技术总结
本发明公开了一种基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管的制作方法，主要解决现有同类器件可靠性差的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层和SiN钝化层，GaN缓冲层的两端设有源电极和漏电极，SiN钝化层中设有凹型结构，凹型结构的内壁及SiN钝化层表面设有栅介质层，该栅介质层的凹型结构上设有栅电极，在栅电极下面设有凹槽，该凹槽采用HfZrO负电容材料，栅电极和钝化层表面上的栅介质层上覆盖有SiN保护层，本发明提高了器件的可靠性，减小了增强型器件的栅漏电，可用于作为需要较大阈值电压的开关器件。
技术研发人员：祝杰杰;马晓华;刘捷龙;陈丽香
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201710558132
技术研发日：2017.07.10
技术公布日：2017.09.15