半导体器件、制造方法和电子设备与流程

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件、制造方法和电子设备。

背景技术：

在集成电路中，在同一半导体衬底上需要组装很多元器件，这些元器件之间需要互相布线连接，而且随着集成度的提高和特征尺寸的减小，布线密度必须增加，所以用于元器件之间以及布线之间电气隔离的集成电路的表面钝化技术就显得非常重要。集成电路的表面钝化技术可以把元器件与周围环境气氛隔离开来，增强元器件对外来离子沾污的阻挡能力，控制和稳定集成电路表面的特征，保护电路及内部布线免受机械和化学损伤。例如，一些常见于触摸设备(如：手机、平板电脑、穿戴式设备以及智能家居等各种智能产品)、指纹识别设备等中的电容型传感器的表面钝化常常采用二氧化硅层、氮化硅层、聚酰亚胺层三层层叠的方式实现。而且这些电容式传感器需要通过感测出其感测区的电容变化，来确定用户触摸操作或者指纹信息等等，然而，由于其表面钝化采用二氧化硅层、氮化硅层、聚酰亚胺层三层层叠的方式，因此导致其内部的寄生电容较大，进而导致其感测区的感测信号在被传输的过程中易受其内部的寄生电容的影响而变得较不稳定，降低了电容式传感器的性能，使得电容式传感器的感测结果变得不精确，甚至误判，影响用户体验。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种半导体器件、制造方法和电子设备，能够降低寄生电容，提高器件性能。

为了实现上述目的，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成电连通所述第一区域和第二区域的至少一层金属布线；

在顶层的所述金属布线的表面上覆盖无机钝化层；

去除所述第一区域上方部分厚度的无机钝化层，以形成开口；

形成填充在所述开口中的有机钝化层，且所述有机钝化层的上表面不低于所述第二区域上方的无机钝化层的上表面。

可选的，所述无机钝化层为单层或叠层，所述无机钝化层的材料选自氧化物、氮化物、氮氧化物以及包括碳作为其主要成分的无机材料的至少一种。

可选的，所述有机钝化层的材料选自聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚乙烯醇、聚异丁烯、聚氨酯弹性海绵、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯丁二烯、天然橡胶、聚丙烯腈、聚双苯酚碳酸酯、聚氯醚、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷和聚四氟乙烯中的至少一种。

可选的，去除所述第一区域上方部分厚度的无机钝化层的过程以及形成填充在所述开口中的有机钝化层的过程均包括光刻工艺，且两个过程中的光刻工艺使用同一张光掩模版来实现。

可选的，去除所述第一区域上方部分厚度的无机钝化层的过程包括：

在所述无机钝化层的表面上涂覆光刻胶；

使用所述光掩膜版对所述光刻胶进行光刻，以形成暴露出所述第一区域上方的无机钝化层表面的图案化光刻胶；

以所述图案化光刻胶为掩膜，刻蚀去除部分厚度的暴露出的所述无机钝化层，以形成所述开口。

可选的，当所述光掩膜版对应所述开口的图案的色调为透光色时，所述光刻胶为正性光刻胶；当所述光掩膜版对应所述开口的图案的色调为不透光的暗色时，所述光刻胶为负性光刻胶。

可选的，所述无机钝化层包括依次层叠在所述顶层的金属布线的表面上的第一无机钝化层和第二无机钝化层，所述第一无机钝化层和第二无机钝化层的材料不同，且在刻蚀去除部分厚度的暴露出的所述无机钝化层时，去除暴露出的所有第二无机钝化层及其下方部分厚度的第一无机钝化层。

可选的，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度的暴露出的所述无机钝化层，以形成所述开口。

可选的，形成填充在所述开口中的有机钝化层的过程包括：

在所述开口以及所述无机钝化层的表面上覆盖有机钝化层，所述有机钝化层的厚度大于所述开口的深度；

使用所述光掩膜版对所述有机钝化层进行光刻或者光刻和刻蚀，以去除所述开口区域以外的有机钝化层；

对所述开口区域内的有机钝化层进行固化，以形成填充在所述开口中的有机钝化层。

可选的，所述开口的深度为1.5μm～2μm。

可选的，所述开口底部的无机钝化层的厚度为

本发明还提供一种半导体器件，包括：

具有第一区域和第二区域的半导体衬底；

至少一层金属布线，形成在所述半导体衬底的表面上并用于电连通所述第一区域和第二区域；

无机钝化层，覆盖在顶层的所述金属布线的表面上，且在所述第一区域上方具有未暴露所述顶层的所述金属布线表面的开口；

有机钝化层，填充在所述开口中，且所述有机钝化层的上表面高于所述第二区域上方的无机钝化层的上表面。

可选的，所述无机钝化层为单层或叠层，所述无机钝化层的材料选自氧化物、氮化物、氮氧化物以及包括碳作为其主要成分的无机材料的至少一种。

可选的，所述有机钝化层的材料选自聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚乙烯醇、聚异丁烯、聚氨酯弹性海绵、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯丁二烯、天然橡胶、聚丙烯腈、聚双苯酚碳酸酯、聚氯醚、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷和聚四氟乙烯中的至少一种。

可选的，所述开口的深度为1.5μm～2μm。

可选的，所述开口底部的无机钝化层的厚度为

可选的，所述半导体器件为电容式传感器，所述第一区域为感测区，所述第二区域为逻辑区。

本发明还提供一种电子设备，包括上述之一的半导体器件。

可选的，所述电子设备为触控设备或指纹识别设备。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

1、去除了所述第一区域上方部分厚度的无机钝化层，形成了用于增厚有机钝化层的开口，由此，既减薄了第一区域上方的无机钝化层，又增厚了第一区域上方的有机钝化层，从而可以降低寄生电容，改善器件性能；

2、由于涂覆在第二区域上方的有机钝化层的厚度不受影响，因此不会影响有机钝化层的光刻效果，可以避免因有机钝化层整体涂覆厚度较厚而引起的浮渣等问题；

3、可以使用同一张光掩模版来定义无机钝化层的刻蚀区域(即减薄区域)以及有机钝化层的保留区域(即增厚区域)，因此不会增加光掩模成本。

附图说明

图1是一种电容式传感器的剖面结构示意图；

图2是本发明具体实施例的半导体器件的制造方法流程图；

图3a至图3e是图2所示的制造方法中的器件剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术中所述，一些电容型传感器的表面钝化常常采用二氧化硅层、氮化硅层以及聚酰亚胺层依次层叠的方式实现，具体地，请参考图1，所述电容型传感器包括：具有感测区i和逻辑区ii的半导体衬底100、感测电极(可以是像素电极)、金属布线(m1～m3、tm)、二氧化硅层101、氮化硅层102以及聚酰亚胺层(polyimide)103。其中，二氧化硅层101、氮化硅层102以及聚合物层(polyimide)103依次层叠在所述金属布线tm的上方，构成表面钝化结构，能够把器件与周围环境气氛隔离开来，阻挡外来物沾污所述电容型传感器的器件表面，例如有害的杂质离子na+、水汽、尘埃等，控制和稳定器件表面的电学特征，如表面电导及表面态等，保护器件内部的金属布线以及防止器件受到机械和化学损伤，提高器件性能的稳定性和可靠性，具体地，二氧化硅层101与金属布线tm直接接触的，用于控制和稳定电容型传感器芯片表面的电学性质，控制固定正电荷和降低表面复合速度，使器件稳定工作；氮化硅层102形成在二氧化硅层101的表面上，能吸收和阻挡钠离子等向半导体衬底100衬底扩散，具有隔离并为金属布线和端点金属化提供机械保护作用，既是杂质离子的壁垒，又使器件表面具有良好的力学性能；聚酰亚胺层103形成在氮化硅层102的表面上，能够使表面钝化保护作用更好并且使金属化层不受机械擦伤。此外，所述多个感测电极设置在感测区i中，用于感测物体接触，例如手指触摸等；金属布线m1～m3和tm依次层叠，用于连接感测电极和逻辑区ii中的逻辑电路，将感测电极感测到相应的电容变化(例如金属布线tm和人体皮肤之间的电容器的电容变化)传输到逻辑区ii中的逻辑电路，进而使得逻辑区ii中的逻辑电路能够根据所述电容变化来确定具体的用户触摸操作或者人体生物信息等等，所述电容变化cfinger′＝cpassivation+cpolyimide+cfinger，式中，cpassivation为手指等与感测区i的接触部分中由二氧化硅层101和氮化硅层102产生的寄生电容，cpolyimide为手指等与感测区i的接触部分中由聚酰亚胺层103产生的寄生电容，cfinger为手指等等与感测区i的接触而产生的接触电容。

为了降低上述电容型传感器的寄生电容，提高其感测结果的准确性，通常会通过提高氮化硅层102表面上涂覆的聚酰亚胺层103的厚度来实现，但较厚的聚酰亚胺层会影响后续光刻的效果，导致浮渣等问题。

基于此，本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子设备，能够增加聚酰亚胺层等有机钝化层的厚度，并减少氮化硅和氧化硅等无机钝化层的厚度，从而在降低寄生电容的同时，不会影响有机钝化层的光刻效果，保证了器件性能。

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。

请参考图2，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

s1，提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成电连通所述第一区域和第二区域的至少一层金属布线；

s2，在顶层的所述金属布线的表面上覆盖无机钝化层；

s3，去除所述第一区域上方部分厚度的无机钝化层，以形成开口；

s4，形成填充在所述开口中的有机钝化层，且所述有机钝化层的上表面高于所述第二区域上方的无机钝化层的上表面。

请参考图3a，在步骤s1中，提供的半导体衬底300可以是本领域技术人员熟知的任意半导体材料，此半导体材料可包括但不限于：si(硅)、sic(碳硅)、sige(锗硅)、sigec(碳锗硅)、ge合金、geas(砷锗)、inas(砷化铟)、inp(磷化铟)以及其它ⅲ-ⅴ或ⅱ-ⅵ族化合物半导体。半导体衬底300不限于体材料，还可以包括外延层(如si基底上外延sige)或者分层半导体，如绝缘体上硅(soi)、绝缘体上sige(sgoi)等。半导体衬底300包括各种隔离结构用于定义出各个器件区域，这些隔离结构可以包括不同结构，并且可以由不同的处理技术来形成。例如半导体衬底300包括通过浅沟槽隔离结构(未图示)划分出第一区域i和第二区域ii，其中第一区域i为感测区，该区域中形成有至少一个感测元件(未图示)，用于感测手指、手写笔或类似物的触摸的存在及位置或者感测任意手指指纹等；第二区域ii为逻辑区，用于为第一区域i中的元器件提供输入信号以及接收和处理第一区域i中的元器件输出的信号，尤其是能够根据第一区域i中的感测元件感测到的电容变化来确定相应的触控操作或者指纹图案。在步骤s1中，可以通过铜互连工艺等布线技术在所述半导体衬底300的表面上形成电连通所述第一区域i和第二区域ii的至少一层金属布线301，金属布线301同时分布在第一区域i和第二区域ii的上方。本实施例中，在半导体衬底300的表面上依次形成底层的金属布线m1、中间各层的金属布线mx以及顶层的金属布线tm，相邻两层金属布线之间填充有金属层间介质301a，且相邻两层金属布线通过贯穿相应的金属层间介质301a的导电通孔(via)结构电连通，底层的金属布线m1通过相应的导电插塞(contact，未图示)分别与第一区域i和第二区域ii中相应的元器件电连接，从而实现所述第一区域i和第二区域ii的电连通，使得第二区域ii的元器件能为第一区域i中的元器件提供相应的输入信号以及接收和处理第一区域i中的元器件输出的信号。其中金属布线301的形成工艺并非本发明的重点，在此不再赘述

请继续参考图3a，在步骤s2中，在顶层的金属布线tm及其暴露出的金属层间介质的表面上依次沉积第一无机钝化层302a和第二无机钝化层302b以作为本发明的无机钝化层(passivation)，其中，第一无机钝化层302a与金属布线tm的表面直接接触，能够控制和稳定器件表面的电学性质，控制固定正电荷和降低器件表面复合速度，使器件稳定工作；第二无机钝化层302b能吸收和阻挡钠离子、水汽、氧、尘埃等杂质或污染物向半导体衬底300衬底扩散，具有隔离并为金属布线和端点金属化提供机械保护作用，既是杂质离子的壁垒，又使器件表面具有良好的力学性能。具体地，第一无机钝化层302a和第二无机钝化层302b的材料可以分别选自氧化物、氮化物、氮氧化物以及包括碳作为其主要成分的无机材料的至少一种，例如第一无机钝化层302a的材料可以为二氧化硅(sio2)，第二无机钝化层302b的材料不同于第一无机钝化层302a，可以为磷硅玻璃(psg)、二氧化硅、氮化硅(sin)、氧化铝(al2o3)、氧化氮硅(sino，成分比n＞o)、氮氧化硅(sion，成分比n＜o)或者包括碳作为其主要成分的无机薄膜材料(类金刚石碳dlc膜、cn膜等等)等等。其中，二氧化硅的形成工艺可以选自热氧化、热分解淀积、化学气相沉积、溅射、真空蒸发、阳极氧化、外延淀积等等，例如采用硅烷sih4和氧气作为反应气体、反应温度取250℃～500℃的低温化学气相沉积来形成二氧化硅以作为第一无机钝化层302a；磷硅玻璃(psg)的形成工艺可以是低温化学气相沉积(例如将磷烷ph3加到硅烷sih4和氧的化学汽相淀积反应过程)，或者，在高温下对热生长的sio2通含磷(p)的蒸汽(例如在硅热氧化过程中通入少量三氯氧磷蒸汽)；氮化硅的形成工艺可以是直流溅射、射频溅射等物理汽相淀积，也可以是等离子体辅助法(pecvd)等化学气相淀积。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，无机钝化层302不限定与双层的叠层结构，也可以是单层结构，还可以是三层及以上的叠层结构。

请参考图3a和3b，在步骤s3中，首先，在所述无机钝化层302(即第二无机钝化层302b)的表面上涂覆光刻胶，涂覆的光刻胶覆盖在第一区域i和第二区域ii上方；然后，使用相应的光掩膜版304对涂覆的光刻胶进行曝光、显影等一系列光刻处理，形成暴露出所述第一区域i上方的无机钝化层302(即第二无机钝化层302b)表面的图案化光刻胶303；然后，以所述图案化光刻胶303为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度的所述暴露出的无机钝化层，即对第一区域i上方的无机钝化层302进行减薄，以形成所述开口305，本实施例中，由于无机钝化层302由第一无机钝化层302a和第二无机钝化层302b层叠而成，此次对第一区域i上方的无机钝化层302进行刻蚀时，完全去除第一区域i上方的第二无机钝化层302b并刻蚀去除大部分厚度的第一无机钝化层302a，形成深度h1为1.5μm～2μm的开口305，且开口305底部的第一无机钝化层302a厚度h2保留有

此外，需要说明的是，本步骤中涂覆的光刻胶选择负性的还是正性的，这取决于所使用的光掩模版304的图案304a的色调，因为负性光刻胶经光照后形成不可溶物质，能把与光掩膜版上的图案相反的图案复制和转移；而正性光刻胶经光照后变成可溶物质，能把与光掩膜版上的图案相同的图案复制和转移，所以，当本步骤中使用的光掩膜版304为步骤s4中用于制造有机钝化层的光掩膜版，且该光掩膜版对应的有机钝化层的图案304a的色调为透光的色调，即该光掩膜版对应所述开口的图案的色调为透光的色调时，本步骤中涂覆的光刻胶为正性光刻胶，经过曝光处理后，第一区域i上方的光刻胶部分被光照后变为可溶物质，再经过显影等光刻处理而去除，而第二区域ii上方的光刻胶不溶解而得以保留，由此形成图案化光刻胶303；而当本步骤中使用的光掩膜版304为步骤s4中用于制造有机钝化层的光掩膜版，且该光掩膜版对应的有机钝化层的图案的色调为不透光的色调(darktone)，即所述光掩膜版304a对应所述开口的图案的色调为不透光的色调时，所述光刻胶为负性光刻胶，经过曝光处理后，第二区域ii上方的光刻胶部分被光照后变为不可溶物质，再经过显影等光刻处理而去除第一区域i上方未经光照的部分，由此形成图案化光刻胶303。

请参考图3c至3e，在步骤s4中，首先，可以通过旋涂等工艺在开口305的表面以及无机钝化层302的表面上涂覆一定厚度的具有感光特性(即可以直接通过光刻工艺进行图案化)的有机钝化层306，即涂覆的有机钝化层306覆盖在第一区域i上方的第一无机钝化层302a以及第二区域ii上方的第二无机钝化层302b的表面上，有机钝化层306的涂覆厚度足以填满开口305，且在第一区域i上方的有机钝化层306的顶部高于第二区域ii的第二无机钝化层302b的顶部；接着，采用掩膜版304对涂覆的有机钝化层306进行光刻，进而去除第二区域ii中的有机钝化层部分而保留第一区域i上方的有机钝化层306a；然后，对所述第一区域i上方(即图3b的开口305区域内)的有机钝化层306a进行固化，使有机钝化层306a变得致密，以形成填充在所述开口305中的有机钝化层306b。有机钝化层306b的上表面高出第二区域ii上方的无机钝化层302的上表面(即如第二无机钝化层302b的上表面)。

需要说明的是，本步骤中涂覆的有机钝化层306的材料也可以是不感光的，无法直接通过曝光、显影等光刻工艺进行图案化，此时，需要先在涂覆的有机钝化层306表面上再形成一层光刻胶，该光刻胶的材料性质(即正性还是负性)与步骤s3中形成开口305时使用的光刻胶的材料性质相反，然后使用所述掩膜版304对再次形成的光刻胶进行光刻，以形成光刻胶掩膜层；接着以光刻胶掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀等工艺刻蚀涂覆的有机钝化层306，进而去除第二区域ii上方的有机钝化层而保留第一区域i上方的有机钝化层306a，然后可以对所述第一区域i上方(即图3b的开口305区域内)的有机钝化层306a进行固化，使有机钝化层306a变得致密，以形成填充在所述开口305中的有机钝化层306b。

可选的，步骤s4中涂覆的所述有机钝化层306的材料可以选自聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚乙烯醇、聚异丁烯、聚氨酯弹性海绵、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯丁二烯、天然橡胶、聚丙烯腈、聚双苯酚碳酸酯、聚氯醚、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷和聚四氟乙烯中的至少一种。

请参考图3e，步骤s4中形成的有机钝化层306b与图1所示的有机钝化层103相比，有机钝化层306b底部的无机钝化层302的厚度较薄，且有机钝化层306的下表面相当于内陷在无机钝化层302中，上表面至少可以维持与有机钝化层103相同的高度，即有机钝化层306b相对有机钝化层103至少增加了第一区域i中无机钝化层302减薄的厚度，由此形成的半导体器件的寄生电容会大大降低，性能大大提高。

由上所述，本发明的半导体器件的制造方法，首先，去除了所述第一区域上方部分厚度的无机钝化层，即对第一区域上方的无机钝化层进行减薄，同时在第一区域上方的无机钝化层表面上形成有机钝化层，且有机钝化层的上表面高出第二区域上方的无机钝化层的上表面，即增大了有机钝化层的厚度，从而可以降低寄生电容，改善器件性能；其次，由于涂覆在第二区域上方的有机钝化层的厚度不受影响，因此不会影响有机钝化层的光刻效果，避免浮渣等问题；此外，可以使用同一张光掩模版来定义无机钝化层的刻蚀区域以及有机钝化层的保留区域，因此不会增加光掩模成本。本发明的半导体器件的制造方法，工艺简单，成本低，能够降低表面钝化产生的寄生电容，提高器件性能，适用于触控传感器、指纹识别传感器等电容式传感器的制造。

请参考图3e，本发明还提供一种半导体器件，包括：具有第一区域i和第二区域ii的半导体衬底300，至少一层金属布线301、无机钝化层302以及有机钝化层306b。

其中，金属布线301用于电连通所述第一区域i和第二区域ii中相应的元器件，可以为依次形成在所述半导体衬底的表面上的多层叠层结构(即多层金属互连结构)，例如包括底层的金属布线m1、中间层的金属布线mx以及顶层的金属布线tm，相邻两层金属布线之间填充有金属层间介质301a，相邻两层金属布线通过导电通孔结构电连接，底层的金属布线m1通过相应的导电插塞与第一区域i和第二区域ii中相应的元器件电连接。

无机钝化层302覆盖在顶层的所述金属布线tm的表面上，可以是单层结构，也可以是叠层结构，其材料可以选自氧化物、氮化物、氮氧化物以及包括碳作为其主要成分的无机材料的至少一种。且在所述第一区域i上方具有未暴露所述顶层的金属布线tm上表面的开口(未图示)，所述开口的深度可以为1.5μm～2μm，所述开口底部的无机钝化层302的厚度可以为例如本实施例中，无机钝化层302包括第一无机钝化层302a和第二无机钝化层302b依次层叠形成的叠层结构，且第一无机钝化层302a覆盖在第一区域i和第二区域ii上方，第一无机钝化层302a在第一区域i上方的厚度(可以为)小于其在第二区域ii上方的厚度以形成所述开口，第二无机钝化层302b仅覆盖在第二区域ii上方的第一无机钝化层302a的表面上。

有机钝化层306b填充在所述开口中，即所述有机钝化层306b仅位于第一区域i的上方，且所述有机钝化层306b的上表面高于所述第二区域ii上方的无机钝化层302的上表面(即第二无机钝化层302b的上表面)。有机钝化层306b作为表面钝化的一部分，可以缓解无机钝化层302产生的应力，防止无机钝化层302的剥落或出现裂缝等问题，同时还能进一步提高污染物阻挡效果。所述有机钝化层306b的材料可以选自聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚乙烯醇、聚异丁烯、聚氨酯弹性海绵、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯丁二烯、天然橡胶、聚丙烯腈、聚双苯酚碳酸酯、聚氯醚、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷和聚四氟乙烯中的至少一种。限于篇幅的原因，并不能对所有可能的材料进行穷举，此处仅列出几种具体的聚合物材料从人们参考，但是显然这些具体的材料并不能成为本发明保护范围的限制性因素，因为在发明的启示下，本领域的技术人员根据这些材料所具有的摩擦电特性很容易选择其他类似的材料。

本发明的半导体器件可以为触控传感器、指纹识别传感器等电容式传感器，此时，所述第一区域i可以为用于感测触摸或者指纹的感测区，所述第二区域ii为向第一区域i中的元器件(包括感测电极)输入信号、接收和处理第一区域i中的元器件输出信号的逻辑区。

此外，本发明还提供一种电子设备，包括上述之一的半导体器件，所述电子设备为触控设备或指纹识别设备。

由上所述，本发明的半导体器件及电子设备，其第一区域上方的无机钝化层相比第二区域上方的无机钝化层薄，两个区域中无机钝化层的高度差来增加有机钝化层的厚度，由此大大降低了寄生电容，提高了器件性能。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。