并且使用气体分配装置114将等离子体限制在圆顶118内。

将等离子体限制在圆顶118内使得等离子体物质和通过气体分配装置114流出的所需蚀刻剂物质能够体积复合(volumerecombination)。在一些示例中，没有rf偏置施加到衬底126。结果，在衬底126上不存在活性鞘，并且离子不以任何有限的能量撞击衬底。某些数量的离子将通过气体分配装置114扩散出等离子体区域。然而，扩散的等离子体的量的数量级比位于圆顶118内部的等离子体低。等离子体中的大多数离子在高压下通过体积复合而损失。气体分配装置114的上表面处的表面复合损失也降低气体分配装置114下方的离子密度。

在其他示例中，提供rf偏置发生器184，并且rf偏置发生器184包括rf发生器186和匹配网络188。rf偏置可以用于在气体分配装置114和衬底支撑件之间产生等离子体，或者在衬底126上产生自偏置以吸引离子。控制器176可以用于控制rf偏置。

根据本公开的原理的衬底处理室100包括流动控制特征(诸如环形圈192)。可以调节圈192的特性(例如，直径、高度等)以及衬底126距气体分配装置114的距离，以控制各种配方的流动分布。在一个示例中，可以为所需的配方选择并安装特定的圈192。在其他示例中，可以调节圈192的直径和/或高度，如下更详细地描述的。此外，衬底支撑件122可以被配置为选择性地升高和降低。

现在参考图5，根据本公开原理的示例性衬底处理室200包括气体分配装置(诸如喷头204)。喷头204经由入口208接收一种或多种气体，并将气体分配到包括衬底(例如，晶片)212的反应体积中。喷头204经由面板216分配气体。气体可以经由出口220从室200排出。室200包括环形圈224，环形圈224具有高度h(对应于从面板216到圈224的底部边缘的距离)和距离d(对应于离衬底212和圈224的中心的径向距离)。在一些示例中，响应于控制器232的致动器228可以用于选择性地升高和降低衬底支撑件236。以这种方式，衬底支撑件236的高度可以被调节以控制衬底212的上表面和圈224之间的有效间隙。例如，有效间隙可以根据参数(例如，处理室化学物质和流速、衬底特性、其它室特性(例如温度)等)而变化。

图6a示出了包括圈224的衬底处理室200中的示例配方(例如，n2o+o2+cf4)的不同流动分布(例如，表示为由平均速度归一化的局部速度)。流动分布对应于具有相同直径和距离d但具有从0.0英寸(即等效于无圈)调节至1.5英寸的高度h的圈。流动分布228、232、236、240和244分别对应于0.0英寸、0.8英寸、1.0英寸、1.2英寸和1.5英寸的圈高度。图6b示出了针对环形圈224的不同高度的流动分布中的不均匀百分比(nu(％))。因此，如图所示，对于这个示例配方，0.8英寸的圈高度对应于最均匀的流动分布和最低的nu(％)。

图7a示出了包括圈224的衬底处理室200中的另一示例配方(例如，cf4)的不同流动分布(例如，表示为由平均速度归一化的局部速度)。流动分布对应于具有相同的直径和距离d但是具有从0.0英寸(即相当于无圈)调节到1.5英寸的高度h的圈。流动分布248、252、256、260和264分别对应于0.0英寸、0.8英寸、1.0英寸、1.2英寸和1.5英寸的圈高度。图7b示出了针对环形圈224的不同高度的流动分布中的不均匀百分比(nu(％))。因此，如图所示，对于这个示例配方，0.8英寸的圈高度对应于最均匀的流动分布和最低的nu(％)。

图8a示出了包括圈224的衬底处理室200中的另一示例配方(例如，h2+nf3)的不同流动分布(例如，表示为由平均速度归一化的局部速度)。流动分布对应于具有相同的直径和距离d但是具有从0.0英寸(即相当于无圈)调节到1.5英寸的高度h的圈。流动分布268、272、276、280和284分别对应于0.0英寸、0.8英寸、1.0英寸、1.2英寸和1.5英寸的圈高度。图8b示出了针对环形圈224的不同高度的流动分布中的不均匀百分比(nu(％))。因此，如图所示，对于这个示例配方，0.8英寸的圈高度对应于最均匀的流动分布以及最低的nu(％)。

因此，如图6、图7和图8所示，可以通过结合环形圈224并调节圈224的高度来控制衬底212的表面上的流动分布。流动分布的附加调整可以通过(例如，在其中诸如esc之类的衬底支撑件被配置为升高和降低的示例中)调整衬底支撑件的高度来执行。在一些示例中，圈224具有约0.8英寸或20mm(例如，在0.7和0.9英寸之间、或在18和23mm之间)的高度。

图9a和9b分别示出了包括可调节环形圈304和308的示例性衬底处理室300的部分。圈304和308可以被构造成相对于衬底支撑件312在竖直方向上升高和降低。例如，室300的上表面316可以包括布置成接收圈304和308的孔(例如，环形槽)320。

如图9a所示，致动器324被布置成(例如，响应于从控制器328接收的控制信号而)选择性地升高和降低圈304。例如，致动器324将圈304从室300升高到槽320中以降低圈304的高度。相反，致动器324将圈304经由槽320降低到室300中，以增加圈304的高度。

如图9b所示，圈308包括多个圈，仅作为示例，内圈332和外圈336。相应致动器340和344被布置成(例如，响应于从控制器328接收的控制信号而)选择性地升高和降低圈332和336。例如，当外圈336升高(例如使得外圈336的下边缘与上表面316齐平)时，内圈332可以下降到室300中。在这种布置中，圈308具有第一直径。相反，当外圈336下降到室300中时，内圈332可以升高。在这种布置中，圈308具有大于第一直径的第二直径。因此，可以选择性地调节圈308的高度和直径。

控制器328可以根据选择的配方、处理步骤、从用户得到的输入等选择性地升高和降低圈304和308。例如，控制器328可以存储通过期望的圈高度和/或直径索引各种配方、工艺、步骤等数据(例如，查找表)。因此，当选定特定配方时，控制器328根据所选配方的期望高度和/或直径有选择地升高和降低圈304和308。

现在参考图10，根据本公开的示例性衬底处理方法400从404开始。在408处，衬底被布置在衬底处理室中的衬底支撑件上。在412处，方法400调节衬底和围绕室中的气体分配装置布置的圈(例如圈224、圈304等)之间的有效间隙。例如，控制器(例如，控制器232)根据要在衬底上执行的所选配方或配方步骤来调整衬底支撑件236的高度以获得第一有效间隙。在其他示例中，控制器328调整圈304的高度以获得第一有效间隙。在416，方法400根据所选择的配方或配方步骤开始处理衬底。

在420，方法400确定是否调整有效间隙。例如，控制器232或328可以基于配方、改变衬底处理室内的条件、用户输入等来确定是否分别调整衬底支撑件236或圈304的高度以获得第二有效间隙。如果为真，则方法400继续到424。如果为假，则方法400继续到428。在424，方法400将有效间隙调整到第二有效间隙并继续到416。

在428，方法400确定衬底的处理是否完成。如果为真，方法400以432结束。如果为假，则方法400继续到420。

前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方式的特征中实现和/或与任何其它实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的置换保持在本公开的范围内。

使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上方”、“在...下方”和“设置”。在上述公开中描述这种关系时，除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。

在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，任何工艺包括工艺气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)发生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、进出工具和其他输送工具和/或连接到特定系统或与特定系统接口的装载锁的晶片输送。

概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用终点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式输送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或在晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分中，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、从多个制造操作研究趋势或性能度量，以改变当前处理的参数、设置要跟随当前处理的处理步骤、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户接口，然后将该参数和/或设置从远程计算机输送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个离散控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)定位的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。

示例系统可以包括但不限于：等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。