一种硅片晶圆激光切割工艺的制作方法

文档序号:13770376阅读:230来源:国知局

本发明涉及芯片划片行业,具体涉及一种硅片晶圆激光切割工艺。



背景技术:

随着科技发展,电子产业突飞猛进,各种集成、控制电路需求急剧增长,对芯片封装的需求也增长迅猛。

芯片封装是指,将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上,然后利用引线将芯片与框架引脚相连接,最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来,外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封,使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时,不受外界湿度、灰尘的影响,同时提供良好的抗机械振动或冲击保护,提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上,增加了散热面积,提高了芯片的运行可靠性。

硅片在进行切割过程中,需要确保切割的精度和切刀走刀的准确性。

现需要一种硅片晶圆激光切割工艺,以期可以解决上述技术问题。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种硅片晶圆激光切割工艺,以弥补现有测量过程中的不足。

为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片晶圆激光切割工艺,步骤如下:

(1)准备工作:穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;

(2)对来料进行检验:检验内容包括,芯片无碎裂现象;

(3)划片操作:具体步骤依次包括,

a按“激光划片机操作规程”开启激光划片机,戴上激光防护眼镜;

b将待切割芯片背面向上放在划片机平台上,紧贴着基准靠山;

c启动切割程序,使激光划片机处于工作状态,调节激光器上微动旋钮,使激光的焦点上下移动;

d调节切割机电流旋钮调节电流强度,使切割的硅片易于用手掰开;

e调节好以后即可以进行划片;

f对划好的芯片进行逐片自检,使划出的芯片基本符合尺寸要求。

优选地,在步骤f中,误差不超过0.2毫米。

优选地,在步骤中c中,当激光打在芯片上散发的火花绝大部分向上窜并听到清脆的切割声音时即焦距调好。

优选地,在步骤中,在步骤2中,每片不超过2个大于1mm的缺角或者缺块,每片细栅断线不超过1根,断线长度不超过1毫米。

本发明的一种硅片晶圆激光切割工艺,切割过程确保走刀位置的准确性,和切割的精度,操作简单,切割速度快,误差极小。

具体实施方式

本发明的目的是提供一种硅片晶圆激光切割工艺,以弥补现有测量过程中的不足。

本发明的目的是提供一种硅片晶圆激光切割工艺,以弥补现有测量过程中的不足。

为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片晶圆激光切割工艺,步骤如下:

(1)准备工作:穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;

(2)对来料进行检验:检验内容包括,芯片无碎裂现象;

(3)划片操作:具体步骤依次包括,

a按“激光划片机操作规程”开启激光划片机,戴上激光防护眼镜;

b将待切割芯片背面向上放在划片机平台上,紧贴着基准靠山;

c启动切割程序,使激光划片机处于工作状态,调节激光器上微动旋钮,使激光的焦点上下移动;

d调节切割机电流旋钮调节电流强度,使切割的硅片易于用手掰开;

e调节好以后即可以进行划片;

f对划好的芯片进行逐片自检,使划出的芯片基本符合尺寸要求。

其中,在步骤f中,误差不超过0.2毫米。

其中,在步骤中c中,当激光打在芯片上散发的火花绝大部分向上窜并听到清脆的切割声音时即焦距调好。

其中,在步骤中,在步骤2中,每片不超过2个大于1mm的缺角或者缺块,每片细栅断线不超过1根,断线长度不超过1毫米。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。



技术特征:

技术总结
本发明涉及芯片划片行业,具体涉及一种硅片晶圆激光切割工艺,包括以下步骤:准备工作:穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;对来料进行检验:检验内容包括,芯片无碎裂现象;划片操作。本发明的一种硅片晶圆激光切割工艺,切割过程确保走刀位置的准确性,和切割的精度,操作简单,切割速度快,误差极小。

技术研发人员:徐志华;葛建秋;张彦
受保护的技术使用者:江阴苏阳电子股份有限公司
技术研发日:2017.11.23
技术公布日:2018.02.23
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