1.一种金属互连结构的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一复合结构，于所述复合结构的上表面制备一基底，并于所述基底的上表面形成一凹槽或通孔；
步骤S2，制备一阻挡层覆盖所述基底的上表面以及所述凹槽的侧壁和底部，或制备一阻挡层覆盖所述基底的上表面以及所述通孔的侧壁；
步骤S3，制备一金属种子层覆盖所述阻挡层暴露出的表面；
步骤S4，以所述金属种子层为生长基础电镀形成一第一金属层覆盖所述阻挡层的表面；
步骤S5，于所述第一金属层的上表面覆盖一第二金属层；
步骤S6，于所述第二金属层的上表面覆盖一应力层形成复合薄膜；
步骤S7，对所述复合薄膜进行热退火工艺；
步骤S8，依次去除所述应力层、所述第二金属层、所述第一金属层的上部以及形成于所述基底的上表面的所述阻挡层，使得剩余的所述第一金属层与所述基底暴露出的上表面齐平，以在所述凹槽中形成金属互连结构。
2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属层为铜金属层。
3.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述第二金属层为合金层。
4.根据权利要求3所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述合金层为锰铜合金层，或铝铜合金层，或银铜合金层。
5.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度大于或等于50A。
6.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述第二金属层为纯金属层。
7.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述应力层为氮化铊层或氮化钛层。
8.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述应力层为铊和氮化铊的复合层，或钛和氮化钛的复合层。
9.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述热退火工艺的退火温度为100～250℃，退火时间为10～120min。
10.根据权利要求1所述的金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述应力层的去除方式为湿法刻蚀或化学机械研磨。