技术特征：
技术总结
本申请提供一种光电探测器件，包括：基板；多晶硅层，形成于所述基板上，多晶硅层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；透明的导电膜，至少覆盖所述多晶硅层上所述第一掺杂区处；金属电极，布置于所述多晶硅层上所述第二掺杂区处，其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件。本申请同时提供了光电探测器件的制备方法、一种触控基板和一种显示面板。本申请实现了光电探测器件的高光电转换效率，且识别能力强。
技术研发人员：卜倩倩;任庆荣;孙建明
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.06.02
技术公布日：2017.10.10