1.一种DFN1610高密度框架，包括矩形片状结构的框架，其特征在于，在框架上设有多个与DFN1610封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，在芯片安置区和引脚焊接区之间还设有芯片支撑板，所述芯片支撑板和引脚焊接区之间还留有极性分隔间隙，将芯片安置区和引脚焊接区的极性分隔开；在芯片安装部的周围设有多个支撑连筋，包括与芯片安置区外围连接的芯片区连筋、及与引脚焊接区外围连接的引脚焊接区连筋。
2.根据权利要求1所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形结构，设置在芯片安装部两长边侧的支撑连筋对称布置，设置在芯片安装部长边侧的芯片区连筋与芯片支撑板侧边相连，且芯片区连筋宽度大于引脚焊接区连筋的宽度。
3.根据权利要求2所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，所述极性分隔间隙延伸至芯片安装部的两长边边缘，且极性分隔间隙两端的宽度大于其中部的宽度。
4.根据权利要求1所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，所述芯片安置区和引脚焊接区所占面积相等，或所述芯片安置区和芯片支撑板的面积之和为引脚焊接区所占面积的2倍以上。
5.根据权利要求1-4之一所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，在相邻的芯片安装部之间的切割道宽度尺寸小于0.20mm。
6.根据权利要求5所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，在切割道上设有横向连接筋和竖向连接筋，所述安装部加强连筋与横向连接筋或竖向连接筋连接，所述横向连接筋和竖向连接筋的宽度小于0.13mm。
7.根据权利要求6所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，在芯片安装部的四个角上均设有十字连接筋，所述十字连接筋设置在竖向连接筋和横向连接筋交叉的位置。
8.根据权利要求1所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽。
9.根据权利要求8所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，在竖向边框切割道上间隔设置的空槽为竖边凹槽，且在竖向边框切割道上还设有横向切割定位槽，所述横向切割定位槽与相邻芯片安装部之间的切割位置对应设置。
10.根据权利要求8或9所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，在横向边框切割道上间隔设置的空槽为横边凹槽，且在横向边框切割道上还设有竖向切割定位槽，所述竖向切割定位槽与相邻芯片安装部之间的切割位置对应设置。