一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔，所述盲孔穿过所述第一绝缘层且孔底位于所述晶圆，所述第一绝缘层背离所述晶圆的表面具有微凸镜；将第二绝缘层形成于所述盲孔的孔壁，然后在具有所述第二绝缘层的所述盲孔内填充导电材料，将所述结合层内与所述微凸镜和IC信号连接的导线引至所述第一绝缘层的表面并与所述导电材料电性连接；

将透明基材固定于所述第一绝缘层具有所述微凸镜的表面，将挡片晶片形成于所述透明基材的表面，然后对所述晶圆进行磨薄以使得所述盲孔内的所述导电材料露出。

2.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，磨薄前的所述晶圆厚度为700～1000μm，磨薄后的所述晶圆厚度为20～100μm。

3.根据权利要求2所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，磨薄后的所述晶圆厚度为40～70μm。

4.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，所述导电材料包括铜。

5.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，所述透明基材利用透光粘合胶固定于所述第一绝缘层的表面。

6.根据权利要求1或5所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，所述透明基材的材质包括蓝宝石、石英玻璃或氧化镁。

7.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，所述微凸镜与所述盲孔所在的区域分别为第一安装区和第二安装区，所述第一安装区与所述第二安装区互不重叠，所述透明基材设置在所述第一安装区。

8.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，所述透明基材覆盖于所述结合层的整个表面。

9.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，对所述晶圆进行磨薄后，还包括将第三绝缘层形成于磨薄后的所述晶圆表面并使得所述导电材料露出，然后将金属凸块形成于所述第三绝缘层并与所述导电材料电连接。

10.一种COMS影像传感封装结构，其特征在于，其由权利要求1-9任一项所述的COMS影像传感封装结构的制作方法制成。