技术总结
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的灯具。发光二极管包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内设有与n型半导体层连接的n型电极层，p型半导体层的上端面连接有p型电极层；p型半导体层的上端面设有多个用于辅助光线射出的凸起，凸起包括一出光斜面，该出光斜面与竖直方向的夹角为a，a为锐角。本发明通过在p型半导体层的上端面设置多个凸起，使得光子在出射时，通过出光斜面可以提高出光率。提高发光二极管的光利用率。
技术研发人员：尹宁宁;肖伊茜;肖伊一
受保护的技术使用者：蒋雪娇
文档号码：201710263217
技术研发日：2017.04.21
技术公布日：2017.09.29