本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。
背景技术
mos(金属-氧化物-半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一。mos晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏掺杂区。
随着半导体技术的发展，传统的平面式的mos晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(finfet)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。
然而，现有技术中鳍式场效应晶体管的电学性能仍有待提高。
技术实现要素：
本发明解决的问题是提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，以提高鳍式场效应晶体管的电学性能。
为解决上述问题，本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述鳍部的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区；在所述半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层中具有暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口；在所述开口的侧壁和底部形成目标功函数层，所述目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，目标功函数层第一目标区具有第一有效功函数值，目标功函数层第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。
可选的，所述鳍部的底部宽度大于所述鳍部的顶部宽度。
可选的，在平行于鳍部侧壁且垂直于鳍部延伸方向上，所述第一目标区的尺寸和所述第二目标区的尺寸之比为2:5～3:5。
可选的，当所述鳍式场效应晶体管的类型为p型时，所述目标功函数层第一目标区的材料为tin、tic或mon，所述目标功函数层第二目标区的材料分别对应为掺杂有改性离子的tin、tic或mon。
可选的，当所述鳍式场效应晶体管的类型为n型时，所述目标功函数层第一目标区的材料为tial或taal，所述目标功函数层第二目标区的材料分别对应为掺杂有改性离子的tial或taal。
可选的，形成所述目标功函数层的方法包括：在所述开口的侧壁和底部形成初始功函数层，初始功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一初始区和仅覆盖第二侧壁区的第二初始区，初始功函数层具有第一有效功函数值；采用离子注入工艺在初始功函数层第二初始区、以及位于鳍部顶部表面上的初始功函数层中注入改性离子，使初始功函数层形成目标功函数层，初始功函数层第一初始区形成目标功函数层第一目标区，初始功函数层第二初始区形成目标功函数层的第二目标区；所述离子注入工艺具有注入方向，所述注入方向与半导体衬底表面法线之间具有第一注入夹角，所述注入方向与鳍部延伸方向之间具有第二注入夹角。
可选的，所述初始功函数层的材料为tin、tic或mon；所述改性离子为n离子、f离子、c离子或as离子。
可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为n离子，注入能量为2.5kev～4.5kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为f离子，注入能量为3kev～5kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为c离子，注入能量为2kev～4kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为as离子，注入能量为8kev～11kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
可选的，所述初始功函数层的材料为tial或taal；所述改性离子为al离子或ga离子。
可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为al离子，注入能量为6kev～8kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为ga离子，注入能量为7kev～10kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
本发明还提供一种鳍式场效应晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述鳍部的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区；位于半导体衬底和鳍部上的层间介质层，所述层间介质层中具有暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口；位于所述开口的侧壁和底部的目标功函数层，所述目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，目标功函数层第一目标区具有第一有效功函数值，目标功函数层第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。
可选的，所述鳍部的底部宽度大于所述鳍部的顶部宽度。
可选的，在平行于鳍部侧壁且垂直于鳍部延伸方向上，所述第一目标区的尺寸和所述第二目标区的尺寸之比为2:5～3:5。
可选的，当所述鳍式场效应晶体管的类型为p型时，所述目标功函数层第一目标区的材料为tin、tic或mon，所述目标功函数层第二目标区的材料分别对应为掺杂有改性离子的tin、tic或mon。
可选的，当所述鳍式场效应晶体管的类型为n型时，所述目标功函数层第一目标区的材料为tial或taal，所述目标功函数层第二目标区的材料分别对应为掺杂有改性离子的tial或taal。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的鳍式场效应晶体管的形成方法中，在所述开口的侧壁和底部形成目标功函数层，所述目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，目标功函数层第一目标区具有第一有效功函数值，目标功函数层第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。由于第一有效功函数值较小，因此增加了鳍部中底部区域的开启电压。而较大的开启电压能够抑制关态漏电流，且鳍式场效应晶体管的关态漏电流主要集中在鳍部中底部区域，因此使得鳍式场效应晶体管的关态漏电流减小。由于第二有效功函数值较大，因此减小了鳍部中顶部区域的开启电压。而在驱动电压不变的情况下，较小的开启电压有利于提高驱动电流，且鳍式场效应晶体管的驱动电流主要集中在鳍部中顶部区域，因此使得鳍式场效应晶体管的驱动电流增加。综上，提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。
本发明技术方案提供的鳍式场效应晶体管中，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。由于第一有效功函数值较小，因此增加了鳍部中底部区域的开启电压，使得鳍式场效应晶体管的关态漏电流减小。由于第二有效功函数值较大，因此减小了鳍部中顶部区域的开启电压，因此使得鳍式场效应晶体管的驱动电流增加。综上，提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。
附图说明
图1至图9是本发明一实施例中鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术形成的鳍式场效应晶体管的电学性能有待提高。
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层中具有开口，所述开口暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口；在所述开口的侧壁和底部形成功函数层；在所述开口中形成位于功函数层上的栅电极层。
然而，上述方法形成的鳍式场效应晶体管的电学性能较差，经研究发现，原因在于：
受到形成鳍部的刻蚀工艺的影响，所述鳍部的底部宽度大于所述鳍部的顶部宽度。所述底部宽度和顶部宽度均指的是平行于半导体衬底且垂直于鳍部延伸方向上的尺寸。在鳍部中底部区域，鳍部中的耗尽层在平行于鳍部宽度方向由鳍部侧壁向鳍部内的深度占据鳍部宽度的比例较小，从而使得关态下鳍部中底部区域，沟道区的可移动的载流子较多，因此鳍式场效应晶体管的关态漏电流主要存在于鳍部底部区域。
为了减小鳍式场效应晶体管的关态漏电流，一种方法是采用有效功函数值较低的功函数层材料，使鳍部中底部区域的开启电压较大，鳍部中底部区域不易开启。然而，采用有效功函数值较低的功函数层材料会导致鳍部中顶部区域的开启电压也增加。而鳍式场效应晶体管的驱动电流主要受到鳍部中顶部区域开启电压的影响，具体的，在驱动电压不变的情况下，鳍部中顶部区域的开启电压越大，驱动电流越小。因此导致鳍式场效应晶体管的驱动电流减小。
综上，不能同时降低鳍式场效应晶体管的关态漏电流且提高鳍式场效应晶体管的驱动电流。
为了解决上述问题，本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：形成目标功函数层，所述目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，目标功函数层第一目标区具有第一有效功函数值，目标功函数层第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第二有效功函数值大于第一有效功函数值。所述方法增加了鳍部中底部区域的开启电压，使得鳍式场效应晶体管的关态漏电流减小。其次，减小了鳍部中顶部区域的开启电压，使鳍式场效应晶体管的驱动电流增加。综上，提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图9是本发明一实施例中鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。
结合参考图1和图2，图2为沿图1中切割线m-m1的剖面图，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100上具有鳍部110。
所述半导体衬底100为形成鳍式场效应晶体管提供工艺平台。
本实施例中，所述半导体衬底100的材料为单晶硅。所述半导体衬底100还可以是多晶硅或非晶硅。所述半导体衬底100的材料还可以为锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料。
本实施例中，所述鳍部110通过图形化所述半导体衬底100而形成。在其它实施例中，可以是：在所述半导体衬底上形成鳍部材料层，然后图形化所述鳍部材料层，从而形成鳍部。
所述鳍部110的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区。
本实施例中，在平行于鳍部110侧壁且垂直于鳍部110延伸方向上，所述第一侧壁区的尺寸和所述第二侧壁区的尺寸之比为2:5～3:5。
本实施例中，受到形成鳍部110的刻蚀工艺的影响，所述鳍部110的底部宽度大于所述鳍部110的顶部宽度。所述底部宽度和顶部宽度均指的是平行于半导体衬底100且垂直于鳍部110延伸方向上的尺寸。
所述半导体衬底100上还具有隔离结构120，隔离结构120覆盖鳍部110的部分顶部表面和部分侧壁表面，隔离结构120的顶部表面低于鳍部110的顶部表面。
所述隔离结构120的材料包括氧化硅。
继续结合参考图1和图2，在所述半导体衬底100和鳍部110上形成伪栅极结构130；在所述半导体衬底100和鳍部110上形成层间介质层140，所述层间介质层140覆盖伪栅极结构130的侧壁且暴露出伪栅极结构130的顶部表面。
本实施例中，在形成层间介质层140之前，还在所述伪栅极结构130两侧的鳍部110中形成源漏掺杂区(未标示)。后续形成栅极结构后，源漏掺杂区位于栅极结构两侧的鳍部110中。
所述伪栅极结构130横跨所述鳍部110，覆盖鳍部110的部分顶部表面和部分侧壁表面。所述伪栅极结构130还位于隔离结构120上。
所述伪栅极结构130包括伪栅介质层131和位于伪栅介质层131上的伪栅电极层132。所述伪栅介质层131横跨所述鳍部110。所述伪栅介质层131位于隔离结构120部分表面、覆盖鳍部110的部分顶部表面和部分侧壁表面。
所述伪栅电极层132的材料为多晶硅。
若后续仅去除伪栅电极层132而形成开口，形成开口后，伪栅介质层131构成栅介质层。那么，所述伪栅介质层131的材料为高k(k大于3.9)介质材料。
若后续去除伪栅极结构130而形成开口，所述伪栅介质层131的材料为氧化硅。
本实施例中，以后续去除伪栅极结构130而形成开口为示例进行说明。
所述层间介质层140的材料为低k(k小于3.9)介质材料。
结合参考图3、图4和图5，图4为沿图3切割线m-m1的剖面图，图5为沿图3切割线m2-m3的剖面图，去除所述伪栅极结构130，在层间介质层140中形成开口150。
所述开口150暴露出鳍部110部分侧壁表面和部分顶部表面。
去除所述伪栅极结构130的工艺为干刻工艺、湿刻工艺或二者的结合。
接着，在所述开口150的侧壁和底部形成目标功函数层，所述目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部110顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，目标功函数层第一目标区具有第一有效功函数值，目标功函数层第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。
结合参考图6和图7，图6为在图4基础上的示意图，图7为在图5基础上的示意图，在所述开口150的侧壁和底部形成初始功函数层161，初始功函数层161包括仅覆盖第一侧壁区的第一初始区ⅰ和仅覆盖第二侧壁区的第二初始区ⅱ，初始功函数层161具有第一有效功函数值。在平行于鳍部110侧壁且垂直于鳍部110延伸方向上，所述第一初始区ⅰ的尺寸和所述第二初始区ⅱ的尺寸之比为2:5～3:5。
本实施例中，在形成初始功函数层161之前，还在所述开口150的侧壁和底部形成栅介质层160；形成初始功函数层161后，所述初始功函数层161位于栅介质层160上。
所述栅介质层160的材料为高k(k大于3.9)介质材料，如hfo2、la2o3、hfsion、hfalo2、zro2、al2o3、la2o3、hfsio4。
所述栅介质层160还位于层间介质层140上。
形成所述栅介质层160的工艺为沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、亚大气压化学气相沉积工艺或低压化学气相沉积工艺。
所述初始功函数层161还位于层间介质层140上。
形成所述初始功函数层161的工艺为沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、亚大气压化学气相沉积工艺或低压化学气相沉积工艺。
当所述鳍式场效应晶体管的类型为p型时，所述初始功函数层161的材料为p型功函数材料，具体的，所述初始功函数层161的材料为tin、tic或mon。
当所述鳍式场效应晶体管的类型为n型时，所述初始功函数层161的材料为n型功函数材料，具体的，所述初始功函数层161的材料为tial或taal。
在一个实施例中，初始功函数层161的厚度为5埃～40埃。
结合参考图8和图9，图8为在图6基础上的示意图，图9为在图7基础上的示意图，采用离子注入工艺在初始功函数层161第二初始区ⅱ、以及位于鳍部110顶部表面上的初始功函数层161中注入改性离子，使初始功函数层161形成目标功函数层170，初始功函数层161第一初始区ⅰ形成目标功函数层170第一目标区a，初始功函数层161第二初始区ⅱ形成目标功函数层170的第二目标区b。
在平行于鳍部110侧壁且垂直于鳍部110延伸方向上，所述第一目标区a的尺寸和所述第二目标区b的尺寸之比为2:5～3:5。
所述目标功函数层170第一目标区a具有第一有效功函数值，目标功函数层170第二目标区b、以及位于鳍部110顶部表面上的目标功函数层170具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。
当初始功函数层161的材料为p型功函数材料时，进行离子注入工艺后，初始功函数层161第二初始区ⅱ以及位于鳍部110顶部表面上的初始功函数层161由多晶结构转变为无定型结构，因此目标功函数层目标功函数层170第二目标区b以及位于鳍部110顶部表面上的目标功函数层170为无定型结构；或者：进行离子注入工艺后，目标功函数层170第二目标区b以及位于鳍部110顶部表面上的目标功函数层170的非晶化程度高于初始功函数层161的非晶化程度。从而使得目标功函数层170第二目标区b的费米能级相对于初始功函数层161的费米能级降低，进而使得目标功函数层170第二目标区b的功函数大于初始功函数层161的功函数，相应的，目标功函数层170第二目标区b的有效功函数值大于初始功函数层161的有效功函数值。
当初始功函数层161的材料为n型功函数材料时，进行离子注入工艺后，在初始功函数层161第二初始区ⅱ以及位于鳍部110顶部表面上的初始功函数层161中引入受主能级，使目标功函数层170第二目标区b的费米能级相对于初始功函数层161的费米能级较低，进而使得目标功函数层170第二目标区b的功函数大于初始功函数层161的功函数。相应的，目标功函数层170第二目标区b的有效功函数值大于初始功函数层161的有效功函数值。
当所述鳍式场效应晶体管的类型为p型时，所述目标功函数层170第一目标区a的材料为tin、tic或mon，所述目标功函数层170第二目标区b的材料分别对应为掺杂有改性离子的tin、tic或mon。
当所述鳍式场效应晶体管的类型为n型时，所述目标功函数层170第一目标区a的材料为tial或taal，所述目标功函数层170第二目标区b的材料分别对应为掺杂有改性离子的tial或taal。
当所述初始功函数层161的材料为tin、tic或mon时，所述改性离子为n离子、f离子、c离子或as离子。
当所述初始功函数层161的材料为tial或taal；所述改性离子为al离子或ga离子。
若所述离子注入工艺的注入能量过大，会穿过初始功函数层161第二初始区ⅱ以及穿过鳍部110顶部表面初始功函数层161而将大部分改性离子注入到鳍部110中；若所述离子注入工艺的注入能量过小，不能有效的将改性离子注入到初始功函数层161第二初始区ⅱ以及穿过鳍部110顶部表面初始功函数层161中。且不同的改性离子对应的原子质量不同。在相同的注入深度的情况下，原子质量较大的改性离子需要损耗的能量较大，故需要较大的注入能量。
若所述离子注入工艺的注入剂量过大，导致工艺浪费；若所述离子注入工艺的注入剂量过小，导致改性离子在目标功函数层170的第二目标区b和鳍部110顶部表面上的目标功函数层170中的浓度过低。
所述离子注入工艺具有注入方向，所述注入方向与半导体衬底100表面法线之间具有第一注入夹角，所述注入方向与鳍部110延伸方向之间具有第二注入夹角。在一定的注入深度的情况下，注入能量越大，需要的第二注入夹角越小。
所述第一注入夹角用于调节离子注入工艺将改性离子注入到第二初始区ⅱ，而部分改性离子受到层间介质层140的阻挡，因此不会将改性离子注入到第一初始区ⅰ。
在一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为n离子，注入能量为2.5kev～4.5kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
在另一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为f离子，注入能量为3kev～5kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
在又一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为c离子，注入能量为2kev～4kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
在又一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为as离子，注入能量为8kev～11kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
上述改性离子中，as离子相对于f离子对应的原子质量较大，f离子相对于n离子对应的原子质量较大，n离子相对于c离子对应的原子质量较大，因此，as离子的注入能量大于f离子的注入能量，f离子的注入能量大于n离子的注入能量，n离子的注入能量大于c离子的注入能量。
在一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为al离子，注入能量为6kev～8kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
在另一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为ga离子，注入能量为7kev～10kev，注入剂量为1e13atom/cm2～1e15atom/cm2，第一注入夹角为10度～40度，第二注入夹角为0度～15度。
上述改性离子中，ga离子相对于al离子对应的原子质量较大，因此，ga离子的注入能量大于al离子的注入能量。
所述改性处理的方法还包括：进行所述离子注入工艺后，进行退火处理。
所述退火处理的作用为：使得所述改性离子的分布更为均匀。
在所述目标功函数层170和鳍部110之间形成有栅介质层160。
形成所述目标功函数层170后，在所述开口150中形成栅电极层(未图式)。
所述栅电极层的材料为金属，如铜或钨。
所述栅电极层还位于层间介质层140上。
形成所述栅电极层的工艺为沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、亚大气压化学气相沉积工艺或低压化学气相沉积工艺。
本实施例中，还包括：平坦化所述栅电极层、目标功函数层170和栅介质层160直至暴露出层间介质层140的顶部表面。
本实施例中，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。由于第一有效功函数值较小，因此增加了鳍部110中底部区域的开启电压。而较大的开启电压能够抑制关态漏电流，且鳍式场效应晶体管的关态漏电流主要集中在鳍部110中底部区域，因此使得鳍式场效应晶体管的关态漏电流减小。由于第二有效功函数值较大，因此减小了鳍部110中顶部区域的开启电压。而在驱动电压不变的情况下，较小的开启电压有利于提高驱动电流，且鳍式场效应晶体管的驱动电流主要集中在鳍部110中顶部区域，因此使得鳍式场效应晶体管的驱动电流增加。综上，提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。
相应的，本实施例还提供一种采用上述方法形成的鳍式场效应晶体管，请继续结合参考图8和图9，半导体衬底100，所述半导体衬底100上具有鳍部110，所述鳍部110的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区；位于半导体衬底100和鳍部110上的层间介质层140，所述层间介质层140中具有暴露出鳍部110部分侧壁表面和部分顶部表面的开口150；位于所述开口150的侧壁和底部的目标功函数层170，所述目标功函数层170包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区a和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区b，第二目标区b和位于鳍部110顶部表面上的目标功函数层170中掺杂有改性离子，目标功函数层170第一目标区a具有第一有效功函数值，目标功函数层170第二目标区b、以及位于鳍部110顶部表面上的目标功函数层170具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。
所述半导体衬底100的材料参照前述内容。所述鳍部110的材料为位置参照前述内容。所述层间介质层140的材料参照前述内容。
所述鳍部110的底部宽度大于所述鳍部110的顶部宽度。
在平行于鳍部110侧壁且垂直于鳍部110延伸方向上，所述第一目标区a的尺寸和所述第二目标区b的尺寸之比为2:5～3:5。
当所述鳍式场效应晶体管的类型为p型时，所述目标功函数层170第一目标区a的材料为tin、tic或mon，所述目标功函数层170第二目标区b的材料分别对应为掺杂有改性离子的tin、tic或mon。
当所述鳍式场效应晶体管的类型为n型时，所述目标功函数层170第一目标区a的材料为tial或taal，所述目标功函数层170第二目标区b的材料分别对应为掺杂有改性离子的tial或taal。
需要说明的是，本发明中，对于p型功函数层和n型功函数层采用以下方式定义：
p型功函数层用于调节p型晶体管的阈值电压；n型功函数层用于调节n型晶体管的阈值电压。
提供pmos晶体管，所述pmos晶体管包括：第一半导体衬底；第一栅介质层，位于第一半导体衬底上，所述第一栅介质层的材料为高k介质层；第一功能层，位于所述第一栅介质层上；第一栅电极，位于所述第一功能层上。
所述第一栅介质层和第一功能层之间具有第一待测试功函数层，且所述第一待测试功函数层位于第一栅介质层表面，所述第一待测试功函数层具有第一预设厚度。
测试pmos晶体管的有效功函数值，当pmos晶体管的有效功函数值位于第一范围内时，得出第一待测试功函数层为p型功函数层。
具体的，在一个方法中，所述第一预设厚度为5埃～60埃。所述第一范围为4.6ev～5.2ev。
提供nmos晶体管，所述nmos晶体管包括：第二半导体衬底；第二栅介质层，位于第二半导体衬底上，所述第二栅介质层的材料为高k介质层；第二功能层，位于所述第二栅介质层上；第二栅电极，位于所述第二功能层上。
所述第二栅介质层和第二功能层之间具有第二待测试功函数层，且所述第二待测试功函数层位于第二栅介质层表面，所述第二待测试功函数层具有第二预设厚度。
测试nmos晶体管的有效功函数值，当nmos晶体管的有效功函数值位于第二范围内时，得出第二待测试功函数层为n型功函数层。
具体的，在一个方法中，所述第二预设厚度为5埃～60埃。所述第二范围为4.0ev～4.5ev。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。