本实用新型涉及电容器领域技术，尤其是指一种半导体瓷介电容器。
背景技术：
当前，随着传统元件科研生产逐步走向成熟，电子元件行业正在步入以新材料、新工艺、新技术带动下的产品更新升级和深化发展的新时期，产业整体呈现出向片式化、小型化方向发展趋势，而且，随着电子信息产业整体发展，对于电子元件行业的发展也提出新要求。
现有的陶瓷电容器均采用普通陶瓷芯片，其电容量小、体积大，并且产品散热效果不佳，不能满足使用的需要。因此，有必要对目前的陶瓷电容器进行改进。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种半导体瓷介电容器，其能有效解决现有之陶瓷电容器电容量小、体积大、散热效果不佳的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
一种半导体瓷介电容器，包括有半导体陶瓷芯片、上氧化铝散热片、下氧化铝散热片、阻燃环氧树脂封装体、上引脚以及下引脚；该半导体陶瓷芯片的上下表面均凹设有嵌置槽，每一嵌置槽中均嵌设有电极板；该上氧化铝散热片和下氧化铝散热片分别设置于半导体陶瓷芯片的上下表面并覆盖住对应的电极板；该阻燃环氧树脂封装体包裹住半导体陶瓷芯片的周侧面、上氧化铝散热片的周侧面和下氧化铝散热片的周侧面；该上引脚和下引脚分别穿过上氧化铝散热片和下氧化铝散热片而与对应的电极板焊接导通。
优选的，所述阻燃环氧树脂封装体具有上包边和下包边，该上包边包裹住上氧化铝散热片的表面周缘，该下包边包裹住下氧化铝散热片的表面周缘。
优选的，所述电极板为银电极。
优选的，所述上引脚呈T形，该下引脚呈倒T形。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
通过采用半导体陶瓷芯片，使得本产品的电容量最高可达22万pF，并且体积小，同时，通过设置有氧化铝散热片，提升了产品的散热性能，以满足使用的需要，产品使用性能更佳。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
图1是本实用新型之较佳实施例的截面图。
附图标识说明：
10、半导体陶瓷芯片 11、嵌置槽
20、上氧化铝散热片 30、下氧化铝散热片
40、阻燃环氧树脂封装体 41、上包边
42、下包边 50、上引脚
60、下引脚 70、电极板
具体实施方式
请参照图1所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有半导体陶瓷芯片10、上氧化铝散热片20、下氧化铝散热片30、阻燃环氧树脂封装体40、上引脚50以及下引脚60。
该半导体陶瓷芯片10的上下表面均凹设有嵌置槽11，每一嵌置槽11中均嵌设有电极板70；在本实施例中，该嵌置槽11为圆形，并且，所述电极板70为银电极。
该上氧化铝散热片20和下氧化铝散热片30分别设置于半导体陶瓷芯片10的上下表面并覆盖住对应的电极板70。
该阻燃环氧树脂封装体40包裹住半导体陶瓷芯片10的周侧面、上氧化铝散热片20的周侧面和下氧化铝散热片30的周侧面；在本实施例中，所述阻燃环氧树脂封装体40具有上包边41和下包边42，该上包边41包裹住上氧化铝散热片20的表面周缘，该下包边42包裹住下氧化铝散热片30的表面周缘。
该上引脚50和下引脚60分别穿过上氧化铝散热片20和下氧化铝散热片30而与对应的电极板70焊接导通。在本实施例中，所述上引脚50呈T形，该下引脚60呈倒T形，并且，该上引脚50和下引脚60均为镀铜钢铸件。
使用时，将上引脚50和下引脚60分别与外部电路导通连接，半导体陶瓷芯片10产生的热量通过上氧化铝散热片20和下氧化铝散热片30快速散去。
本实用新型的设计重点是：通过采用半导体陶瓷芯片，使得本产品的电容量最高可达22万pF，并且体积小，同时，通过设置有氧化铝散热片，提升了产品的散热性能，以满足使用的需要，产品使用性能更佳。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。