本发明属于有机发光半导体器件领域，具体涉及一种超高效有机电致发光二极管器件。
背景技术：
白光有机发光二极管（WOLED）被誉为是下一代的固态显示和照明技术。目前，WOLED技术已经应用在智能手机、智能手表、MP3以及平板电视领域。并且，在照明领域也得到了广泛的关注。
WOLED是一种自发光器件，通常器件结构为透明阳极和金属阴极电极之间夹着有机功能层，通过施加外界电压，电子和空穴分别从金属阴极和透明阳极端注入，通过电子和空穴传输层，在发光层复合形成激子，该激子通过辐射复合在回到基态时发出可见光。为了制备高质量的WOLED器件，高外量子效率，低驱动电压，高功率效率，高亮度下的低效率滚降以及优异的光谱稳定性成为了衡量WOLED器件性能的重要标准。为了提高WOLED的外量子效率，现有的有机电致发光器件中大多数采用主客体掺杂的技术，将基于贵金属配合物的蓝光和黄光客体磷光染料掺杂在发光主体材料中，形成内量子效率接近100%的双波段WOLED。为了降低器件的工作电压以提高功率效率，基于给体-受体（D-A）双主体激基复合物的简化器件结构的设计，极大地减少了器件中的界面势垒，降低了工作电压，因此提高了器件的功率效率。尽管基于激基复合物的高效磷光器件在低亮度下和低电流密度下能获得较高的外量子及功率效率，但是该类型器件在高亮度下，例如500及1000 cd/m2的实际应用条件下，器件效率有着较大的滚降。因此，目前文献报道中，在1000 cd/m2的亮度下基于该类型器件结构的功率效率都低于70 lm/W。同时，在高亮度下，WOLED器件的光谱会发生明显的漂移，影响光色的稳定性。同时，在目前的工作中，为了实现蓝光的激发，所选用的给体-受体（D-A）体系所形成的激基复合物需较大的带隙以满足有效的能量转移，给体材料（Donor）需较深的最高占据分子轨道能级（HOMO），通常低于-6.0 eV，因此对于给体材料（Donor）的选择要求比较苛刻。
技术实现要素：
要解决的技术问题：针对现有的制备基于激基复合物的高效有机电致发光二极管（OLEDs）器件存在的一系列问题：（1）目前基于激基复合物的高效有机电致发光二极管器件中给体材料（Donor）需满足严苛的要求，例如较深的最高占据分子轨道（HOMO）能级，极大地限制了材料的选择；（2）目前基于激基复合物的高效有机电致发光二极管器件中，由于需要满足蓝光的发射，形成的激基复合物有较高的带隙，导致了较高的开启及工作电压；（3）目前基于激基复合物的高效有机电致发光二极管器件在较高的工作亮度下，外量子效率以及功率效率有严重的滚降；（4）目前基于激基复合物的高效有机电致发光二极管器件在不同的工作亮度下，光谱稳定性差，有较大的漂移。本发明提供了一种基于双主体梯度掺杂以调控及分配激基复合物的超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，该制备方法极大地降低了Donor的选择要求，增加了给体材料的普适性，使形成激基复合物仅能激发长波长的给体材料也能激发蓝光，梯度掺杂的发光层结构设计降低了器件的开启及工作电压，变宽的激子复合区域有效地降低了器件在高亮度下，电流效率及功率效率的滚降，同时，不同工作亮度下器件的光谱稳定性得到了极大地提高。
技术方案：为了解决上述技术问题，本发明提供了一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，本发明的技术方案为：
一种超高效有机电致发光二极管器件，包括基于梯度掺杂的双主体发光层，所述的基于梯度掺杂的双主体发光层为单波段发光层或多波段发光层；发光形式包括荧光、磷光或热激发延迟荧光发光。
进一步的，一种超高效有机电致发光二极管器件，还包括透明导电玻璃基板、空穴注入层、空穴传输层、电子和激子阻挡层、电子传输层、电子注入层或金属阴极电极中的一种或几种。
进一步的，所述单波段发光层或多波段发光层包括客体材料、给体材料和受体材料。
进一步的，所述的双主体为给体材料和受体材料能够形成激基复合物的材料，能够形成激基复合物的材料包括螺环类材料、双极性材料、TCTA、CBP、mCP、mCBP、PO-T2T、B4PyMPM、B3PyMPM或TmPyPB。
进一步的，所述的客体材料包括蓝光客体材料、绿光客体材料、黄光客体材料、橙光客体材料或红光客体材料。
进一步的，所述客体材料的掺杂比例为1-100%，所述受体材料进行梯度掺杂，掺杂比例为0%-100%，所述给体材料和受体材料的共同蒸镀比例为1:10-10:1。
进一步的，所述单波段发光层的整体蒸镀的厚度为0-100 nm，总体蒸镀速率为0-100 Å/s；所述多波段发光层的整体蒸镀速率为0-100 Å/s，蒸镀厚度为0-100 nm。
进一步的，所述透明导电玻璃基板使用氧化铟锡透明导电玻璃基板、氧化铟锌IZO或银纳米线导电基板，空穴注入层使用HAT-CN、MoOx、钛青铜或F4-TCNQ，所述空穴传输层使用4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]或NPB，所述电子和激子阻挡层使用双主体中的给体材料STPy3或STPy4，所述电子传输层使用双主体中的受体材料使用螺环类材料、双极性材料、TCTA、CBP、mCP、mCBP、PO-T2T、B4PyMPM、B3PyMPM或TmPyPB，所述电子注入层使用8-羟基喹啉-锂、氟化锂、氨基锂或碳酸铯，所述阴极电极选用金属铝或镁银合金；所述空穴传输层、电子和激子阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极电极的蒸镀速率和厚度分别为0-100 Å/s和0-1000 nm。
进一步的，所述MoOx中的x为0-3。
进一步的，所述STPy3的制备流程为：在氩气的保护下，将3 g的3'-溴-10-苯基10H - 螺（吖啶-9,9-二芴）、0.9 g的吡啶-3-基硼酸和0.07g的Pd(PPh3)4溶解在四氢呋喃溶剂中，然后加入2 mol/L的碳酸钾溶液，将反应的溶液在70℃条件下加热过夜，然后等待溶液冷却降温至室温，使用二氯甲烷萃取溶液3次，收集有机层，粗产物使用柱色谱和石油醚/二氯甲烷（体积比为2:1）进行提纯，最后获得白色的产物即STPy3；所述STPy4的制备流程为：在氩气的保护下，将3 g的3'-溴-10-苯基10H - 螺（吖啶-9,9-二芴）、0.9 g的吡啶-4-基硼酸和0.07g的Pd(PPh3)4溶解在四氢呋喃溶剂中，然后加入2 mol/L的碳酸钾溶液，将反应的溶液在70℃条件下加热过夜，然后等待溶液冷却降温至室温，使用二氯甲烷萃取溶液3次，收集有机层，粗产物使用柱色谱和石油醚/二氯甲烷（体积比为2:1）进行提纯，最后获得白色的产物即STPy4。
一种超高效白光有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗，然后移至烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用进行电极表面处理；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，抽真空；或者通过旋涂法制备；
（4）依次热蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子和激子阻挡层、基于梯度掺杂的双主体发光层、电子传输层、电子注入层或金属阴极电极的一种或几种。
进一步的，制备方法中第（3）步的真空抽至＜4.0×10-4Torr。
进一步的，所述给体材料和受体材料形成的激基复合物。
进一步的，所述的基于梯度掺杂的双主体发光层的蒸镀过程中的基片转速为0-1000 r/min。
进一步的，器件制备好后进行封装。
有益效果：本发明的一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法具有以下优势：
（1）需要满足短波长光色的发射，形成的激基复合物有较高的带隙对比现有的器件设计，大幅降低了双主体体系中给体材料（Donor）严苛的选择要求，使得大多数具有较浅HOMO能级的给体材料也能够实现低工作电压的高效有机电致发光二极管的制备。提供了更广的材料选择空间，降低了超高效器件制备的成本；
（2）无需通过双主体形成的激基复合物以满足短波长光色的发射，仅需满足较长波段的发射，因此具有较低的带隙，利于载流子从阴极和阳极传输和注入发光层中，降低了器件的开启以及工作电压；
（3）通过梯度掺杂将激基复合物在发光层中进行了合理有效地分布，有效地分散了激子的浓度，使得激子的复合区域变宽，降低了激子在高电流密度及工作亮度下的淬灭，有效地降低了器件外量子效率以及功率效率的滚降；
（4）通过梯度掺杂将激基复合物在发光层中的合理分布，高效地分配了多波段的发射区域，实现了光谱峰位的调控，使得器件在高工作亮度下保持光谱的稳定性。
附图说明
图1为双主体梯度掺杂的双波段发光层（实施例3）的示意图，其中，①为梯度掺杂分配激基复合物材料的简称；②为蓝光客体发光材料，提供双波段白光的蓝光发射；③为发光层中的给体材料；④为给体材料和受体材料掺杂比例为1: 1的黄光波段发光层；⑤为黄光客体发光材料，提供双波段白光的黄光发射；⑥为具有较浅HOMO能级以及较高三线态能级的给体材料；⑦为受体材料；⑧为从阴极注入的电子；⑨为从阳极注入的空穴。
图2为实施例3二极管器件结构的示意图。
图3为对比例1、对比例2、实施例1和实施例2器件的电流密度与工作电压的关系图。
图4为对比例1和对比例2器件的外量子效率、功率效率与发光亮度的关系图。
图5为实施例3和实施例4器件的外量子效率和功率效率与发光亮度的关系图
图6为实施例3和实施例4器件的发光光谱随发光亮度的变化图。
图7为对比例3（W1）、对比例4（W2）、实施例3（W3）和实施例4（W4）器件的电流密度与工作电压的关系图。
图8为对比例3（W1）和对比例4（W2）器件的外量子效率与发光亮度的关系图。
图9为对比例3（W1）和对比例4（W2）器件的功率效率与发光亮度的关系图。
图10为实施例3器件的外量子效率和功率效率与发光亮度的关系图。
图11为实施例4器件的外量子效率和功率效率与发光亮度的关系图。
图12为实施例3器件的发光光谱随发光亮度的变化图。
图13为实施例4器件的发光光谱随发光亮度的变化图。
图14为本发明中STPy3的结构式图。
图15为本发明中STPy4的结构式图。
具体实施方式
实施例1
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至5.0×10-4 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy3，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于双主体超高效绿光发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy3、受体材料PO-T2T、绿光磷光客体材料分别放置于石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、绿光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于双主体的超高效绿光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热绿光客体材料Ir(ppy)2(acac)，同时预热给体材料STPy3和受体材料PO-T2T，当主、副探头均探测出Ir(ppy)2(acac)升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将Ir(ppy)2(acac)的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料PO-T2T至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料PO-T2T，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，稳定给体材料STPy3和受体材料PO-T2T的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止绿光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
（10）继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
实施例2
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至6.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy4，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于双主体超高效绿光发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy4、受体材料PO-T2T、绿光磷光客体材料分别放置于石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、绿光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于双主体的超高效绿光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热绿光客体材料Ir(ppy)2(acac)，同时预热给体材料STPy4和受体材料PO-T2T，当主、副探头均探测出Ir(ppy)2(acac)升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将Ir(ppy)2(acac)的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料PO-T2T至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料PO-T2T，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，稳定给体材料STPy4和受体材料PO-T2T的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止绿光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
实施例3
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至5.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy3，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy3、受体材料PO-T2T、蓝光磷光客体材料和黄光磷光客体材料分别放置于石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、蓝光和黄光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的蓝光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热蓝光客体材料FIrpic，同时预热给体材料STPy3和受体材料PO-T2T，当主、副探头均探测出FIrpic升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将FIrpic的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料PO-T2T至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料PO-T2T，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，降低受体材料束流速率至0 Å/s，并逐渐加热给体材料STPy3至主探头速率示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板的同时，加热受体材料PO-T2T使其以线性增加掺杂浓度，同时降低给体材料STPy3束流速度，使得主探头探测的总速率保持在2 Å/s，控制给体材料STPy3和受体材料PO-T2T的蒸镀速率以控制掺杂浓度，当蒸镀厚度显示为19 nm时，根据主探头和探测受体材料PO-T2T的副探头的速率比例，控制给体材料STPy3和受体材料PO-T2T的速率比例为1: 1，即掺杂比例为1: 1时，关闭蒸镀掩膜板，停止蓝光发光层的蒸镀；
步骤3：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的黄光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热黄光客体材料PO-01，同时预热给体材料STPy3和受体材料PO-T2T，当主、副探头均探测出PO-01升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将PO-01的掺杂比例稳定在5%，首先加热受体材料PO-T2T，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，同时加热给体材料至主探头探测出束流，根据主探头和探测受体材料的副探头显示的速率比例，稳定给体材料STPy3和受体材料PO-T2T的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为1 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止黄光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为50 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
（10）继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
实施例4
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至6.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy4，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy4、受体材料PO-T2T、蓝光磷光客体材料和黄光磷光客体材料分别放置与石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、蓝光和黄光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的蓝光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热蓝光客体材料FIrpic，同时预热给体材料STPy4和受体材料PO-T2T，当主、副探头均探测出FIrpic升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将FIrpic的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料PO-T2T至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料PO-T2T，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，降低受体材料束流速率至0 Å/s，并逐渐加热给体材料STPy4至主探头速率示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板的同时，加热受体材料PO-T2T使其以线性增加掺杂浓度，同时降低给体材料STPy4束流速度，使得主探头探测的总速率保持在2 Å/s，控制给体材料STPy4和受体材料PO-T2T的蒸镀速率以控制掺杂浓度，当蒸镀厚度显示为19 nm时，根据主探头和探测受体材料PO-T2T的副探头的速率比例，控制给体材料STPy4和受体材料PO-T2T的速率比例为1: 1，即掺杂比例为1: 1时，关闭蒸镀掩膜板，停止蓝光发光层的蒸镀；
步骤3：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的黄光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热黄光客体材料PO-01，同时预热给体材料STPy4和受体材料PO-T2T，当主、副探头均探测出PO-01升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将PO-01的掺杂比例稳定在5%，首先加热受体材料PO-T2T，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，同时加热给体材料至主探头探测出束流，根据主探头和探测受体材料的副探头显示的速率比例，稳定给体材料STPy4和受体材料PO-T2T的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为1 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止黄光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为50 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
实施例5
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至5.0×10-4 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy3，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于双主体超高效绿光发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy3、受体材料B3PyPB、绿光磷光客体材料分别放置于石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、绿光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于双主体的超高效绿光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热绿光客体材料Ir(ppy)2(acac)，同时预热给体材料STPy3和受体材料B3PyPB，当主、副探头均探测出Ir(ppy)2(acac)升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将Ir(ppy)2(acac)的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料B3PyPB至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料B3PyPB，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，稳定给体材料STPy3和受体材料B3PyPB的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止绿光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
本实施例选择STPy3和B3PyPB分别作为双主体中的给体和受体材料，能够制备低工作电压，高功率效率的绿光有机电致发光二极管器件。
实施例6
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至5.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy4，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy4、受体材料TCTA、蓝光磷光客体材料和黄光磷光客体材料分别放置与石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、蓝光和黄光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的蓝光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热蓝光客体材料FIrpic，同时预热给体材料STPy4和受体材料B4PyMPM，当主、副探头均探测出FIrpic升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将FIrpic的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料B4PyMPM至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料B4PyMPM，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，降低受体材料束流速率至0 Å/s，并逐渐加热给体材料STPy4至主探头速率示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板的同时，加热受体材料B4PyMPM使其以线性增加掺杂浓度，同时降低给体材料STPy4束流速度，使得主探头探测的总速率保持在2 Å/s，控制给体材料STPy4和受体材料B4PyMPM的蒸镀速率以控制掺杂浓度，当蒸镀厚度显示为19 nm时，根据主探头和探测受体材料B4PyMPM的副探头的速率比例，控制给体材料STPy4和受体材料B4PyMPM的速率比例为1: 1，即掺杂比例为1: 1时，关闭蒸镀掩膜板，停止蓝光发光层的蒸镀；
步骤3：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的黄光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热黄光客体材料PO-01，同时预热给体材料STPy4和受体材料B4PyMPM，当主、副探头均探测出PO-01升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将PO-01的掺杂比例稳定在5%，首先加热受体材料B4PyMPM，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，同时加热给体材料至主探头探测出束流，根据主探头和探测受体材料的副探头显示的速率比例，稳定给体材料STPy4和受体材料B4PyMPM的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为1 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止黄光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为50 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
本实施例选择STPy4和B4PyMPM分别作为双主体中的给体和受体材料，应用双主体梯度掺杂的技术，能够制备低工作电压，高功率效率的多重波段的有机电致发光二极管器件。
实施例7
一种超高效有机电致发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至5.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀给体材料STPy4，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为5 nm；
（7）继续蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层，具体步骤为：
步骤1：将给体材料STPy4、受体材料B3PyMPM、蓝光磷光客体材料和黄光磷光客体材料分别放置与石英舟内，然后将石英舟放置于手工制作的钽皮上，通电加热进行热蒸镀，其中，受体材料、蓝光和黄光磷光客体材料分别放置于有副探头探测的加热源下，给体材料通过主探头进行探测，为防止材料交叉污染，加热源之间放置金属挡板阻隔；
步骤2：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的蓝光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热蓝光客体材料FIrpic，同时预热给体材料STPy4和受体材料B3PyMPM，当主、副探头均探测出FIrpic升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将FIrpic的掺杂比例稳定在15%，进一步加热受体材料B3PyMPM至接近主、副探头能够探测出束流速率，首先加热受体材料B3PyMPM，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，降低受体材料束流速率至0 Å/s，并逐渐加热给体材料STPy4至主探头速率示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板的同时，加热受体材料B3PyMPM使其以线性增加掺杂浓度，同时降低给体材料STPy4束流速度，使得主探头探测的总速率保持在2 Å/s，控制给体材料STPy4和受体材料B3PyMPM的蒸镀速率以控制掺杂浓度，当蒸镀厚度显示为19 nm时，根据主探头和探测受体材料B3PyMPM的副探头的速率比例，控制给体材料STPy4和受体材料B3PyMPM的速率比例为1: 1，即掺杂比例为1: 1时，关闭蒸镀掩膜板，停止蓝光发光层的蒸镀；
步骤3：蒸镀基于梯度掺杂的双主体发光层中的黄光发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热黄光客体材料PO-01，同时预热给体材料STPy4和受体材料B3PyMPM，当主、副探头均探测出PO-01升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将PO-01的掺杂比例稳定在5%，首先加热受体材料B3PyMPM，使主探头和探测受体材料的副探头均能显示束流，根据主、副探头的探测速率数值，测算出主、副探头的显示比例，并记录，同时加热给体材料至主探头探测出束流，根据主探头和探测受体材料的副探头显示的速率比例，稳定给体材料STPy4和受体材料B3PyMPM的掺杂蒸镀比例为1: 1，保持总探头显示的蒸镀速率为2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为1 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止黄光发光层的蒸镀；
（8）继续蒸镀受体材料，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为50 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
本实施例选择STPy4和B3PyMPM分别作为双主体中的给体和受体材料，应用双主体梯度掺杂的技术，能够制备低工作电压，高功率效率的多重波段的有机电致发光二极管器件。
对比例1
一种基于传统单主体的白光有机发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至6.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀电子阻挡材料TCTA，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（7）继续真空蒸镀传统单层发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热绿光客体材料Ir(ppy)2(acac)，当主、副探头均探测出Ir(ppy)2(acac)升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将Ir(ppy)2(acac)的掺杂比例稳定在15%，加热主体材料STPy3至主探头示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止发光层的蒸镀；
（8）继续真空蒸镀电子传输层材料TmPyPB，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
（10）继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
对比例2
一种基于传统单主体的白光有机发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至6.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀电子阻挡材料TCTA，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（7）继续真空蒸镀传统单层发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热绿光客体材料Ir(ppy)2(acac)，当主、副探头均探测出Ir(ppy)2(acac)升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将Ir(ppy)2(acac)的掺杂比例稳定在15%，加热主体材料STPy4至主探头示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止发光层的蒸镀；
（8）继续真空蒸镀电子传输层材料TmPyPB，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
（10）继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
对比例3
一种基于传统单主体的白光有机发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至6.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀电子阻挡材料TCTA，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（7）继续真空蒸镀传统单层发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热黄光客体材料PO-01，同时预热蓝光客体材料FIrpic，当主、副探头均探测出PO-01升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将PO-01的掺杂比例稳定在0.5%，继续加热FIrpic至主、副探头均探测出升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将FIrpic的掺杂比例稳定在15%，加热主体材料STPy3至主探头示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止发光层的蒸镀；
（8）继续真空蒸镀电子传输层材料TmPyPB，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
（10）继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
对比例4
一种基于传统单主体的白光有机发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃基板依次用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗三次，然后移至105℃烘箱中烘至完全去除表面残留的溶剂及水分；
（2）将ITO透明导电玻璃基板取出后用紫外灯臭氧处理15 min；
（3）取出，置于真空薄膜沉积腔体中，真空抽至6.0×10-6 Torr；
（4）将处理好的ITO上真空蒸镀上HAT-CN，形成空穴注入层，蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（5）在蒸镀上HAT-CN的ITO基板上继续真空蒸镀TAPC，形成空穴传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为40 nm；
（6）继续真空蒸镀电子阻挡材料TCTA，形成电子和激子阻挡层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为10 nm；
（7）继续真空蒸镀传统单层发光层，操作控制放置ITO的托盘以25 r/min的转速匀速旋转，缓慢加热黄光客体材料PO-01，同时预热蓝光客体材料FIrpic，当主、副探头均探测出PO-01升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将PO-01的掺杂比例稳定在0.5%，继续加热FIrpic至主、副探头均探测出升华束流速率，根据主、副探头显示的示数，将FIrpic的掺杂比例稳定在15%，加热主体材料STPy4至主探头示数稳定在2 Å/s，打开蒸镀掩膜板，蒸镀厚度为20 nm时，关闭蒸镀掩膜板，停止发光层的蒸镀；
（8）继续真空蒸镀电子传输层材料TmPyPB，形成电子传输层，蒸镀速率为2 Å/s，蒸镀厚度为45 nm；
（9）继续真空蒸镀Liq，形成电子注入层，其蒸镀速率为0.4 Å/s，蒸镀厚度为2 nm；
（10）继续真空蒸镀Al，形成金属阴极电极，其蒸镀速率为8 Å/s，蒸镀厚度为120 nm。
以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。