技术总结
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明采用全固态激光处理TFT器件，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。
技术研发人员：宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;徐苗;王磊;彭俊彪;王晓峰;张紫辰
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201710448040
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2017.09.15