技术总结
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、增透层、电子阻挡层和p型GaN层，增透层包括层叠设置在发光层上的一层InN层和一层Mg3N2层，或者增透层包括交替层叠设置的多层InN层和多层Mg3N2层，由于InN材料和Mg3N2材料具有表面粗糙的特性，因此光线会在InN层和Mg3N2层的界面处进行漫反射，减少光线在增透层和电子阻挡层的界面处发生全反射的光的比例，同时不需要对电子阻挡层进行粗化处理，避免了对电子阻挡层进行粗化处理过程复杂，容易出现电子阻挡层表面的颗粒过大、粗化不均匀的问题。
技术研发人员：张宇;马欢;肖云飞
受保护的技术使用者：华灿光电(苏州)有限公司
文档号码：201710289736
技术研发日：2017.04.27
技术公布日：2017.09.29