一种大空间使用的负离子发生器的制作方法

本实用新型涉及电气设备领域，特别是一种工作时能持续释放高浓度小粒径负离子，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能满足空间大的区域使用(比如单位办公室、教室)的一种大空间使用的负离子发生器。

背景技术：

目前，现有的小型负离子发生器，由于受其构造所限，工作时一般释放大粒径负离子，功率小，负离子释放量小，负离子抛射半径短，主要应用于家庭、汽车等空间小的地方使用，在空间大的区域(比如教室、单位办公室)不能正常使用，不能给空间大的区域提供足够量的负离子；现有的大功率负离子发生器，采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流，然后在后续电路作用下向空间释放负离子，可控硅作为核心部件产生脉冲电流最大不足是工作频率低，因而导致后续电路释放负离子时，负离子发射距离近，穿透距离短，而且在工作时易产生高温，导致负离子释放量大幅下降。

技术实现要素：

为了克服现有的小型负离子发生器，由于受其构造所限，工作时释放大粒径负离子，功率小，负离子释放量小，负离子抛射半径短，在空间大的区域不能正常使用，不能给空间大的区域提供足够量的负离子；以及现有的大功率负离子发生器，因采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流，可控硅作为核心部件产生脉冲电流工作频率低，导致后续电路释放负离子时，负离子发射距离近，穿透距离短，在工作时易产生高温，导致负离子释放量大幅下降的弊端，本实用新型提供了一种使用稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用，产生高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足空间大的区域使用(比如单位办公室、教室)的一种大空间使用的负离子发生器。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成，桥式整流输入电路电源输入端和220V交流电源通过导线连接，桥式整流输入电路正极电源输出端和稳压集成控制电路正极电源输入端、高频变压器初次绕组一端通过导线连接，稳压集成控制电路电源输出端和高频变压器初次绕组另一端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端通过导线连接，光耦电压控制电路信号输出端和稳压集成控制电路反馈信号输入端通过导线连接，多倍整流电路电源输出端和负离子释放单元一端通过导线连接，桥式整流输入电路负极电源输出端和稳压集成控制电路负极电源输入端、高频变压器次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端通过导线接地，桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。

所述的桥式整流输入电路由硅整流二极管和保险丝、电解电容组成，硅整流二极管有四只，保险丝一端和第一只硅整流二极管负极、第二只硅整流二极管正极通过导线连接，第三只硅整流二极管负极和第四只硅整流二极管正极通过导线连接，第二只硅整流二极管正极和第四只硅整流二极管正极、电解电容正极通过导线连接，第一只硅整流二极管负极和第三只硅整流二极管正极、电解电容负极通过导线接地。

所述的稳压集成控制电路由AC-DC转换开关电路、电解电容、瞬变二极管、电阻和瓷片电容组成稳压集成控制电路，AC-DC转换开关管型号是TOP223YN，电阻一端和瓷片电容一端通过导线连接，电阻另一端和瞬变二极管负极、瓷片电容另一端通过导线连接，瞬变二极管正极和AC-DC转换开关管A1输出端3脚通过导线连接，AC-DC转换开关管的控制端2脚和电解电容正极通过导线连接，AC-DC转换开关管的输入端1脚和电解电容负极第二只瓷片电容一端通过导线接地，第二只瓷片电容另一端和第三只瓷片电容一端通过导线连接，第三只瓷片电容另一端通过导线接地。

所述的光耦电压控制电路由硅整流二极管、瓷片电容、电阻、光耦和三端并联稳压二极管组成，瓷片电容和硅整流二极管各有两只，电阻有三只，第一只硅整流二极管负极和第一只电阻一端、光耦内藏的光电三极管集电极通过导线连接，第一只电阻另一端和光耦内藏的发光二极管正极通过导线连接，三端并联稳压二极管的阳极和光耦内藏的发光二极管负极通过导线连接，第一只瓷片电容另一端和三端并联稳压二极管的阴极、第二只瓷片电容一端、第三只电阻一端、第二只硅整流二级管正极通过导线接地，第三只电阻另一端和第二只瓷片电容另一端、第二只电阻一端、三端并联稳压二极管的参考电压输入端通过导线连接。

所述的多倍整流电路由电容和硅整流二极管组成，电容是CBB高频电容，电容有十只，硅整流二极管有九只，第一只电容一端和第一只硅整流二极管负极通过导线连接，第一只电容另一端和第二只电容一端通过导线连接，第二只电容另一端和第二只硅整流二极管正极、第三只硅整流二极负极、第三只电容一端通过导线连接，第三只电容另一端和第四只硅整流二极管正极、第五只硅整流二极管负极、第四只电容一端通过导线连接，第四只解电容另一端和第六只硅整流二极管正极、第七只硅整流二极管负极、第五只电容一端通过导线连接，第五只电容另一端和第八只硅整流二极管正极、第九只硅整流二极管负极通过导线连接，第六只电容一端和第一只硅整流二极管正极、第二只硅整流二极管负极、第七只电容一端通过导线连接，第七只电容一端和第三只硅整流二极管正极、第四只硅整流二极管负极、第八只电容一端通过导线连接，第八只电容另一端和第五只硅整流二极管正极、第六只硅整流二极管负极、第九只电容一端通过导线连接，第九只电容另一端和第七只硅整流二极管正极、第八只硅整流二极管负极、第十只电容一端通过导线连接，第十只电容另一端和第九只硅整流二极管正极通过导线连接。

所述的负离子释放单元由滤波电阻和富勒烯负离子释放电极组成，滤波电阻一端分别和富勒烯负离子释放电极一端通过导线连接。

本实用新型有益效果是：工作时，220V交流电源经桥式整流输入电路整流转换为直流电源后，经稳压集成控制电路稳压、转换为交流电源进入高频变压器初级绕组，高频变压器次级绕组输出的电压信号经光耦电压控制电路反馈给稳压集成控制电路，稳压集成控制电路同步实时调整输出电压，使稳压集成控制电路稳压、转换为后交流电源进入高频变压器初级绕组时，处于稳定的状态，保证后续电路平稳运行，确保整个工作电路的稳定有效。高频变压器将稳压集成控制电路输入稳定的交流电源升压后，输入至多倍整流电路，多倍整流电路将输入的电源进行九倍整流升压，输出的高压经负离子释放单元释放到空间，为大空间区域提供足量的负离子。本发明经稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用产生稳定持续的高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足大的区域空间使用；克服了现有的小型负离子发生器，由于受其构造所限，工作时释放大粒径负离子，功率小，负离子释放量小，负离子抛射半径短，在空间大的区域不能正常使用，不能给空间大的区域提供足够量的高浓度小粒径负离子，以及现有的大功率负离子发生器，因采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流，然后在后续电路作用下向空间释放负离子，可控硅作为核心部件产生脉冲电流工作频率低，导致后续电路释放负离子时，负离子发射距离近，穿透距离短，不能给空间大的区域空间提供足够量的高浓度小粒径负离子，而且在工作时易产生高温，导致负离子释放量大幅下降的弊端。基于以上，本实用新型有好的应用前景。

附图说明

下面结合附图和实施例将本实用新型做进一步说明。

图1是本实用新型工作流程框图。

图2是本实用新型结构示意图。

图3是本实用新型电路图。

具体实施方式

由图1、图2中所示，一种大空间使用的负离子发生器，由桥式整流输入电路1、稳压集成控制电路2、高频变压器3、光耦电压控制电路4、多倍整流电路5、负离子释放单元6、发生器外壳7和机体外壳8构成，桥式整流输入电路1电源输入端和220V交流电源通过导线连接，桥式整流输入电路1正极电源输出端和稳压集成控制电路2正极电源输入端、高频变压器3初次绕组一端通过导线连接，稳压集成控制电路2电源输出端和高频变压器3初次绕组另一端通过导线连接，高频变压器3次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路4两个控制电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路通过导线连接，高频变压器3次级绕组第二个输出端和多倍整流电路5第二电源输入端通过导线连接，高频变压器3次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路4信号输入两端通过导线连接，光耦电压控制电路4信号输出端和稳压集成控制电路2反馈信号输入端通过导线连接，多倍整流电路5电源输出端和负离子释放单元6一端通过导线连接，桥式整流输入电路1负极电源输出端和稳压集成控制电路2负极电源输入端、高频变压器3次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路4负极电源输入端通过导线接地，桥式整流输入电路1、稳压集成控制电路2、高频变压器3、光耦电压控制电路4、多倍整流电路5、负离子释放单元6安装在发生器外壳7内部，发生器外壳7安装在机体外壳8内部。9是电源线，10是电源开关。本新型即可采用吸顶方式安装也可采用壁挂式方式安装。

图1、图2中所示，工作时，220V交流电源经桥式整流输入电路1整流转换为直流电源，并输入至稳压集成控制电路2，经稳压集成控制电路2稳压、转换为交流电源进入高频变压器3初级绕组，高频变压器3次级绕组输出的电压信号经光耦电压控制电路4反馈给稳压集成控制电路2，稳压集成控制电路2同步实时调整输出电压，使稳压集成控制电路2稳压、转换为后交流电源进入高频变压器3初级绕组时，处于稳定的状态，保证后续电路平稳运行，确保整个工作电路的稳定有效。高频变压器3将稳压集成控制电路2输入稳定的交流电源升压后，输入至多倍整流电路5，多倍整流电路5将输入的电源进行九倍整流升压，输出的高压经负离子释放单元6释放到空间，为大空间区域提供足量的负离子。本发明经稳压集成控制电路2、高频变压器3、光耦电压控制电路4相互作用产生稳定持续的高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足大的区域空间使用；克服了现有的小型负离子发生器，由于受其构造所限，工作时释放大粒径负离子，功率小，负离子释放量小，负离子抛射半径短，在空间大的区域不能正常使用，不能给空间大的区域空间提供足够量的高浓度小粒径负离子，以及现有的大功率负离子发生器，因采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流，然后在后续电路作用下向空间释放负离子，可控硅作为核心部件产生脉冲电流工作频率低，导致后续电路释放负离子时，负离子发射距离近，穿透距离短，不能给空间大的区域空间提供足够量的高浓度小粒径负离子，而且在工作时易产生高温，导致负离子释放量大幅下降的弊端。

图3中，由硅整流二极管VD1、VD2、VD3、VD4和保险丝FU，电解电容C1组成桥式整流输入电路，硅整流二极管有四只，保险丝FU一端和第一只硅整流二极管VD1负极、第二只硅整流二极管VD2正极通过导线连接，第三只硅整流二极管VD3负极和第四只硅整流二极管VD4正极通过导线连接，第二只硅整流二极管VD2正极和第四只硅整流二极管VD4正极、电解电容C1正极通过导线连接，第一只硅整流二极管VD1负极和第三只硅整流二极管VD3正极、电解电容C1负极通过导线接地。由AC-DC转换开关电路A1，电解电容C7，瞬变二极管VZ1，电阻R1和瓷片电容C2组成稳压集成控制电路，AC-DC转换开关管A1型号是TOP223YN，电阻R1一端和瓷片电容C2一端通过导线连接，电阻R1另一端和瞬变二极管VZ1负极、瓷片电容C2另一端通过导线连接，瞬变二极管VZ1正极和AC-DC转换开关管A1输出端3脚通过导线连接，AC-DC转换开关管A1的控制端2脚和电解电容C7正极通过导线连接，AC-DC转换开关管A1的输入端1脚和电解电容C7负极、第二只瓷片电容C5一端通过导线接地，第二只瓷片电容C5另一端和第三只瓷片电容C6一端通过导线连接，第三只瓷片电容C6另一端通过导线接地。由硅整流二极管VD5，瓷片电容C4、C7，电阻R2、R3、R4，光耦GO和三端并联稳压二极管A2组成光耦电压控制电路，瓷片电容和硅整流二极管各有两只，电阻有三只，第一只硅整流二极管VD6负极和第一只电阻R3一端、光耦GO内藏的光电三极管集电极通过导线连接，第一只电阻R3另一端和光耦GO内藏的发光二极管正极通过导线连接，三端并联稳压二极管A2的阳极和光耦GO内藏的发光二极管负极通过导线连接，第一只瓷片电容C4另一端和三端并联稳压二极管A2的阴极、第二只瓷片电容C7一端、第三只电阻R4一端、第二只硅整流二级管VD5正极通过导线接地，第三只电阻R4另一端和第二只瓷片电容C7另一端、第二只电阻R2一端、三端并联稳压二极管A2的参考电压输入端通过导线连接。由电容C3、C13、C14、C15、C16、C8、C9、C10、C11、C12和硅整流二极管VD7、VD8、VD9、VD10、VD11、VD12、VD13、VD14、VD15组成多倍整流电路，电容是CBB高频电容，电容有十只，硅整流二极管有九只，第一只电容C3一端和第一只硅整流二极管VD7负极通过导线连接，第一只电容C3另一端和第二只电容C13一端通过导线连接，第二只电容C13另一端和第二只硅整流二极管VD8正极、第三只硅整流二极管VD9负极、第三只电容C14一端通过导线连接，第三只电容C14另一端和第四只硅整流二极管VD10正极、第五只硅整流二极管VD11负极、第四只电容C15一端通过导线连接，第四只电容C15另一端和第六只硅整流二极管VD12正极、第七只硅整流二极管VD13负极、第五只电容C16一端通过导线连接，第五只电容C16另一端和第八只硅整流二极管VD14正极、第九只硅整流二极管VD15负极通过导线连接，第六只电容C8一端和第一只硅整流二极管VD7正极、第二只硅整流二极管VD8负极、第七只电容C9一端通过导线连接，第七只电容C9另一端和第三只硅整流二极管VD9正极、第四只硅整流二极管VD10负极、第八只电容C10一端通过导线连接，第八只电容C10另一端和第五只硅整流二极管VD11正极、第六只硅整流二极管VD12负极、第九只电容C11一端通过导线连接，第九只电容C11一端和第七只硅整流二极管VD13正极、第八只硅整流二极管VD14负极、第十只电容C12一端通过导线连接，第十只电容C12另一端和第九只硅整流二极管VD15正极通过导线连接。由滤波电阻R5、R6、R7、R8和富勒烯负离子释放电极DJ1、DJ2、DJ3、DJ4组成负离子释放单元，滤波电阻R5、R6、R7、R8一端分别和富勒烯负离子释放电极DJ1、DJ2、DJ3、DJ4一端通过导线连接。

图3中所示，桥式整流输入电路电源输入端保险丝FU另一端、硅整流二极管VD3负极和220V交流电源通过导线连接。桥式整流输入电路正极电源输出端电解电容C1正极和稳压集成控制电路正极电源输入端电阻R1一端、高频变压器T初次绕组一端通过导线连接。稳压集成控制电路电源输出端AC-DC转换开关管A1的3脚和高频变压器T初次绕组另一端通过导线连接。高频变压器T次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端硅整流二极管VD5负极、电阻R2另一端通过导线连接。高频变压器T次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端电解电容C8一端通过导线连接。高频变压器T次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端电容C13一端通过导线连接。高频变压器T次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端硅整流二极管VD6正极、瓷片电容C4另一端通过导线连接。光耦电压控制电路信号输出端光耦GO内藏的光电三极管发射极和稳压集成控制电路反馈信号输入端AC-DC转换开关管A1的2脚通过导线连接。多倍整流电路电源输出端电容C12另一端和负离子释放单元一端滤波电阻R5、R6、R7、R8另一端通过导线连接。桥式整流输入电路负极电源输出端电解电容C1负极和稳压集成控制电路负极电源输入端AC-DC转换开关管A1的1脚、高频变压器T次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端瓷片电容C4另一端通过导线接地。桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。

图3中所示，工作时，220V交流电源经桥式整流输入电路硅整流二极管VD1、VD2、VD3、VD4整流、电解电容C1滤波后转换为直流电源进入稳压集成控制电路。稳压集成控制电路得电工作后，AC-DC转换开关管A1在外围元件电阻R1，瓷片电容C2、C5、C6，瞬变二极管VZ1共同作用下将直流电源转换为交流电源进入高频变压器T初级绕组，高频变压器T次级绕组输出的电压信号经硅整流二极管VD5进入光耦GO电压控制电路，光耦GO在其外围元件电阻R3、R2、R4，瓷片电容C4、C7和三端并联稳压二极管A2共同作用下，以及光耦GO内藏的光电三极管作用下，实时输出反馈信号给稳压集成控制电路AC-DC转换开关管A1的反馈信号输入端2脚，稳压集成控制电路AC-DC转换开关管A同步实时调整输出电压，使稳压集成控制电路稳压、转换为后交流电源进入高频变压器T初级绕组时，处于稳定的状态，保证后续电路平稳运行，确保整个工作电路的稳定有效。高频变压器T将稳压集成控制电路输入稳定的交流电源升压后，输入至多倍整流电路，由电容C3、C13、C14、C15、C16、C8、C9、C10、C11、C12和硅整流二极管VD7、VD8、VD9、VD10、VD11、VD12、VD13、VD14、VD15组成的多倍整流电路将输入的电源进行九倍整流升压，输出的高压进入负离子释放单元的滤波电阻R5、R6、R7、R8一端，然后经R5、R6、R7、R8进入富勒烯负离子释放电极DJ1、DJ2、DJ3、DJ4，富勒烯负离子释放电极DJ1、DJ2、DJ3、DJ向大区域空间释放足量的高浓度小粒径负离子，满足大区域空间的负离子使用需求。本发明经稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用产生高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足大的区域空间使用。

图3，桥式整流输入电路中：硅整流二极管VD1、VD2、VD3、VD4型号是1N4007；电解电容C1型号是47μF/400V。稳压集成控制电路中：电解电容C7型号是47μF/25V；瞬变二极管VZ1耐压600V、工作电流1A；电阻R1阻值是100K、功率是1W；瓷片电容C2规格是1n；C5、C6规格是2.2n。光耦电压控制电路中：硅整流二极管VD5型号是UF4007；瓷片电容C4型号是0.01μF/300V；C7型号是47μF；电阻R2、R3、R4阻值分别是1M、10K、5.1K；光耦GO型号是4N25；三端并联稳压二极管A2型号是TL431。多倍整流电路中：电容C3、C13、C14、C15、C16、C8、C9、C10、C11、C12型号是0.047μF/3000V；硅整流二极管VD7、VD8、VD9、VD10、VD11、VD12、VD13、VD14型号是UF4007。负离子释放单元的滤波电阻R5、R6、R7、R8规格是100MΩ。

本实施例为本实用新型较佳实例，并不用以限制本新型，凡在本实施例原则范围内做任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本新型的保护范围之内。