薄膜晶体管、阵列基板、显示装置的制作方法

文档序号:11252752阅读:1093来源:国知局
薄膜晶体管、阵列基板、显示装置的制造方法

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板,以及包括该阵列基板的显示装置。



背景技术:

电泳显示(electrophoresisdisplay,epd)通过电子墨水(electronicink,e-ink)的反射进行显示,而电子纸作为一类典型的电泳显示装置,其具有低功耗、超薄、超轻,以及便于阅读的优势。电子纸通过像素电极和公共电极之间的电场控制电子墨水层的电泳粒子移动以实现对外界光线的反射,因此,为了让电泳粒子移动到反射面一侧,需要在像素电极和公共电极之间施加电压差。

目前,能够驱动电泳粒子发生移动的电压差较大,例如,一般地,对于液晶显示装置而言,像素电极与公共电极之间的电压差约为5v;而对于电泳显示装置而言,像素电极与公共电极之间的电压差需要达到约15v。在电泳显示装置中,由于像素电极和公共电极之间的电压差较大,因此,用于驱动显示的薄膜晶体管的漏电流情况非常严重。

为了降低电泳显示装置中薄膜晶体管的漏电流现象,现有技术中采用双沟道结构的薄膜晶体管。如图1所示,图1为现有技术中用于驱动电泳显示装置的一种薄膜晶体管,薄膜晶体管t1包括栅极10、漏极12、源极14以及有源层16,其中,有源层16包括第一有源层16a和第二有源层16b,栅极10包括第一栅极10a和第二栅极10b,第一有源层16a在第一栅极10a的作用下形成第一沟道,第二有源层16b在第二栅极10b的作用下形成第二沟道。需要说明的是,图1所示的薄膜晶体管结构即为双i型沟道。

随着电泳显示技术的发展,人们对高分辨率电泳显示装置的需求越来越多。随着分辨率的提高,对于双i型沟道的薄膜晶体管而言,如果要保持较高的沟道比,则寄生电容cgs会比较大;此外,当薄膜晶体管应用于电泳显示装置时,双i型沟道的薄膜晶体管的占地面积比较大,不利于在子像素内增加其他的结构以实现更多的功能。沟道比是指沟道的宽度和沟道的长度之比,其中,沟道的长度等于源极和漏极之间的距离。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明实施例提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板以及一中包括该阵列基板的显示装置,以实现高沟道比的同时降低薄膜晶体管的占地面积和寄生电容cgs,利于实现高分辨率的电泳显示装置。

为实现上述目的,首先,本发明实施例提供了一种薄膜晶体管:

所述薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极、有源层,其特征在于,还包括辅助电极,所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠,且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内,所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间;所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置,且所述辅助电极包括圆弧结构,所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。

其次,本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括上述薄膜晶体管。

最后,本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述阵列基板。

基于上述技术方案,本发明实施例提供的薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置中,因为薄膜晶体管设置有辅助电极,因此,薄膜晶体管在源极和辅助电极之间、辅助电极和漏极之间的有源层分别形成了沟道;由于辅助电极包括圆弧结构,因此,本发明实施例中的沟道结构较长。在形成相同长度沟道的情况下,本发明实施提供的薄膜晶体管的占地面积较小。此外,由于辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内,在设计时不用考虑辅助电极与有源层之间的交叠面积,进而可以将辅助电极的面积设计得较小以降低辅助电极和栅极之间的寄生电容。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有技术中用于驱动电泳显示装置的一种薄膜晶体管;

图2为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管;

图3为图2在aa'处的剖面结构示意图;

图4为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管;

图5为作为对比例的一种薄膜晶体管;

图6为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管;

图7为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管;

图8为本发明实施例提供的再一种薄膜晶体管;

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板;

图10为图9所示结构中一个像素区域的放大结构图;

图11为图10沿bb'处的剖面结构示意图;

图12为本发明实施例提供的一种显示装置。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

请参考图2和图3,图2为本发明实施例的一种薄膜晶体管,图3为图2在aa'处的剖面结构示意图。如图2所示,薄膜晶体管包括栅极20、漏极22、源极24、有源层26。其中,薄膜晶体管还包括辅助电极25,且辅助电极25与漏极22/源极24同层设置且互不交叠;辅助电极25位于源极24与漏极22之间,辅助电极25围绕源极24设置,且辅助电极25包括圆弧结构25a,源极24朝向辅助电极25的一端为圆弧结构24a。

。如图3所示,辅助电极25向有源层26的垂直投影位于有源层26内。需要说明的是,薄膜晶体管的所有膜层形成在衬底基板21的一侧,在栅极20和有源层26之间设置有绝缘层23。

更为具体地,如图2所示,辅助电极25围绕源极24、漏极22设置,且辅助电极25的圆弧结构25a向源极24、漏极22弯曲以使得辅助电极25的圆弧结构25a部分包围源极24、漏极22,因此,辅助电极25的圆弧结构25a与源极24之间形成的沟道形状、辅助电极25的圆弧结构25a与漏极22之间形成的沟道形状也为圆弧形。由于辅助电极25围绕源极24、漏极22设置,可选地,如图2所示,辅助电极25可以设置为s形。需要说明的是,源极24和漏极22是薄膜晶体管中的两极,源极24和漏极22的位置可以互换。此外,“部分包围”是指没有形成封闭的结构,例如,图2中辅助电极25不是封闭结构,在辅助电极25的开口处分别设置有源极24、漏极22。

一方面,与现有技术相比,在形成相同长度沟道的情况下,本发明实施提供的薄膜晶体管的占地面积较小,即薄膜晶体管(包括源极、漏极、栅极、有源层)向承载该薄膜晶体管的沉底基板的垂直投影的面积。具体地,与图1所示结构相比,本发明实施例中辅助电极25向有源层26的垂直投影位于有源层26内,且辅助电极25包括圆弧结构25a,其与源极24之间形成的沟道形状也包括圆弧结构。图1所示结构,由于辅助电极15向有源层16的垂直投影仅部分交叠(即辅助电极15存在不与有源层16交叠的部分),需要考虑辅助电极15与源层16之间的交叠面积。因此,可以将本发明实施例中辅助电极25的宽度w2设置为小于现有技术中辅助电极15的宽度w1,其中,如图1和图2所示,w1是指辅助电极15在第一方向x上的宽度,w2是指辅助电极25在第二方向y上的宽度。需要说明的是,辅助电极15和辅助电极25的宽度均为:辅助电极15和辅助电极25在垂直于自身延伸方向的方向上的宽度。

现有技术中的辅助电极15与源极14之间的形成的最长沟道长度为第二有源层16b在延伸方向(第二方向y)上的长度,而本发明实施例中,辅助电极25与源极24(或者辅助电极25与漏极22)之间的形成的最长沟道长度为有源层16在延伸方向(第一方向x)上的长度的两倍,因此,在形成相同长度的沟道时,本发明实施例中的薄膜晶体管在延伸方向(第一方向x)上的长度小于现有技术中的薄膜晶体管在延伸方向(第二方向y)上的长度,理论上可以为现有技术中的薄膜晶体管在延伸方向(第二方向y)上的长度的一半。

此外,图1所示的结构中,有源层16包括第一有源层16a和第二有源层16b,辅助电极15需要分别与第一有源层16a和第二有源层16b交叠方能实现双沟道的薄膜晶体管。然而,在本发明实施例中,有源层为电连接的一整块,辅助电极25与有源层26之间的交叠面积可以作为辅助电极25与漏极22之间形成沟道,也可以作为辅助电极25与源极24之间形成沟道。因此,理论上,本发明实施例中辅助电极25与有源层26交叠的第二面积可以为图1所示结构中辅助电极15与有源层16交叠的第一面积的一半,进而,可以辅助电极25的面积设置为现有技术中的辅助电极15的一半。

综上所述,本发明实施例提供的薄膜晶体管在形成相同长度沟道的情况下占地面积较小。具体地,薄膜晶体管薄栅极、源/漏极、有源层以及辅助电极,其中,源/漏极、辅助电极位于同一膜层,有源层所在膜层只需要能够覆盖源/漏极、辅助电极,以及源/漏极与辅助电极之间的区域即可,栅极所在膜层只需要覆盖有源层即可。因此,如果辅助电极的面积变小,则薄膜晶体管中辅助电极膜层的面积也相应变小,有源层、栅极也可以相应变小,进而使得整个薄膜晶体管的占地面积变小。

另一方面,由于辅助电极25围绕漏极22、源极24设置,如图2所所示,即漏极22、源极24的三侧均能与辅助电极25形成沟道,而图1所示的现有技术结构中,漏极12、源极14仅有一侧与辅助电极15形成沟道。因此,在形成相同宽度的沟道的前提下,可以将漏极22的面积设置得较小,从而能降低栅极与源极/漏极之间的寄生电容。此外,由于辅助电极25包括圆弧结构25a,且圆弧结构25a用于改变辅助电极25延伸方向。例如,如图2所示,圆弧结构25a将辅助电极25的延伸方向从x方向变为x的反方向,或者将辅助电极25的延伸方向从x的反方向变为x方向。在改变辅助电极25的延伸方向的结构中,采用圆弧结构25a能够减少辅助电极25的延伸路径,从而缩短辅助电极25的整体长度,进而减少辅助电极25与栅极20的交叠面积以降低寄生电容。

此外,请参考图2和图5,图5为作为对比例的一种薄膜晶体管,在图5中,源极34和辅助电极35在拐弯处的沟道长度h2等于源极34和辅助电极35在直线处的沟道长度h1;而在本发明实施例提供的薄膜晶体管中,如图4所示,由于源极24朝向辅助电极25的一端为圆弧结构24a,所以,漏极22和辅助电极25在拐弯处的沟道长度h2与漏极22和辅助电极25在直线处的沟道长度h1相等。

可选地,所述源极或者所述漏极包括圆弧结构。请参考图4,图4为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管,具体地,如图4所示,漏极22包括圆弧结构22a,且漏极22的圆弧结构22a围绕辅助电极25设置。由于漏极22包括圆弧结构22a,因此,本实施例中薄膜晶体管的栅极20打开时,在漏极22和辅助电极25之间形成的沟道形状也为圆弧形。同样的,与现有技术相比,本实施例中漏极22和辅助电极25之间在形成相同长度沟道的情况下占地面积较小。

此外,如图4所示,本实施例的薄膜晶体管中,漏极22向有源层26的垂直投影位于所述有源层26内,即,漏极22与有源层26的交叠面积为漏极22自身的占地面积。因此,可以将漏极22的面积设置得较小,从而能降低栅极与源极/漏极之间的寄生电容。

值得一提的是,当漏极22也包括圆弧结构22a,且漏极22围绕辅助电极25设置,因此,与图2所示结构相比,在辅助电极宽度相同的前提下,图4所示辅助电极25的长度为图2中辅助电极25的一个u形长度,而漏极22的长度也为图2中的辅助电极25辅助电极25的一个u形长度。此时,图4所示结构和图2所示结构所形成的沟道长度相同,即,辅助电极25和漏极22之间形成的沟道长度相同,辅助电极25和源极24之间形成的沟道长度相同。图4所示结构与图2所示结构相比,由于漏极22包括圆弧结构22a,且漏极22围绕辅助电极25设置,使得源/漏层的导电元件在结构上较为紧凑,从而使得占地面积小。

需要说明的是,在上述实施例中虽然以漏极22包括圆弧结构为例进行说明,但是薄膜晶体管的源极、漏极的位置是可以互换的,因此,在本发明的其他实施例中,可以将源极24设置为带有圆弧结构,且源极24围绕辅助电极25设置。

可选地,所述辅助电极为u形。如图4所示,辅助电极25为u形,即,辅助电极25仅包括一个圆弧结构25a。由于一个圆弧结构25a已经能够改变辅助电极25的延伸方向,因此,辅助电极25a的其他部分可以设置为直线形。在实际生产中,圆弧形结构的图案化难度大于直线形结构的图案化难度,因此,将辅助电极设计为u形便于生产。

进一步可选地,所述辅助电极为u形,且所述源极或者所述漏极为u形。如图4所示,漏极22为u形,即,漏极22仅包括一个圆弧结构22a;辅助电极25为u形,即,辅助电极25仅包括一个圆弧结构25a。具体地,u形的辅助电极25包围源极24,u形的漏极22包围u形的辅助电极25。同样地,辅助电极25设计为u形,且将围绕辅助电极25设置的漏极22也设计为u形,除了能够减小薄膜晶体管的占地面积、降低源/漏层的导电元件与栅极20之间的寄生电容外,还能进一步降低工艺难度。

本实施例中,辅助电极25为u形,且漏极22为u形,因此,能够使得辅助电极25和漏极22之间形成的沟道长度均匀,且辅助电极25和源极24之间形成的沟道长度均匀。具体地,请参考图4和图5,图5为作为对比例的一种薄膜晶体管。在对比例中,如图5所示,漏极32和辅助电极35在拐弯处的沟道长度l2大于漏极32和辅助电极35在直线处的沟道长度l1;而在本发明实施例提供的薄膜晶体管中,如图4所示,漏极22和辅助电极25在拐弯处的沟道长度l2与漏极22和辅助电极25在直线处的沟道长度l1相等。

为了进一步说明本发明实施例中薄膜晶体管的优点,下面将以图4所示结构和图1所示结构进行对比说明。

当图1所示结构和图4所示结构形成的沟道宽长比均为80/6,则图1所示结构在x方向的宽度需要41微米(具体是指图1中有源层16a在x方向左侧到有源层16b在x方向的右侧),在y方向的长度需要83微米(具体是指图1中有源层16a在y方向的长度);而图4所示结构在x方向的宽度需要45.5微米(具体是指图4中有源层26在x方向的宽度),在y方向的长度需要59微米(具体是指图4中有源层26在y方向的长度)。因此,对于图1所示结构和图4所示结构的占地面积可知:(83×41-45.5×59)/(45.5×59)=26.8%,图1所示结构的占地面积比图4所示结构的占地面积多26.8%。因此,采用本发明实施例提供的薄膜晶体管结构,不仅能够实现双沟道结构,还能减少薄膜晶体管的占地面积。

此外,通过模拟图1所示的现有技术结构和图4所示的本发明实施例的寄生电容发现,图1所示的结构中,源极14和栅极10之间的寄生电容cgs为8.324×10-14f,图4所示的结构中,源极24和栅极20之间的寄生电容cgs为5.384×10-14f,图4所示的结构的cgs是图1所示的结构的cgs的一半。因此,采用本发明实施例提供的薄膜晶体管结构能够较低薄膜晶体管的寄生电容。需要说明的是,本申请中仅仅以漏极和栅极之间的寄生电容进行比较,但是,源/漏膜层和栅极膜层之间的寄生电容至少还包括辅助电极和栅极之间的寄生电容,由于本发明实施例中辅助电极的面积相对现有技术中辅助电极的面积较小,因此,本发明实施例中辅助电极和栅极之间的寄生电容也较小。

进一步可选地,所述有源层的边缘为u形,所述边缘为u形的有源层向所述栅极的垂直投影位于所述栅极内。具体地,请参考图6,图6为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管,有源层26的边缘为u形,此时,有源层26的边缘形状与辅助电极25的形状、漏极22的形状一致。与有源层26设置为矩形的结构相比,当有源层26的边缘形状配合辅助电极25、漏极22的形状进行设置时可以减少有源层的占地面积,进一步降低薄膜晶体管的占地面积。可选地,为了进一步降低薄膜晶体管的占地面积,可以将栅极20的边缘也设置为与有源层26匹配的形状,例如,也可以将栅极的边缘设置为u形。

在上述实施例的基础上,可选地,所述u形的辅助电极包括圆弧形辅助电极和直线形辅助电极,所述u形的源极或者漏极包括圆弧形源极或者漏极以及直线形源极或者漏极,所述直线形辅助电极的长度大于所述直线形源极或者漏极的长度。具体地,如图4所示,u形的辅助电极25包括圆弧形辅助电极25a和直线形辅助电极25b,u形的漏极22包括圆弧形漏极22a以及直线形漏极22b,直线形辅助电极25b的长度h1大于直线形漏极22b的长度h2。在本实施例中,由于u形的漏极22包围u形的辅助电极25,因此,圆弧形漏极22a的曲率半径大于圆弧形辅助电极25a。如果圆弧形漏极22a要实现包围圆弧形辅助电极25a,则圆弧形漏极22a的长度大于圆弧形辅助电极25a的长度。为了使得漏极22和辅助电极25之间形成的沟道长度与源极24和辅助电极25之间形成的沟道长度相等,需要将直线形辅助电极25b的长度h1设置为大于直线形漏极22b的长度h2。

图4、图6所示实施例中,所述辅助电极25仅包括一个u形,但本发明提供的实施例中,辅助电极25可以包括多个u形,具体请参考图2和图7。图2为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管,图7为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管。在图2所示的结构中,辅助电极25包括两个u形,且该两个u形结构呈中心对称。其中,该两个u形结构共用一条u形的直线部,能够降低辅助电极25的占地面积。

在图7所示的结构中,辅助电极25包括4个u形,且该4个u形的辅助电极成轴对称排列。具体地,辅助电极25包括u形结构251、252、253以及254,其中,u形结构251和252公用一条u形的直线部,u形结构253和254共用一条u形的直线部;u形结构251和253共用一条u形的圆弧结构部,u形结构252和253共用一条u形的圆弧结构部。由于本实施例中有两条u形的直线部、两条u形圆弧结构部被共用,因此,能够较低辅助电极25的占地面积。

在上述实施例的基础上,可选地,所述源极或者所述漏极与所述辅助电极之间的沟道宽长比与所述辅助电极与所述漏极或者所述源极之间的沟道宽长比相等。本发明实施例提供薄膜晶体管是双沟道结构,因此,当漏极22和辅助电极25之间的沟道宽长比与源极24和辅助电极25之间的沟道宽长比相等时,在电学上等同于两个薄膜晶体管的相同,此时,两个薄膜晶体管负载相同,能够有效防止漏电流。

在上述实施例的基础上,可选地,所述栅极为镂空结构。如图8所示,图8为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管,栅极20包括镂空结构20',其中镂空结构20'位于各个u形辅助电极25交叠的位置。由于各个u形辅助电极25交叠处面积较大,可以在该位置设置一些镂空结构20',从而降低栅极20和辅助电极25的交叠面积,进一步降低栅极20和辅助电极25之间的寄生电容。当然,在本发明的其他实施例中,镂空结构20'可以不像图8一样为一开口,还可以是多个面积较小的孔结构。

基于上述实施例,为了降低栅极20和辅助电极25之间的寄生电容,还可以将辅助电极25设置一些镂空区域,而栅极20不用设置镂空区域。

需要说明的是,薄膜晶体管的源极和漏极的位置可以互换,因此,虽然上述部分实施例中是以漏极进行举例说明,但是在本发明的其他实施例中,可以是源极按照上述实施例中漏极的形状和位置进行设置。

其次,本发明实施例还提供了一种阵列基板,请参考图9,图9为本发明实施例提供的一种阵列基板。如图9所示,阵列基板包括衬底基板300,以及设置在衬底基板300一侧的薄膜晶体管t3。具体地,阵列基板包括显示区域320和非显示区域310,在显示区域320中,设置有沿着x方向延伸的多条栅极线322,沿着y方向延伸的多条数据线324,数据线324和栅极线322相互交叉以限定像素区域。其中,像素区域中对应设置有薄膜晶体管t3。

具体地,请参考图10,图10为图9所示结构中一个像素区域的放大结构图。如图10所示,阵列基板还包括像素电极326,薄膜晶体管t3栅极20与栅极线322为一整体,漏极22与数据线322为一整体,像素电极326与薄膜晶体管t3源极24电连接。其中薄膜晶体管t3可以为上述关于薄膜晶体管中任意一实施例提供的结构。

可选地,如图10所示,当辅助电极25为u形时,辅助电极25沿着数据线322延伸的方向y延伸。需要说明的是,在本发明的其他实施例中,辅助电极25可以沿着栅极线322延伸的方向x延伸。如图10所示,u形的辅助电极25包括圆弧形辅助电极25a和直线形辅助电极25b,因此,辅助电极25的延伸方向即为直线形辅助电极25b的延伸方向。

进一步可选地,当源极或者所述漏极为u形,所述u形的辅助电极包括圆弧形辅助电极和直线形辅助电极,所述u形的源极或者漏极包括圆弧形源极或者漏极以及直线形源极或者漏极时,在数据线延伸方向上,所述圆弧形形辅助电极比所述圆弧形源极或者漏极更靠近所述像素电极。具体地,如图10所示,漏极22为u形,u形的辅助电极25包括圆弧形辅助电极25a和直线形辅助电极25b,u形的漏极22包括圆弧形漏极22a以及直线形漏极22b,在数据线322延伸方向y上,圆弧形形辅助电极25a比圆弧形漏极22a更靠近像素电极326。

具体地,结合图10和图11,图11为图10沿bb'处的剖面结构示意图。如图10和图11所示,辅助电极25和漏极22为u形,辅助电极25向有源层26的垂直投影位于有源层26内;像素电极326通过过孔与源极24电连接。此外,还可以在薄膜晶体管t3的上方设置遮光层328,遮光层328能够防止光线照射到薄膜晶体管t3,从而进一步降低漏电流。为了获得较好的显示效果,还可以在像素区域内设置与栅极20同层的存储电容330。

本发明实施例提供的阵列基板中,由于薄膜晶体管采用辅助电极以形成双沟道结构,因此,能够降低阵列基板的漏电流;由于辅助电极带有圆弧结构,且辅助电极围绕源极(或漏极)设置,可以加上沟道的宽度;由于辅助电极向有源层的垂直投影位于有源层内,可以将辅助电极的面积设置得较小,从而降低薄膜晶体管的占地面积,以提高像素区域的开口率。此外,从上述关于薄膜晶体管的实施例说明可知,本发明实施例提供的薄膜晶体管能够减少寄生电容,从而使得阵列用于显示时能减弱公共电位发生漂移。

最后,本发明实施例还提供了一种显示装置,请参考图12,图12为本发明实施例提供的一种显示装置。如图12所示,其包括阵列基板50,其中阵列基板50为上述的任意一阵列基板,以及显示功能层70。

可选地,显示功能层70为电泳膜。如图12所示,此时,在电泳膜70远离阵列基板50的一侧还设置有对置基板60,在对置基板60靠近电泳膜70的一侧设置有公共电极602。在显示时,位于对置基板60上的公共电极602和位于阵列基板50上的像素电极之间形成电场以控制电泳膜70中的电泳粒子发生移动。

需要说明的是,本发明实施例提供的显示装置的显示功能层还可以是液晶分子层或者有机发光材料层。当显示装置的显示功能层为液晶分子层时,本发明提供的阵列基板能够在降低漏电流的同时提高开口率,减弱公共电位漂移。此外,底发射的有机发光显示装置、从阵列基板一侧观察的电泳显示装置对开口率的要求较高,本发明实施例能够有效降低漏电流、提高开口率。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

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