本实用新型属于半导体、微电子产品的离子束加工技术领域，具体涉及一种离子束采集器。
背景技术：
等离子体产生后，在有效离子束通道上，离子束的束流密度都是不均匀的，但是在利用等离子体进行刻蚀加工时，最理想的状态就是离子束的束流密度均匀，这样就可以获得均匀性良好的刻蚀效果，这在各种离子束刻蚀技术中都是最为重要的。
传统的获得良好束流密度均匀性的方法有两种，一种是调整离子源的参数与设计结构，使得从离子源引出的离子束均匀，但由于离子束被束缚的磁场本身不均匀，加上离子带电的互斥作用，很难保证从离子源总引出的离子束的绝对均匀，只能是获得相对均匀的离子束，当这种离子源自身离子束均匀性达不到刻蚀要求时，就必须在离子源与刻蚀样品之间建立异型的物理遮挡机构，不断通过调整物理遮挡机构的几何形状，与离子束密度特征进行抵消，在每次设计出物理遮挡装置时，都需要测试刻蚀均匀性，如尚未达到修正效果，就需要针对性的对物理遮挡装置的几何形状进行加工。
在测试刻蚀均匀性时，一种方案是对刻蚀样品表面进行大范围的刻蚀深度测量，以获得样品均匀性的两维曲线，但在较大样品中，上述测量不易实现，原因有二。因为半导体、微电子行业已经发展到微纳米尺度，能够测量深度的仪器非常昂贵，并且仪器可以测量的样品面积很小，对于大样品进行一次测量或许是很困难，或代价很大的事，甚至必须要对样品进行切割再测量，当遇到切割困难的，这件事情很难完成。另一方面，有很多样品是很昂贵的，因此如果要通过刻蚀后测量样品获得实际的均匀性误差数据，再据此调整物理遮挡机构的几何形状，则经济代价很大。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是提供一种离子束采集器，以减少或避免前面所提到的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种离子束采集器，其用于在真空腔室中对离子源所发出的离子束进行束流密度检测，其包括一个底座，所述底座设置有至少一个滑轨，所述滑轨上可滑动连接有安装架，所述安装架包括底板，所述底板上设置有两块与所述滑轨的轴线垂直的支架板，两块所述支架板之间连接有台板，所述台板上竖直设置两个L形安装耳片，在两个所述形安装耳片之间连接有一个U形安装板，所述U形安装板上设置有多个离子束采集器。
优选地，所述离子束采集器是法拉第杯。
优选地，所述L形安装耳片设置有中空通槽。
优选地，所述底板设置有齿条结构，所述底座设置有与步进电机连接的传动齿轮。
本实用新型所提供的一种离子束采集器，结构简单，可在不需要进行样品刻蚀的情况下，在真空腔室中采集到真实工况下的离子束的束流密度信息，从而可以很少的经济代价来调整物理遮挡机构的几何形状。
附图说明
以下附图仅旨在于对本实用新型做示意性说明和解释，并不限定本实用新型的范围。其中，
图1为根据本实用新型的一个具体实施例的一种离子束采集器的结构示意图。
具体实施方式
为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本实用新型的具体实施方式。其中，相同的部件采用相同的标号。
图1为根据本实用新型的一个具体实施例的一种离子束采集器的结构示意图。参见图1所示，本实用新型提供了一种离子束采集器，其用于在真空腔室(图中未示出)中对离子源(图中未示出)所发出的离子束进行束流密度检测，其包括一个底座1，所述底座1设置有至少一个滑轨11，所述滑轨11上可滑动连接有安装架2，所述安装架2包括底板21，所述底板21上设置有两块与所述滑轨11的轴线垂直的支架板22，两块所述支架板22之间连接有台板23，所述台板23上竖直设置两个L形安装耳片24，在两个所述L形安装耳片24之间连接有一个U形安装板3，所述U形安装板3上设置有多个离子束采集器4。
当需要在真空腔室中对离子源(特别是条形离子源)所发出的离子束进行束流密度检测时，只需要将所述底座1放置在离子源前方，使所述离子束采集器4与离子源的距离等于实际刻蚀时工件与离子源的距离，启动离子源，使所述安装架2沿所述滑轨11滑动，即可通过所述离子束采集器4采集到束流密度信息。
所述离子束采集器4可以是法拉第杯。
所述L形安装耳片24可设置有中空通槽241，这样可便于调节所述U形安装板3的安装位置，也就是便于调节所述离子束采集器4与所述离子源的距离。
所述L形安装耳片24可保障所述U形安装板3与所述台板23平行，也就是说，可根据实际刻蚀时工件与离子源所发射的离子束的夹角来设定所述台板23与离子束的夹角，从而可确保所述离子束采集器4采集的束流密度信息能够与实际刻蚀时的离子束工作情况对应。
所述底板21可设置有齿条结构211，所述底座1可设置有与步进电机(图中未示出)连接的传动齿轮12，这样就可以方便的通过所述传动齿轮12与所述齿条结构211的啮合控制所述安装架2沿所述滑轨11滑动。从而也就实现了在不打开真空室的情况下，可采集到同一个离子源的多组数据。
本实用新型所提供的一种离子束采集器，结构简单，可在不需要进行样品刻蚀的情况下，在真空腔室中采集到真实工况下的离子束的束流密度信息，从而可以很少的经济代价来调整物理遮挡机构的几何形状。
本领域技术人员应当理解，虽然本实用新型是按照多个实施例的方式进行描述的，但是并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案。说明书中如此叙述仅仅是为了清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体加以理解，并将各实施例中所涉及的技术方案看作是可以相互组合成不同实施例的方式来理解本实用新型的保护范围。
以上所述仅为本实用新型示意性的具体实施方式，并非用以限定本实用新型的范围。任何本领域的技术人员，在不脱离本实用新型的构思和原则的前提下所作的等同变化、修改与结合，均应属于本实用新型保护的范围。