一种有机发光器件及制备方法与流程

本发明涉及有机发光器件领域，尤其涉及机发光器件的阳极改性。

背景技术：

有机发光二极管(organiclightemittingdiode,oled)具有自发光、视角广、发光效率高、色域广和面板薄等特性，成为继液晶显示技术后最有发展前景的显示技术。其发光原理是在电场的作用下，将电子和空穴分别从阴极和阳极注入到有机发光层中并复合，产生激子，有机发光层中的发光分子受激发并发光。

现有技术中，通常oled器件包括基板、设于基板上的阳极层、设于阳极上的有机层和设于有机层上的阴极层，其中通常采用ito电极作为阳极，参见图1。

由于ito和有机层的接触界面的晶格匹配度较差，导致空穴传输受阻，进而降低器件的发光效率。

技术实现要素：

本发明的目的是公开一种有机发光器件，解决了因阳极和有机层接触界面晶格匹配度较差导致的oled发光效率不高的问题；此外，本发明还提出了该oled器件的制备方法。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：

一方面，本发明实施例提供了一种oled器件的制备方法，包括以下步骤：

提供覆盖有阳极层的基板；

在阳极层上沉积辅助金属层；

在辅助金属层上沉积有机层；

在有机层上沉积阴极层。

其中，辅助金属层为透光性好的不活跃金属au，厚度范围为2～10nm，优选的，辅助金属层厚度为5nm；

所述有机层至少包括有机发射层；

进一步的，有机层还包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层中的一种或几种组合。

另一方面，本发明实施例提供了一种oled器件，该oled器件包括基板及依次设置在基板上的阳极层、辅助金属层、有机层和阴极层。

其中，辅助金属层位于阳极和有机层之间，辅助金属层为au，优选厚度为5nm；

有机层包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、有机发射层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层；

阳极层包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)中的一种。

附图说明

图1为现有技术oled的示意性截面图；

图2为实施例一中制备oled的方法的流程图；

图3为本发明实施例二中的oled的示意性截面图；

图4为本发明实施例三中的oled的示意性截面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。

实施例一

图2是本发明实施例一提供的oled器件的制备方法的流程图。

步骤s21、提供覆盖由阳极层(ito或izo)的基板，并对阳极层进行预处理，包括清洗、研磨和刻蚀等。

步骤s22、在预处理后的阳极层上，沉积辅助金属层。其中辅助金属层为透光性好的不活跃金属au，厚度范围为2～10nm，优选为5nm。

步骤s23、在辅助金属层上沉积有机层。其中，该有机层可以仅包含有机发射层，或有机发射层外，还包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层和电子注入层中的一种或几种组合。

步骤s24、在有机层上沉积阴极层。所述阴极层可以是银(ag)、铝(al)或银-镁(ag-mg)合金，但不限于此。

实施例二

图3为本发明实施例二中的oled的示意性截面图，参照图3，oled器件100包括基板110、阳极层120、辅助金属层130、有机层140和阴极层150；其中辅助金属层130、有机层140和阴极层150依次顺序形成于覆盖有阳极层的基板上。

辅助金属层130位于阳极层120和有机层140之间，为透光性好的不活跃金属au，厚度优选为5nm。

阳极层包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)中的一种。

实施例三

图4为本发明实施例三中的oled的示意性截面图，此实施例的oled除了有机层之外，在结构上类似于实施例1中的oled。因此，以下描述将主要着重于有机层。

参照图4，oled器件100包括基板110、阳极层120、辅助金属层130、有机层140和阴极层150；其中辅助金属层130、有机层140和阴极层150依次顺序形成于覆盖有阳极层的基板上。

辅助金属层130位于阳极层120和有机层140之间，为透光性好的不活跃金属au，厚度优选为5nm。

有机层140除有机发射层(el)144外，还包括空穴注入层(hil)141、电子阻挡层(ebl)142、空穴传输层(htl)143、电子传输层(etl)145、空穴阻挡层(hbl)146和电子注入层(eil)147。

其中，空穴注入层141、电子阻挡层142、空穴传输层143、有机发射层144、电子传输层145、空穴阻挡层146和电子注入层147，依次顺序沉积在阳极层120上。

需要说明的是，尽管此实施例中说明有机层140由空穴注入层141、电子阻挡层142、空穴传输层143、有机发射层144、电子传输层145、空穴阻挡层146和电子注入层147，依次顺序沉积在阳极层120上构成，但本发明不限于此，而是可以各种方式形成有机层140。

例如，有机层可具有多种堆叠结构，如空穴传输层/有机发射层/电子传输层、空穴注入层/空穴传输层/有机发射层/电子传输层/电子注入层、空穴注入层/电子阻挡层/有机发射层/电子传输层/空穴阻挡层/电子注入层、空穴注入层/电子阻挡层/空穴传输层/有机发射层/电子传输层等等。

根据本发明实施例提供的oled器件的制备方法及oled器件，通过在阳极层和有机层之间加入超薄的金属层au，解决了因阳极和有机层接触界面晶格匹配度较差导致的oled发光效率不高的问题。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种OLED器件及制备方法，其中，所述OLED器件包括基板及依次设置在基板上的阳极层、辅助金属层、有机层和阴极层；其中，辅助金属层位于阳极和有机层之间；所述辅助金属层为透光性好的不活跃金属Au；所述辅助金属层的膜厚范围为2～10nm；优选的，所述辅助金属层的厚度为5nm。本发明实施例在阳极和有机层之间插入光透过率较高的不活跃金属Au，在无机和有机材料界面之间进行缓冲，改善了无机和有机材料的接触界面，提高了器件的发光效率。

技术研发人员：周燕红
受保护的技术使用者：周燕红
技术研发日：2017.10.30
技术公布日：2018.04.03