技术总结
本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的源极区；在所述衬底上且同所述源极区分离形成的漏极区；在所述衬底上且在所述源极区和所述漏极区之间形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的栅电极；在所述源极区上形成的源电极；以及在所述漏极区上形成的漏电极。本发明在晶体管中引入氧化铪基材料作为晶体管的栅介质材料，HfN作为绝缘层，使得该晶体管在制作工艺上与现有硅工艺兼容，且可以获得较低功耗、减小漏电流、实现长时间保持，可用于高性能、低功耗大规模存储集成电路。
技术研发人员：廖敏;肖文武;周益春;彭强祥;钟向丽;王金斌
受保护的技术使用者：湘潭大学
文档号码：201710426277
技术研发日：2017.06.08
技术公布日：2017.09.15