磁路系统及应用该磁路系统的发声器的制作方法

本实用新型涉及电声转化技术领域，具体地说，涉及一种磁路系统及应用该磁路系统的发声器。

背景技术：

发声器为电声产品中不可缺少的声学部件，用于将电能转换为声能，应用发声器的电声产品包括便携式电话、手提电脑等。发声器包括辅助系统、磁路系统和振动系统，辅助系统包括结合在一起的前盖和外壳，前盖和外壳围成用于容纳磁路系统和振动系统的内腔。发声器作为语音功能的播放装置，其内部的磁路系统直接关系到产品声学性能的提升。

现有的发声器中，磁路系统包括底部的导磁部件及依次设置在导磁部件上的中心磁铁和导磁板，当充磁后通电振动发声时，磁路系统中通过导磁部件和导磁板各处的磁通量并不是均匀的，其边缘部位饱和，而中心部位磁通量未能达到饱和，由此降低了磁路系统的整体磁通量，影响了发声器的整体声学性能。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的第一个技术问题是：提供一种磁路中磁通量均匀，整体磁通量高的磁路系统。

本实用新型所要解决的第二个技术问题是：提供一种发声器，此发声器的磁路系统磁通量均匀，整体磁通量高，声学性能好。

为解决上述第一个技术问题，本实用新型的技术方案是：

磁路系统，包括导磁部件及依次设置在所述导磁部件上的中心磁铁和导磁板，所述中心磁铁的上表面中部和下表面中部分别设有补偿磁铁，所述导磁板和所述导磁部件上分别设有用于容纳对应所述补偿磁铁的容置腔，所述容置腔的结构与对应所述补偿磁铁相适配。

优选的，所述补偿磁铁为平板结构，或者为中间部厚度大于边缘部厚度的凸起结构，且所述补偿磁铁与所述中心磁铁相接触的表面为平面。

优选的，所述中间部的表面为平面。

优选的，所述中间部表面为曲面，所述中间部的厚度自中心向外侧逐渐降低。

优选的，所述中间部与所述边缘部之间通过平面或斜面过渡连接，或者所述中间部与所述边缘部之间通过弧面平滑过渡连接。

优选的，所述容置腔的底部为闭合结构，所述补偿磁铁位于所述导磁板或导磁部件的内部。

优选的，所述容置腔的底部对应所述中间部的位置为贯通结构，所述中间部的表面位于所述导磁板或所述导磁部件的内部；或所述中间部的表面与所述导磁板或所述导磁部件的表面齐平；或所述中间部的表面凸出于所述导磁板或所述导磁部件的表面。

优选的，所述补偿磁铁与所述中心磁铁为一体结构；或者所述补偿磁铁与所述中心磁铁粘接固定为一体。

为解决上述第二个技术问题，本实用新型的技术方案是：

发声器，包括磁路系统，所述磁路系统为上述的磁路系统。

采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：

本实用新型的磁路系统及应用该磁路系统的发声器，在中心磁铁的上表面中部和下表面中部均设置补偿磁铁，补偿了中心部位磁场较弱的区域，提高中心部位的磁通量的饱和度，使磁路系统中的磁通量均匀，提高磁路系统的整体磁通量，进而提升了发声器的整体声学性能。

本实用新型中，导磁板上设有收容中心磁铁的上表面上的补偿磁铁的容置腔，导磁部件上设有收容中心磁铁的下表面上的补偿磁铁的容置腔，补偿磁铁分别收容于对应容置腔内，空间利用率高，在提高磁路系统中的磁通量的均匀性，提高磁路的整体磁通量的同时，不用增大空间，也即不用增大发声器的整体体积。

附图说明

图1是本实用新型中的磁路系统的结构示意图；

图2是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第一种结构示意图；

图3是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第二种结构示意图；

图4是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第三种结构示意图；

图5是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第四种结构示意图；

图6是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第五种结构示意图；

图7是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第六种结构示意图；

图8是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第七种结构示意图；

图9是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第八种结构示意图；

图10是图1中的补偿磁铁与导磁板部分的第九种结构示意图；

图11是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第一种结构示意图；

图12是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第二种结构示意图；

图13是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第三种结构示意图；

图14是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第四种结构示意图；

图15是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第五种结构示意图；

图16是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第六种结构示意图；

图17是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第七种结构示意图；

图18是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第八种结构示意图；

图19是图1中的补偿磁铁与导磁部件部分的第九种结构示意图；

图20是本实用新型中的发声器的结构示意图；

图中：1-前盖；2-外壳；3-导磁部件；31-第一容置腔；4-中心磁铁；5-第一补偿磁铁；51-中间部；52-边缘部；6-导磁板；61-第二容置腔；7-第二补偿磁铁；71-中间部；72-边缘部。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：

参照附图1，本实用新型的磁路系统，包括导磁部件3及依次设置在导磁部件3上的中心磁铁4和导磁板6，中心磁铁4包括靠近导磁板6的上表面和与上表面相对的下表面，中心磁铁4的上表面中部和下表面中部分别设有补偿磁铁。定义中心磁铁4下表面中部的补偿磁铁为第一补偿磁铁5，中心磁铁4上表面中部的补偿磁铁为第二补偿磁铁7，第一补偿磁铁5和第二补偿磁铁7与中心磁铁 4可采用一体结构；也可采用与中心磁铁4粘接固定为一体的结构。

为了增大空间利用率，导磁板6靠近中心磁铁4的表面中部设置有第二容置腔61，第二容置腔61的形状与第二补偿磁铁7的形状相适配，第二补偿磁铁 7收容于导磁板6上的第二容置腔61内。导磁部件3靠近中心磁铁4的表面中部设置有第一容置腔31，第一容置腔31的形状与第一补偿磁铁5形状相适配，第一补偿磁铁5收容于导磁部件3的容置腔31内。此种结构的磁路系统，在不增加磁路系统以及应用该磁路系统的电声产品的整体体积的情况下，在中心磁铁4的下表面中部和上表面中部分别增加补偿磁铁，提高了磁路系统中的磁通量的均匀性，提高了磁路的整体磁通量，提升了发声器的整体声学性能。

参照图1至图19，第一补偿磁铁5和第二补偿磁铁7分别为平板结构，或者分别为中间部厚度大于边缘部厚度的凸起结构，且第一补偿磁铁5和第二补偿磁铁7分别与中心磁铁4相接触的表面均为平面。第一补偿磁铁5的中间部 51，以及第二补偿磁铁7的中间部71远离中心磁铁4的表面可采用平面或者曲面等，第一补偿磁铁5的边缘部52，以及第二补偿磁铁7的边缘部72远离中心磁铁4的表面可采用平面、斜面或者曲面等。第一补偿磁铁5的中间部51与边缘部52之间，以及第二补偿磁铁7的中间部71和边缘部72之间通过平面或斜面过渡连接，或者通过弧面平滑过渡连接。当中间部51表面为曲面时，中间部 51的厚度自中心向外侧逐渐降低。第一补偿磁铁5远离中心磁铁4的表面和第二补偿磁铁7远离中心磁铁的表面可采用整体为平面的形状，此时，两者的中间部的厚度与边缘部的厚度相等。

导磁部件3上的第一容置腔31的形状与第一补偿磁铁5的形状相适配，导磁部件3上的第一容置腔31对应第一补偿磁铁5的中间部51处可贯通导磁部件，形成贯通结构，第一补偿磁铁5的中间部51的表面位于导磁部件3的内部；或第一补偿磁铁5的中间部51的表面与导磁部件3的表面齐平；或中间部的表面凸出于导磁部件3的表面。第一容置腔31也可不贯通导磁部件3，第一容置腔31的底部为闭合结构，第一补偿磁铁5位于导磁部件3的内部。

导磁板6上的第二容置腔61的形状与第二补偿磁铁7的形状相适配，导磁板6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部71处可贯通导磁板6，形成贯通结构，中间部71的表面位于导磁板6的内部；或中间部71的表面与导磁板6的表面齐平；或中间部71的表面凸出于导磁板6的表面。第二容置腔61 也可不贯通导磁板6，第二容置腔61的底部为闭合结构，第二补偿磁铁7位于导磁板6的内部。

参照图2和图3，第二补偿磁铁7可采取以下具体结构：中间部71远离中心磁铁4的表面为平面，中间部71与边缘部72通过平面过渡连接，中间部71 的厚度大于边缘部72的厚度。图2中，导磁板6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部71处未贯通导磁板6，第二容置腔61为封闭结构，第二补偿磁铁7位于第二容置腔61内。图3中，导磁板6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部71处贯通导磁板6，形成通孔，中间部71的表面与导磁板6的表面齐平。

参照图4，第二补偿磁铁7可采取以下具体结构：中间部71远离中心磁铁 4的表面为曲面，中间部71的厚度自中心向外侧逐渐降低，中间部71与边缘部 72通过平面过渡连接。

参照图5，第二补偿磁铁7可采取以下具体结构：第二补偿磁铁7远离中心磁铁4的表面整体为曲面，整体厚度自中心向外侧逐渐降低，中间部71与边缘部72通过弧面平滑过渡连接。

参照图6、图7以及图8，第二补偿磁铁7可采取以下具体结构：中间部71 远离中心磁铁4的表面为平面，中间部71与边缘部72通过斜面过渡连接，定义该斜面靠近中间部71的一侧为内侧，该斜面的厚度自靠近内侧向外侧逐渐降低。图6中，导磁板6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部71处未贯通导磁板6，第二补偿磁铁7位于第二容置腔61内，图7中，导磁板6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部71处贯通导磁板6，形成通孔，且第二补偿磁铁7的中间部71的厚度与该第二容置腔61对应处的厚度相等，第二补偿磁铁7的中间部71的中心处与导磁板6的表面平齐。图8中，导磁板 6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部处贯通导磁板6，形成通孔，第二补偿磁铁7的中间部71的厚度小于该第二容置腔71对应处的厚度。

参照图9，第二补偿磁铁7可采取以下具体结构：中间部71远离中心磁铁 4的表面为曲面，中间部71的厚度自中心向外侧逐渐降低，中间部71与边缘部 72通过斜面过渡连接，该斜面的厚度自内侧向外侧逐渐降低。中间部71最外侧的厚度大于该斜面最内侧的厚度，使中间部71与该斜面的连接处形成台阶。导磁板6上的第二容置腔61对应第二补偿磁铁7的中间部处贯通导磁板6，形成通孔，第二补偿磁铁7位于第二容置腔61内。中间部71的表面凸出于导磁板6 的表面。

参照图10，第二补偿磁铁7可采取以下具体结构：中间部71远离中心磁铁 4的表面为平面，中间部71与边缘部72通过斜面过渡连接，该斜面的厚度自内侧向外侧逐渐降低。中间部的厚度大于该斜面最内侧的厚度，使中间部71与该斜面的连接处形成台阶。第二补偿磁铁7位于第二容置腔61内。中间部71的表面凸出于导磁板6的表面。

参照图11，第一补偿磁铁5可采取以下具体结构：中间部51远离中心磁铁 4的表面为平面，中间部51边缘部52远离通过斜面过渡连接，该斜面的厚度自内侧向外侧逐渐降低。中间部51最外侧的厚度大于该斜面最内侧的厚度，使中间部51与该斜面的连接处形成台阶。导磁部件3上的第一容置腔31对应中间部51处形成通孔，中间部51延伸出通孔外。

参照图12，第一补偿磁铁5可采取以下具体结构：中间部51远离中心磁铁 4的表面为曲面，中间部51的厚度自中心向外侧逐渐降低，中间部51与边缘部 52通过斜面过渡连接，该过渡斜面的厚度自内侧向外侧逐渐降低。中间部51最外侧的厚度大于该斜面最内侧的厚度，使中间部51与该斜面的连接处形成台阶。导磁部件3上的第一容置腔31对应中间部51处形成通孔，中间部51延伸出通孔外。

参照图13、图14以及图15，第一补偿磁铁5可采取以下具体结构：中间部51远离中心磁铁4的表面为平面，中间部51与边缘部52通过斜面过渡连接，该过渡斜面的厚度自内侧向外侧逐渐降低。图13，导磁部件3上的第一容置腔 31对应补偿磁铁5的中间部51处贯通导磁部件3形成通孔。第一补偿磁铁5位于第一容置腔31内，图14中，导磁部件3上的第一容置腔31对应补偿磁铁5 的中间部51处贯通导磁部件3形成通孔。第一补偿磁铁5的中间部51的表面与导磁部件3的底面相平齐，图15中，导磁部件3上的第一容置腔31对应第一补偿磁铁5的中间部51处未贯通导磁部件3，第一补偿磁铁5位于第一容置腔31内。

参照图16，第一补偿磁铁5可采取以下具体结构：第一补偿磁铁5远离中心磁铁4的表面整体为曲面，整体厚度自中心向外侧逐渐降低，中间部51与边缘部52通过曲面平滑过渡连接，中间部51的中心与导磁部件3的底面相平齐。

参照图17，第一补偿磁铁5可采取以下具体结构：中间部51远离中心磁铁4的表面为曲面，中间部51的厚度自中心向外侧逐渐降低，中间部51与边缘部 52通过平面过渡连接。中间部51的中心与导磁部件3的底面相平齐。

参照图18和图19，第一补偿磁铁5可采取以下具体结构：中间部51远离中心磁铁4的表面为平面，中间部51与边缘部52通过平面过渡连接，中间部51的厚度大于边缘部52的厚度。图18中，第一容置腔31对应第一补偿磁铁5 的中间部51处贯通导磁部件3，形成贯通结构，中间部51的表面与导磁部件3 的底面相平齐。图19中，第一容置腔31对应第一补偿磁铁5的中间部51处未贯通导磁部件3，形成封闭结构，第一补偿磁铁5位于第一容置腔31内。

当然，对于第一补偿磁铁5、第二补偿磁铁7的形状以及和导磁板6、导磁部件3的组合结构，并不局限于上述举例，本领域及相关领域的技术人员还可根据上述的结构做出变形，均落入本实用新型的保护范围之内。

参照图20，本实用新型的发声器，包括辅助系统、磁路系统和振动系统，辅助系统包括结合在一起的前盖1和外壳2，前盖1和外壳2共同围成用于容纳磁路系统和振动系统的内腔，磁路系统采用上述的磁路系统。

以上所述为本实用新型最佳实施方式的举例，其中未详细述及的部分均为本领域普通技术人员的公知常识。本实用新型的保护范围以权利要求的内容为准，任何基于本实用新型的技术启示而进行的等效变换，也在本实用新型的保护范围之内。