高亮度大功率SMD型LED的制作方法

文档序号:11449837阅读:373来源:国知局
高亮度大功率SMD型LED的制造方法与工艺

本实用新型属于LED封装技术领域,特别涉及高亮度大功率SMD型LED。



背景技术:

现有技术的大功率型SMD LED存在散热低、亮度低、光衰快等缺陷。



技术实现要素:

基于此,针对现有技术,本实用新型的所要解决的技术问题就是提供一种高散热、高亮度、光色均匀和高可靠性的高亮度大功率SMD型LED。

本实用新型的技术方案为:

一种高亮度大功率SMD型LED,包括LED支架电极、LED晶片、陶瓷主支架、铜材碗杯,所述铜材碗杯设在所述陶瓷主支架上,所述LED支架电极设在所述铜材碗杯空腔中,所述LED晶片设在所述LED支架电极上,所述LED 支架电极与所述铜材碗杯之间填充陶瓷粉,所述LED晶片通过进行与所述LED 支架电极电连接形成电气通路。

在其中一个实施例中,所述铜材碗杯上表面附有镀银层。

在其中一个实施例中,所述镀银层厚度80~120微米。

在其中一个实施例中,所述LED支架电极包括LED支架正极和LED支架负极,至少两颗所述LED晶片固晶在所述LED支架负极上。

在其中一个实施例中,所述陶瓷主支架中部设有容置所述铜材碗杯的凹槽。

在其中一个实施例中,所述铜材碗杯的铜材厚度0.2-0.4mm。

在其中一个实施例中,所述LED支架长3.2mm,宽3.0mm,厚0.52-0.6mm。

相对现有技术,本实用新型的高亮度大功率SMD型LED,铜材碗杯表面镀银,增加了支架散热面积、快速的导出热量、光衰低,银的光泽度高,能将LED 晶片发出的光尽量多的导出来,提升LED的发光亮度。

附图说明

图1为本实用新型的高亮度大功率SMD型LED俯视结构示意图;

图2为本实用新型的高亮度大功率SMD型LED主视结构示意图。

以上图中,10--LED支架电极;11--LED支架正极;12--LED支架负极; 20--LED晶片;30--陶瓷主支架;40--铜材碗杯;50--镀银层。

具体实施方式

下面参考附图并结合实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。

图1和图2分别给出了本实用新型的高亮度大功率SMD型LED主视和结构示意图,由图可知,该高亮度大功率SMD型LED,包括LED支架电极10、 LED晶片20、陶瓷主支架30、铜材碗杯40,铜材碗杯40设在陶瓷主支架30 上,LED支架电极10设在铜材碗杯40空腔中,LED晶片20设在LED支架电极10上,LED支架电极10与铜材碗杯40之间填充陶瓷粉,LED晶片20 通过进行与LED支架电极电连接形成电气通路。

铜材碗杯40上表面附有镀银层50。镀银层50厚度80~120微米。LED支架电极10包括LED支架正极11和LED支架负极12,至少两颗LED晶片固晶在LED支架负极12上。陶瓷主支架10中部设有容置铜材碗杯40的凹槽。铜材碗杯50的铜材厚度0.2-0.4mm。

从上面可知,本实用新型的高亮度大功率SMD型LED,铜材碗杯表面镀银,增加了支架散热面积、快速的导出热量、光衰低,银的光泽度高,能将LED晶片发出的光尽量多的导出来,提升LED的发光亮度。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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