技术总结
本发明涉及一种三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法，主要解决现有技术微流道壁材料热导率低和液体与微流道壁接触面积小的问题。其包括上层芯片(1)和下层芯片(2)，每层芯片自上而下包括电路层(3)、硅衬底(4)、硅流道壁(5)、碳化硅流道壁(6)、微流道(7)和硅微流道帽(8)，其中，电路层位于芯片正面的顶部，硅衬底紧邻电路层并位于其下方；硅流道壁紧邻硅衬底并位于其下方；碳化硅流道壁其外延生长在硅流道壁的下方；微流道其横截面采用上部为半椭圆形下部为矩形的一体结构，位于硅流道壁的下方；本发明增加了电路层附近的散热接触面积，缩短了与电路层的距离，提升了微流道散热结构的散热性能。
技术研发人员：董刚;李秀慧;杨银堂
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201710598823
技术研发日：2017.07.21
技术公布日：2017.10.10