包括掺杂的银层的镀覆的引线框架的制作方法

本发明涉及用于组装半导体器件的引线框架，特别涉及适于组装发光器件（“led”）相关产品的引线框架。

背景技术：

在用于组装led相关产品的引线框架中，通常在铜引线框架上镀覆亮银镀层，或者在镍镀层上镀覆亮银镀层，使得镀镍层位于亮银镀层和铜引线框架之间。

图1示出了用于制造亮银led器件的现有技术镀覆方案。用于引线框架100的第一种典型的现有技术镀覆方案包括基部铜衬底104，其上镀覆有铜以在基部铜衬底104上形成铜层106。铜层106进一步镀覆有包含银的亮银层108。

用于引线框架102的第二种典型的现有技术镀覆方案包括基部铜衬底104，其上镀覆有铜以在基部铜衬底104上形成铜层106。然后，在铜层106上镀覆镍，以在其顶部形成镍层110。最后，引线框架102在镍层110的顶部上镀覆亮银层108。

对于用于制造相应的引线框架100、102的两种镀覆方案，在对引线框架表面进行光亮镀银或镀镍之前，在基部铜衬底104的表面上施加镀铜。

在上述典型的镀覆方案中，已发现在亮银层108上发生银或银离子迁移。这种银或银离子迁移是主要的问题，这是因为它会导致亮银层108的变色，从而导致led器件的可见光的流明度和发射减少。上述事件使得最终产品的led性能恶化。

技术实现要素：

因此，本发明的目的是通过延迟银或银离子迁移到引线框架的表面来寻求改善led器件中的led性能。

根据本发明的第一实施例，提供了一种制造引线框架的方法，包括以下步骤：提供包含铜的衬底；在衬底上镀覆亮银层；之后在亮银层的顶表面上镀覆掺杂的亮银层。

根据本发明的第二实施例，提供了一种引线框架，包括：包含铜的衬底;亮银层；和亮银层的顶表面上的掺杂的亮银层。

以下通过参照示出本发明的具体优选实施例的附图更详细地描述本发明将是方便的。附图和相关描述的特殊性不应理解为取代由权利要求限定的本发明的广泛识别的一般性。

附图说明

现在将参考附图描述根据本发明的镀覆工艺的实例，其中。

图1示出了用于制造亮银led器件的现有技术的镀覆方案。

图2示出了根据本发明的优选实施例的用于制造亮银led器件的镀覆方案。

具体实施方式

图2示出了根据本发明的优选实施例的用于制造亮银led器件的镀覆方案。根据镀覆方案制造的引线框架10的一个实施例包括基部铜衬底14，其上镀覆有铜以在基部铜衬底14上形成铜层16。之后，在铜层16上镀覆包含银的亮银层18。之后，在下面的亮银层18的顶表面上进一步形成掺杂的亮银层20。

根据镀覆方案制造的引线框架12的另一个实施例包括基部铜衬底14，其上镀覆有铜以在基部铜衬底14上形成铜层16。然后，在铜层16上镀覆一层镍，以在其顶部形成镍层22。之后，在镍层22的顶部镀覆亮银层18。然后，在下面的亮银层18上进一步形成掺杂的亮银层20。

根据优选实施例，形成铜层16的镀覆可以在包含以下成分的水溶液中进行：10-80％硫酸铜、0.1-1％增白剂、0.1-1％整平剂和0.1-1％载体。载体可由聚合物材料制成，例如聚乙二醇（peg）或聚亚烷基二醇（pag）。增白剂可包含有机硫化物、二硫化物、硫醚或硫代氨基甲酸酯（thiocarbamates），并且整平剂可包含季氮化合物。

形成镍层22的镀覆可以在包含以下成分的水溶液中进行：30-80％氨基磺酸镍、15-30％氯化镍和5-10％硼酸。

形成亮银层18的镀覆可以在包含以下成分的水溶液中进行：20-60％氰化银钾、10-15％氰化钾、0.5-5％增白剂和20-30％磷酸钾。

用于形成掺杂的亮银层20的掺杂剂可包括钯或金。在使用钯作为掺杂剂的情况下，掺杂的亮银层20的镀覆在包含以下成分的水溶液中进行：2-20％四氯钯酸铵和40-60％磷酸铵。或者，当使用钯作为掺杂剂时，镀覆也可以在包含以下成分的水溶液中进行：2-20％四氯钯酸铵、40-60％磷酸铵和1-5％增白剂。

或者，当使用金作为掺杂剂时，镀覆也可以在包含以下成分的水溶液中进行：2-20％氰化金钾和20-40％磷酸钾。

应当理解，随着银的gam（伽马亮度）增加以及掺杂的银延迟了银或银离子迁移，包含融入亮银层中的钯和/或金的掺杂剂能够改善led的性能。因此，掺杂剂促进了银的gam，并且通过最小化银或银离子迁移提高了gam的稳定性。

通过添加掺杂剂，银的gam能够提高0.2gam，并且由于在将引线框架10、12在360°c下持续加热20秒之后也可以保持银的gam，所以实现了引线框10、12的更强的热稳定性。

除了具体描述的以外，本文描述的发明易于变化、修改和/或添加，并且应当理解，本发明包括落在上述描述的精神和范围内的所有这样的变化、修改和/或添加。