技术总结
本发明涉及具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法，其特征在于该外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型掺杂半导体材料传输层、P‑型重掺杂半导体材料传输层、超晶格层和N‑型重掺杂半导体材料传输层；所述多量子阱层为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N/Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中，各元素的组分x1、x2、y1、y2、1‑x1‑y1和1‑x2‑y2均介于0和1之间，量子垒Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的厚度为5nm～50nm，量子阱Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的厚度为1nm～20nm，量子阱个数大于或等于1，且量子垒Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的禁带宽度大于量子阱Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的禁带宽度；所述超晶格层为两种不同单元层交替生长且呈周期性变化的多层膜，总厚度为1nm～10nm。
技术研发人员：田康凯;楚春双;方梦倩;李路平;张勇辉;张紫辉
受保护的技术使用者：河北工业大学
文档号码：201710636642
技术研发日：2017.07.31
技术公布日：2017.10.03