技术总结
本发明提供了一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置。包括：在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板；形成薄膜晶体管的有源层；形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖有源层、源极、漏极及第一极板；在第一绝缘层上图案化形成薄膜晶体管的栅极及存储电容的第二极板；形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖栅极及第二极板；形成分别暴露薄膜晶体管电极和第一极板的两个过孔；形成像素电极层，像素电极层通过过孔分别与薄膜晶体管电极及第一极板电连接。本发明形成两个存储电容，在不减少开口率的基础上增大了电容存储量；并且有源层的表面不被刻蚀，避免有源层在刻蚀中产生缺陷，提高了阵列基板中薄膜晶体管特性的均一性。
技术研发人员：徐文清;刘明悬;王静;李小龙;郭会斌
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
文档号码：201710326074
技术研发日：2017.05.10
技术公布日：2017.09.15