技术总结
本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的源电极；以及在所述沟道层上且同所述源电极分离形成的漏电极。同时，本发明还公开一种所述铁电薄膜晶体管的制备方法，本发明在晶体管中引入氧化铪基材料和SnO分别作为晶体管的栅介质材料和沟道材料，使得该晶体管在制作工艺上与现有硅工艺兼容，且可以获得较低功耗，可广泛应用于高性能、低功耗大规模存储集成电路中。
技术研发人员：廖敏;肖文武;周益春;彭强祥;钟向丽;王金斌
受保护的技术使用者：湘潭大学
文档号码：201710426279
技术研发日：2017.06.08
技术公布日：2017.09.15