一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板与流程

文档序号:11252747
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板与流程

本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板。



背景技术:

平面显示器(F1at Pane1Disp1ay,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(Liquid Crysta1Disp1ay,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode,OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ay Pane1,PDP)及场发射显示器(Field Emission Display,FED)等。

而作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)背板技术,也在经历着深刻的变革。串扰和闪屏不良一直是伴随平面显示器的顽固不良,其中一个主要的原因是薄膜晶体管关态时漏电流太大。漏电流的机制主要是沟道的空穴电流和光照产生的漏电流。图1为现有技术的一种薄膜晶体管,包括:设置在衬底基板11之上的栅极12,设置在栅极12之上的栅极绝缘层13,设置在栅极绝缘层13之上的有源层14,设置在有源层14上的源极15和漏极16,即,为了防止薄膜晶体管在背光源照射下光漏过大,常设计成薄膜晶体管的有源层14被栅极12遮挡的底栅结构,来避免光漏电流。但是这种设计不能完全的遮挡全部光线,背光源的光线在经过反射和折射都会影响到有源层,增加光照时电子空穴对的产生概率,产生光照漏电流。即,现有技术的薄膜晶体管并不能有效地降低漏电流,仍然存在漏电流较大,进而导致形成的显示器容易产生串扰和闪屏的问题。



技术实现要素:

本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板,以有效降低薄膜晶体管的漏电流,避免由于薄膜晶体管漏电流较大而导致显示器容易发生串扰和闪屏的问题。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管,包括:

设置在衬底基板之上的遮光层;

设置在所述遮光层之上的有源层;

其中,所述遮光层在面向所述有源层的一面设置有凹槽,所述凹槽的底面在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

优选的,所述遮光层为栅极,所述薄膜晶体管还包括:

设置在所述遮光层与所述有源层之间的栅极绝缘层;

设置在所述有源层之上的源极和漏极。

优选的,所述薄膜晶体管还包括:

设置在所述遮光层与所述有源层之间的钝化层;

设置在所述有源层之上的栅极绝缘层;

设置在所述栅极绝缘层之上的栅极;

设置在所述栅极之上的层间绝缘层;

设置在所述层间绝缘层之上的源极和漏极,其中,所述源极通过第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接。

优选的,所述凹槽的开口深度为1000埃~10000埃。

优选的,所述凹槽的侧壁与所述凹槽的底部之间的夹角大于或等于90°。

本申请实施例还提供一种阵列基板,包括本申请实施例提供的所述的薄膜晶体管。

本申请实施例还提供一种显示面板,包括背光源,所述显示面板还包括本申请实施例提供的所述阵列基板,所述阵列基板设置在所述背光源的出光侧。

本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法,所述制作方法包括:

在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层;

在所述遮光层之上形成有源层,其中,所述凹槽的底面在衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

优选的,所述在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层,具体包括:

在衬底基板之上形成第一薄膜层;

通过半色调掩模板,在所述第一薄膜层之上形成具有不同厚度区域的光刻胶层的图案,其中,所述光刻胶层的图案包括第一区域和第二区域,所述光刻胶层在所述第二区域的厚度小于在所述第一区域的厚度,所述凹槽的所述底面在所述衬底基板的正投影与所述第二区域在所述衬底基板的正投影重叠;

去除未被图案化的所述光刻胶层遮挡的所述第一薄膜层;

去除所述第二区域的所述光刻胶;

对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长;

去除剩余的所述光刻胶层。

优选的,所述对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长,具体包括:对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长,以使与所述第二区域对应的所述第一薄膜层的厚度减半。

本申请实施例有益效果如下:本申请实施例通过在薄膜晶体管的遮光层面向有源层的一面设置凹槽,并使凹槽的底面在衬底基板上的正投影覆盖有源层在衬底基板上的正投影,进而可以使遮光层起到类似遮罩的效果,避免背光源产生的光线经反射或折射后照射到有源层,从而可以将光照产生的漏电流降到最低,极大的提高薄膜晶体管的特性,进而避免显示面板由于薄膜晶体管的漏电流过大而产生的串扰和闪屏的不良,提高显示品质。

附图说明

图1为现有技术的薄膜晶体管的结构示意图;

图2为本申请实施例提供的一种底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图3为本申请实施例提供的一种顶栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图4为本申请实施例提供的一种凹槽的顶部面积大于底部面积的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图5为本申请实施例提供的一种底栅型薄膜晶体管的制作流程意图;

图6为本申请实施例中,制作完成光刻胶层并进行光照时的示意图;

图7为本申请实施例中,形成图案化的光刻胶层后的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图8为本申请实施例中,去除第二区域的光刻胶层后的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图9为本申请实施例中,去除与第二区域对应的栅极金属薄膜层后的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图10为本申请实施例中,将与第二区域对应的栅极金属薄膜的厚度减半后的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图11为本申请实施例中,去除剩余光刻胶层后的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图12为本申请实施例中,形成栅极后的底栅型薄膜晶体管的结构示意图;

图13为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本申请实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。

参见图2,本申请实施例提供一种薄膜晶体管,包括:

设置在衬底基板21之上的遮光层22;

设置在遮光层22之上的有源层24;

其中,遮光层22在面向有源层24的一面设置有凹槽20,凹槽20的底面在衬底基板21的正投影覆盖有源层24在衬底基板21的正投影。

本申请实施例通过在遮光层面向有源层的一面设置凹槽20,并使凹槽20的底面在衬底基板21上的正投影覆盖有源层24在衬底基板21上的正投影,进而可以使遮光层22起到类似遮罩的效果,避免背光源产生的光线经反射或折射后照射到有源层24,从而可以将光照产生的漏电流降到最低,极大的提高薄膜晶体管的特性,进而避免显示面板由于薄膜晶体管的漏电流过大而产生的串扰和闪屏的不良,提高显示品质。

在具体实施时,对于本申请实施例提供的薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管,也可以为顶栅型薄膜晶体管。对于底栅型的薄膜晶体管,本申请实施例中的遮光层可以为如深色树脂的遮光或者吸光材料,或者可直接由栅极制作而成,即在栅极的面向有源层的一侧设置凹槽。而对于顶栅型的薄膜晶体管,其遮光层可能为异于栅极的独立膜层,进而,可以在遮光层的面向有源层的一侧设置凹槽来有效遮挡背光源光的照射。以下通过具体实施例对两种结构的薄膜晶体管进行举例说明。

例如,薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,遮光层为栅极,参见图2所示,薄膜晶体管具体还包括:

设置在遮光层22与有源层24之间的栅极绝缘层23;

设置在有源层24之上的源极25和漏极26。

需要说明的是,将栅极作为遮光层时,需要栅极本身为遮光材料,例如,栅极的材质具体可以是Mo/Al、Mo/Nd或Al/Nd。

又例如,薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,参见图3所示,薄膜晶体管具体还包括:

设置在遮光层22与有源层24之间的钝化层210;

设置在有源层24之上的栅极绝缘层23;

设置在栅极绝缘层23之上的栅极29;

设置在栅极29之上的层间绝缘层213;

设置在层间绝缘层213之上的源极25和漏极26,其中,源极25通过第一过孔211与有源层24连接,漏极26通过第二过孔212与有源层24连接。

对于顶栅型薄膜晶体管,其具体的遮光层的材质可以与现有技术的顶栅型薄膜晶体管的遮光层的材质相同,例如,遮光层可以为与黑色树脂。

优选的,考虑到为了使凹槽能够有效地遮挡背光源的光,凹槽的开口深度为1000埃~10000埃。如果遮光层为金属,具体的,可以为1700埃。如果遮挡层为黑矩阵材质的,凹槽的开口深度可以为5000埃~7500埃。

优选的,凹槽的侧壁与凹槽的底部之间的夹角大于或等于90°。具体的,例如,具体凹槽20的开口在垂直于衬底基板的面方向上的截面图形可以为矩形或倒梯形,如图2和图4所示。

本申请实施例还提供一种阵列基板,包括本申请实施例提供的的薄膜晶体管。

本申请实施例还提供一种显示面板,包括背光源,液晶显示面板还包括本申请实施例提供的阵列基板,阵列基板设置在背光源的出光侧。

参见图5所示,本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法,制作方法包括:

步骤101、在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层;

步骤102、在遮光层之上形成有源层,其中,凹槽的底面在衬底基板的正投影覆盖有源层在衬底基板的正投影。

优选的,关于步骤101、在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层,具体包括:

在衬底基板之上形成第一薄膜层;

通过半色调掩模板,在第一薄膜层之上形成具有不同厚度区域的光刻胶层的图案,其中,光刻胶层的图案包括第一区域和第二区域,光刻胶层在第二区域的厚度小于在第一区域的厚度,凹槽的底面在衬底基板的正投影与第二区域在衬底基板的正投影重叠;

去除未被图案化的光刻胶层遮挡的第一薄膜层;

去除第二区域的光刻胶;

对与第二区域对应的第一薄膜层刻蚀预设时长;

去除剩余的光刻胶层。

优选的,为了简化工艺制作,通过半掩模工艺形成凹槽,对与第二区域对应的第一薄膜层刻蚀预设时长,具体包括:对与第二区域对应的第一薄膜层刻蚀预设时长,以使与第二区域对应的第一薄膜层的厚度减半。

为了更详细的对本申请提供的薄膜晶体管的制作方法进行说明,以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,遮光层为栅极,结合附图6至附图12举例如下:

步骤一、在衬底基板21上采用磁控溅射方法沉积栅极金属薄膜220,并涂覆一层光刻胶层4,光刻胶可以为正性光刻胶。具体的衬底基板可以为玻璃基板,参见图6所示。

步骤二、采用特殊的半灰度掩模板进行曝光、显影。掩膜板5上AB区、EF区为全透光区,BC区、DE区为不透光区,CD区为半透光区,参见图6所示。通过显影之后,对应掩膜板曝光区域的光刻胶被去除,半曝光区域的光刻胶被部分保留下来,未曝光区域的光刻胶被保留下来,形成在第二区域42的厚度小于第一区域41的厚度的图案化的光刻胶层4,参见图7所示。

步骤三、采用湿法刻蚀工艺,将未被光刻胶覆盖的栅极金属薄膜220刻蚀去除,半曝光区域和未曝光区域的栅极金属薄膜220被保留下来,形成前期的遮光层22,参见图8所示。

步骤四、采用干法刻蚀工艺将第二区域42的光刻胶层4去除,参见图9所示。

步骤五、采用干法或湿法刻蚀工艺,控制刻蚀时间将第二区域对应的前期的遮光层22厚度减半,参见图10所示。

步骤六、采用剥离工艺将剩余的光刻胶层4除去,得到最后的遮光层22图案,参见图11所示。

步骤七、采用气体沉积法得到栅极绝缘层23层及有源层24,对有源层24进行曝光,控制有源层24等于或者小于凹槽的底面,参见图12所示。

步骤八、进行源极和漏极构图,参见图2。

步骤九、后面还可以进行绝缘保护层27和像素电极28的构图,得到最终的阵列基板,如图13所示。

本申请实施例有益效果如下:本申请实施例通过在遮光层面向有源层的一面设置凹槽,并使凹槽的内底面在衬底基板上的正投影覆盖有源层在衬底基板上的正投影,进而可以使遮光层起到类似遮罩的效果,避免背光源产生的光线反射或折射到有源层,从而将光照产生的漏电流降到最低,极大的提高TFT器件的特性,进而避免显示面板由于薄膜晶体管的漏电流过大而产生的串扰和闪屏的不良,提高显示品质。

显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

再多了解一些
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1