技术特征：
技术总结
本发明提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层，其中所述P型埋层包括位于分压区域的第一P型埋层和位于场限环区域的至少一个第二P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述第一P型埋层的两侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入，并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成P型注入区域；对所述第一P型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次P型注入。
技术研发人员：邓鹏飞
受保护的技术使用者：邓鹏飞
技术研发日：2017.07.14
技术公布日：2017.09.15