技术特征：
技术总结
本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
技术研发人员：李晓山;高镛璿;金庆燮;金光秀;金石训;李根泽;田溶明;赵庸真
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2012.12.07
技术公布日：2017.09.15