具有高导电性的微型元件的制作方法

本实用新型涉及电子零部件领域技术，尤其是指一种具有高导电性的微型元件。

背景技术：

随着我国社会经济与科技的快速发展，电子产品方面的技术也越来越科技化、先进化，人们更倾向于多重功能、性能集中且携带便捷的需求方向。由此电子产品的形体发展趋势是越来越小，越来越精密化和集成化。故其内部各个重要的电子元件也是向着薄、小、 轻的方向发展。上述轻薄化的电子微型元件虽然在使用中备受人们的喜爱和关注，但在其单体元件在工作过程中常常因使用过久后于导接结构部分产生的锈迹等使电性接触不稳定，影响其正常工作。因此，应对现有微型元件进行改进，以解决上述问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种具有高导电性的微型元件，其通过于金属本体之复数个导柱上分别设置高导电性聚合膜层以及抗氧化层，使导柱不仅具有抗氧化能力，同时可以有效增强导柱的电性导通性能，提高微型元件的工作稳定性。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种具有高导电性的微型元件，包括有金属本体，该金属本体呈柱状，于金属本体上端设置有一圆柱状结合部，于金属本体内设置有一容置孔，于结合部上设置有与容置孔相连通的方形嵌入孔，并该方向嵌入孔竖向贯穿结合部；该金属本体下端并排设置有复数个导柱，该复数个导柱分别贯穿容置孔于金属本体下端形成对称结构，并于每个导柱上表面分别设置有提高其导电性的高导电性聚合膜层以及抗氧化层，该抗氧化层位于高导电性聚合膜层上方。

作为一种优选方案：所述金属本体之容置孔下端凹设有一方形对接槽。

作为一种优选方案：所述金属本体上端设置有柱状安装部，上述结合部位于该柱状安装部下方。

作为一种优选方案：所述每个导柱均呈圆柱状，并每个导柱直径为5mm。

作为一种优选方案：所述方形对接槽的深度为6-9mm。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，通过于金属本体上设置复数个导柱，于每个导柱上设置高导电性聚合膜层以及抗氧化层，使导柱能够避免在表面形成锈迹影响导电性，同时高导电性聚合膜层可以有效增强导柱的电性导通性能，提高微型元件的工作稳定性。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。

附图说明

图1为本实用新型之微型元件立体示意图；

图2为本实用新型之微型元件另一视角立体示意图；

图3为本实用新型之微型元件下端结构示意图。

附图标识说明：

10、金属本体 11、结合部

111、方形嵌入孔 12、容置孔

121、方形对接槽 13、导柱

131、高导电性聚合膜层 132、抗氧化层

14、柱状安装部。

具体实施方式

本实用新型如图1至图3所示，一种具有高导电性的微型元件，包括有金属本体10，其中：

该金属本体10呈柱状，于金属本体10上端设置有一圆柱状结合部11，于金属本体10内设置有一容置孔12，于结合部11上设置有与容置孔12相连通的方形嵌入孔111，并该方向嵌入孔111竖向贯穿结合部11；该金属本体10下端并排设置有复数个导柱13，该复数个导柱13分别贯穿容置孔12于金属本体10下端形成对称结构，并于每个导柱13上表面分别设置有提高其导电性的高导电性聚合膜层131以及抗氧化层132，该抗氧化层132位于高导电性聚合膜层131上方，并且，每个导柱13均呈圆柱状，各导柱13直径均为5mm。此外，于金属本体10之容置孔12下端凹设有一方形对接槽121，该方形对接槽121的深度为6-9mm，并于金属本体10上端设置有柱状安装部14，上述结合部11位于该柱状安装部14下方。

本实用新型的设计重点在于，通过于金属本体上设置复数个导柱，于每个导柱上设置高导电性聚合膜层以及抗氧化层，使导柱能够避免在表面形成锈迹影响导电性，同时高导电性聚合膜层可以有效增强导柱的电性导通性能，提高微型元件的工作稳定性。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。