本发明涉及一种天线装置。
背景技术：
在无线通信用小型发送接收模块中，多个天线被配置在同一基板上。在将多个天线靠近配置在同一基板上的情况下，发生天线间的互耦合造成的信号泄漏。
例如，在非专利文献1中，公开了在基板的两个天线之间配置电磁带隙(ebg：electromagneticbandgap)，抑制两个天线间的互耦合。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：fanyang,yahyarahmat-samii,“microstripantennasintegratedwithelectromagneticband-gap(ebg)structures:alowmutualcouplingdesignforarrayapplications”,ieeetransactionsonantennasandpropagation,vol.51,no.10,pp.2936-2946,(2003/10/14)
非专利文献2：atsushisanada,christophecaloz,tatsuoitoh,“planardistributedstructureswithnegativereflectiveindex”,ieeetransactionsonmicrowavetheoryandtechniques,vol.52,no.4,pp.1252-1263,(2004/4/13)
然而，非专利文献1中公开的ebg的基板内的尺寸，取决于配置于同一基板的天线的参数(例如，辐射的电磁波的频率)，所以包含ebg和天线的基板的设计的自由度低。
技术实现要素：
本发明的非限定性的实施例有助于提供一种能够提高包含ebg和天线的基板的设计的自由度的天线装置。
本发明的一方式的天线装置具备：电介质基板；至少第一辐射器和第二辐射器，其配置在所述电介质基板所包含的第一配线层；第一反射器，其配置在所述电介质基板所包含的第二配线层的、包含在所述电介质基板的层厚度方向上投影了所述第一辐射器的范围的范围内；第二反射器，其配置在所述第二配线层的、包含在所述层厚度方向上投影了所述第二辐射器的范围的范围内；第一电磁带隙，其配置在所述第一辐射器和第二辐射器之间，所述第一电磁带隙具备：第一补片(第一贴片)，其配置在所述第一配线层；第一接地电极，其配置在所述电介质基板的层厚度方向上与所述第二配线层不同位置的第三配线层；第一通孔，其连接所述第一补片和所述第一接地电极，并在所述厚度方向上延伸。
另外，这些概括性的或者具体的方式，可以通过系统、方法、集成电路、计算机程序或记录介质方式实现，也可以通过系统、装置、方法、集成电路、计算机程序和记录介质的任意的组合来实现。
根据本发明一方式，有助于提高包含ebg和天线的基板的设计的自由度。
本发明一方式中的更多的优点和效果从说明书和附图中可知。这些优点和/或效果可以由几个实施方式和说明书及附图所记载的特征来分别提供，但不需要为了获得一个或一个以上的相同特征而提供全部的方式。
附图说明
图1是表示现有的具有ebg的天线装置的一例子的俯视图。
图2是表示图1的a1－a2的剖面图。
图3是表示本发明的实施方式1的天线装置的一例子的俯视图。
图4是表示图3的a1－a2的剖面图。
图5是表示具有叠加孔的天线装置的一例子的剖面图。
图6是表示ebg的单位单元的扩大剖面图。
图7是表示ebg的单位单元的等效电路的图。
图8是表示电容值cr和间隔d2之间的关系的一例子的图。
图9是表示不具有ebg的天线装置的一例子的剖面图。
图10是表示不具有ebg的天线装置的隔离特性的图。
图11是表示具有ebg的现有的天线装置的隔离特性的图。
图12是表示本发明的实施方式1的天线装置的隔离特性的图。
图13是表示本发明的实施方式1的变形例的天线装置的一例子的剖面图。
图14是表示本发明的实施方式2的天线装置的一例子的俯视图。
图15是图14的a1－a2的剖面图。
附图标记说明
1、11电介质基板
2、2a、2b、2c、12、12a、12b辐射器
3、3a、3b、3c反射器
4、4a、4b、14补片(patch贴片)
5、5a、5b、15接地电极
6、6a、6b、9、9a、9b、16、26a、26b通孔
7、17单位单元
8、8a、8b、18ebg
10配线
26叠加孔
26c第一连接部
100、200、200a、300、400、500天线装置
具体实施方式
图1是表示现有的具有ebg的天线装置100的一例子的俯视图。图2是图1的a1－a2的剖面图。
天线装置100具有：电介质基板11、辐射器12a、辐射器12b、接地电极15和ebg18。
在电介质基板11的表面，使用导体图案形成辐射器12a和辐射器12b。
在电介质基板11的与表面相反的面上，使用导体图案形成接地电极15。接地电极15具有作为将辐射器12a和辐射器12b辐射的电磁波反射的反射器的功能。辐射器12a和接地电极15、以及辐射器12b和接地电极15分别具有作为1个天线的功能。
ebg18设置在辐射器12a和辐射器12b之间。ebg18包括：形成在表层中的多个补片14；以及连接各补片14和接地电极15的多个通孔16。在ebg18中，将接地电极15、连接到接地电极15的1个通孔16和补片14设为1个单位单元17，单位单元17被周期性地配置。ebg18具有将特定的频带的信号切断的效果，所以用于提高天线间的隔离性能。
在天线装置100中，设定辐射器12(辐射器12a和辐射器12b)和接地电极15的间隔d0，以使天线增益为最大。通孔16的长度也和辐射器12与接地电极15的间隔为相同长度。
ebg18切断的信号的频带例如由补片14的尺寸和通孔16的长度确定，所以在通孔16的长度和辐射器12与接地电极15的间隔相同的情况下，补片14的尺寸也被唯一地确定。因此，在天线装置100中，难以调整ebg18的通孔16的长度和补片14的尺寸，设计的自由度低。
例如，在通孔16的长度和辐射器12与接地电极15的间隔相同的情况下，或难以确保在辐射器12a与辐射器12b之间配置多个补片14的面积的情况下，难以配置ebg18。
此外，例如，在补片14的尺寸的设计的自由度低的情况下，难以通过增加在辐射器12a与辐射器12b之间配置的补片14的数量而增加单位单元17的数量(反复数量)使隔离特性提高。
此外，例如，在通孔16的长度的设计的自由度低的情况下，难以通过通孔16的长度在电介质基板11的内层设置配线。
本发明是鉴于这些方面而完成的，与相对于辐射器作为反射器发挥功能的导体不同，还着眼于配置与ebg的通孔连接的接地电极，完成了本发明。
接着，对于本发明的各实施方式，参照附图详细地说明。另外，以下说明的各实施方式是一例子，本发明不由这些实施方式来限定。
(实施方式1)
图3是表示本实施方式1的天线装置200的一例子的俯视图。图4是图3的a1－a2的剖面图。
天线装置200具有：电介质基板1、辐射器2(辐射器2a和辐射器2b)、反射器3(反射器3a和反射器3b)、接地电极5和ebg8。
在电介质基板1的表面，使用导体图案形成辐射器2a和辐射器2b。
反在电介质基板1的内层的面上，使用导体图案形成反射器3a和反射器3b。在包含将辐射器2a投影在内层的面的范围的范围内形成反射器3a。在包含将辐射器2b投影在内层的面的范围的范围内形成反射器3b。
辐射器2a和反射器3a、以及辐射器2b和反射器3b分别具有作为1个天线的功能。
在与形成了反射器3a和反射器3b的内层不同的内层的面上，使用导体图案形成接地电极5。在图3的例子中，形成接地电极5的内层的面比形成反射器3a和反射器3b的内层的面更从表层离开。接地电极5通过通孔9与反射器3a和反射器3b连接。
ebg8设置在辐射器2a和辐射器2b之间。ebg8包括：形成于表层的多个补片4(图3、图4中，例如，15个)；以及连接各补片4和接地电极5的多个通孔6(图3、图4中，例如，15个)。通孔6的长度是补片4与接地电极5的间隔d2。
在ebg8中，将接地电极5、与接地电极5连接的1个通孔6和补片4设为1个单位单元7，单位单元7被周期性地配置。周期性地配置由这样的补片4和通孔6及接地电极5构成的单位单元7的ebg8，被称为蘑菇型(mushroom)ebg。
辐射器2a与反射器3a的间隔d1被确定，以使天线增益为最大。接地电极5形成在与形成了反射器3a和反射器3b的内层不同的内层的面上，所以相当于通孔6的长度的补片4与接地电极5的间隔d2，与间隔d1独立地调整。在天线装置200中，形成接地电极5的内层的面，比形成了反射器3a和反射器3b的内层的面更从表层离开，所以间隔d1比间隔d2小。
通过这样的构成，可以分别低调整辐射器2与反射器3的间隔d1及相当于通孔6的长度的间隔d2，所以可以使包含ebg8的天线装置200的设计的自由度提高。
另外，如图4那样，连接补片4和接地电极5的通孔可以由单个的通孔6形成，也可以如图5那样，对每个内层，形成通孔26a、26b，作为将它们结合的叠加孔26而形成。以下，说明具有叠加孔26的天线装置。
图5是表示具有叠加孔26的天线装置200a的结构的一例子的剖面图。在图5中，对与图3、图4同样的结构，附加相同的符号，并省略说明。以下的、l1层、l2层、以及l3层表示天线装置200a的配线层。
在图5中，将电介质基板1之中设置辐射器2a、2b的面设为l1层，将设置反射器3a、3b的面设为l2层，将设置接地电极5的面设为l3层。
叠加孔26连接各补片4和接地电极5。叠加孔26例如具备第一通孔26a、第二通孔26b和第一连接部26c。
第一通孔26a位于l1层和l2层之间，第一连接部26c位于l2层，第二通孔26b位于l2层和l3层之间。另外，在图5中，示出了包括两个通孔和1个连接部的叠加孔26，但通孔的数量和连接部的数量不限定于此。例如，在l1层和l2层之间，形成第一通孔26a，但也可以追加第三通孔、第二连接部(省略图示)。
通过以上的结构，可以分别调整辐射器2与反射器3的间隔d1及相当于通孔6或叠加孔26的长度的间隔d2，可以使包含ebg8的天线装置200a的设计的自由度提高。
接着，说明包含间隔d2的ebg8的尺寸和ebg8切断的信号的频带之间的关系的一例子。如上述，ebg8切断的信号的频带由补片4的尺寸和通孔6的长度来确定。
图6是ebg8的单位单元7的扩大剖面图。图7是表示ebg8的单位单元7的等效电路的图。如图6所示，补片4的宽度为w，相邻的两个补片4隔开间隔g来设置。
图7的电容器71a、71b分别具有电容值cl，在表层中，等效地表示隔开间隔g而相邻的两个补片4之间的电容器。电感器72a、72b分别具有电感值lr/2。包含电感器72a和电感器72b的电感器72等效地表示补片4的电感器。电容器71a和电感器72a等效地串联连接在端子t1和端子t2之间。电感器72b和电容器71b等效地串联连接在端子t2和端子t3之间。
图7的电容器73具有电容值cr，等效地表示在具有间隔d2的补片4和接地电极5之间的电容器。图7的电感器74具有电感值ll，等效地表示通孔6的电感器。电容器73和电感器74等效地并联连接在端子t2和端子t4之间。
例如，在非专利文献2中记载了以下内容，在假设为单位单元7周期性地无限反复配置的电路分析中，ebg8切断的信号的频带使用通过等效电路中串联连接的电容器71a、电容器71b、电感器72a、电感器72b表示的下式(1)、和/或通过等效电路中并联连接的电容器73、电感器74表示的下式(2)来确定。
ωse和ωsh表示ebg8切断的信号的频带的上限或下限。根据式(1)、式(2)，在lr和cl的积(以下，记载为lrcl乘积)与ll和cr的积(以下，记载为llcr乘积)恒定的情况下，即使调整单位单元7的尺寸(例如，补片4的宽度w和/或通孔6的长度d2)，ebg8切断的信号的频带也不变化。
例如，ebg8的占有面积由补片4的面积确定，所以通过减小补片4的宽度w，可以降低占有面积。通过减小宽度w，电容值cr等效地变小。要使llcr乘积恒定，减小相当电容值cr的间隔d2，即，通过扩展通孔6的长度而增加电感值ll即可。另外，在预定的d2＝z以下中，在减小了宽度w之后，通过缩短通孔6的长度d2，也可以使llcr乘积恒定。以下，用图8说明使llcr乘积恒定的具体例子。
图8是表示电容值cr和间隔d2之间的关系的一例子的图。在图8中，横轴表示间隔d2，纵轴表示电容值cr。在图8中，间隔d2和电容值cr大致为反比例的关系。在图8中，为了便于说明，间隔d2的代表值示出多个，间隔d2的代表值的尺寸关系为0＜b2＜b1＜z＜a1＜a2。此外，在图8中，为了便于说明，将d2＝z作为边界，规定区域a和区域b。具体而言，将d2＞z的范围规定为区域a，将0＜d2＜z的范围规定为区域b。此外，在图8中，示出表示宽度w＝w1即间隔d2和电容值cr之间的关系的曲线(实线，以下为曲线kw1)、宽度w＝w2即间隔d2和电容值cr之间的关系的曲线(虚线，以下为曲线kw2)，且w1＞w2。相比曲线kw2，曲线kw1在间隔d2的全部区域中电容值cr较大。
另外，曲线kw1及曲线kw2，在区域a和区域b中，减小了宽度w的情况下，电容值cr的变化不同。
例如，在区域a中，在使宽度w的值从w1减少到w2的情况下，电容值cr减少，所以通过使间隔d2的值从a1增加到a2(即，通孔6的长度扩展)而使电感值ll增加，使llcr乘积恒定。
在区域b中，在使宽度w的值从w1减少到w2的情况下，电容值cr减少，但通过使间隔d2的值从b1减少到b2，可以使电容值cr增加。因此，在区域b中，在使宽度w减少的情况下，也可以缩短间隔d2，而使llcr乘积恒定。
此外，为了使lrcl乘积恒定，也可以调整间隔g。
这样，维持ebg8切断的信号的频带，可以调整包含通孔6的长度d2、补片4的宽度w的ebg8的尺寸，所以包含ebg8的天线装置200的设计的自由度提高。
接着，说明天线装置中的天线间的隔离特性。在以下的说明中，作为一例子，表示天线装置辐射63.5ghz频率的电磁波，ebg在切断包含63.5ghz的频率的频带的设定中的天线间的隔离特性。首先，表示不具有ebg的天线装置的一例子。
图9是表示不具有ebg的天线装置300的一例子的剖面图。在图9中，对与图1同样的结构附加相同的符号并省略说明。在天线装置300中，在图1、图2所示的天线装置100中，取代ebg18，在辐射器12a和辐射器12b之间的接地电极15被扩展至表层。
辐射器12a和辐射器12b是偶极型的辐射器12，辐射器12a和辐射器12b的间隔被设定为对f＝63.5ghz的波长λ乘以0.72所得的长度3.4mm。此外，辐射器12a和接地电极15的间隔、以及辐射器12b和接地电极15的间隔被设定，使得天线装置300辐射63.5ghz的频率的电磁波的情况下的天线增益为最大。
接着，将通过模拟导出的、不具有ebg的天线装置300、现有的具有ebg的天线装置100和减小了ebg的占有面积的天线装置200的隔离特性进行比较。
作为模拟模型使用的天线装置100具有与天线装置300同样的辐射器12a和辐射器12b，辐射器12a和辐射器12b的间隔、辐射器12a和接地电极15的间隔d0、以及辐射器12b和接地电极15的间隔d0都与天线装置300相同。而且，天线装置100的ebg18的补片14的一边的长度被设定为0.45mm。
作为模拟模型使用的天线装置200的辐射器2a和辐射器2b，与天线装置300同样，为偶极型的辐射器2。辐射器2a和辐射器2b的间隔被设定为与天线装置300相同的3.4mm。辐射器2a和反射器3a的间隔、以及辐射器2b和反射器3b的间隔与天线装置300的辐射器12a和接地电极15的间隔相同。天线装置200的ebg8的补片4的一边的长度被设定为0.35mm。通孔6的长度基于补片4的一边的长度而被设定，使得ebg8切断63.5ghz的频率。
图10是表示不具有ebg的天线装置300的隔离特性的图。图11是表示具有ebg的现有的天线装置100的隔离特性的图。图12是表示本实施方式1的天线装置200的隔离特性的图。图10～图12的横轴表示天线装置辐射的电磁波的频率。纵轴表示s参数(s11、s22、s21)的值。s11、s22是表示反射特性的s参数，s11、s22的值越小，反射越小，表示在天线中谐振。s21是表示通过特性的s参数，s21的值越小，表示天线间的隔离特性越高。
图10～图12的s11、s22表示任何天线装置在63.5ghz附近都谐振。相当于天线间的隔离特性的s21，相对于在不具有ebg的天线装置300中63.5ghz附近为约－16.9db，在天线装置100中在63.5ghz附近为约－27.0db，在天线装置200中63.5ghz附近为－29.6db。这样，通过配置ebg8，隔离特性提高约10db，在本实施方式1的天线装置200中，可以确保隔离特性，并缩小面积。
如上述，在模拟模型中，相对于现有的天线装置100的补片14的一边的长度为0.45mm，本实施方式1的天线装置200的补片4的一边的长度为0.35mm。即，与现有的天线装置100比较，本实施方式1的天线装置200可以提高ebg8产生的隔离特性，并降低ebg8的占有面积。由于可以降低占有面积，所以在天线装置200中，即使在辐射器2a和辐射器2b的间隔较窄的情况下，也可以配置ebg8。
另外，上述模拟模型的设定毕竟是一例子，而本发明不限定于此。例如，辐射器使用偶极型进行了说明，但只要是可以平面地配置的天线，也可以为其他的形状。例如，辐射器也可以不是偶极型，而是补片天线。
另外，在天线装置200中，示出了通孔6的长度(间隔d2)比辐射器2a和反射器3a的间隔以及辐射器2b和反射器3b的间隔(间隔d1)长的例子，但通孔6的长度(间隔d2)也可以比辐射器2a和反射器3a的间隔以及辐射器2b和反射器3b的间隔(间隔d1)短。
此外，示出了辐射器2a和反射器3a的间隔以及辐射器2b和反射器3b的间隔(间隔d1)为相同的例子，但辐射器2a和反射器3a的间隔以及辐射器2b和反射器3b的间隔也可以不同。
如以上说明的那样，本实施方式1的天线装置200包括：电介质基板1；配置在电介质基板1所包含的第一配线层的辐射器2a和辐射器2b；配置在电介质基板1所包含的第二配线层的、包含在电介质基板1的层厚度方向上投影了辐射器2a的范围的范围内的反射器3a；配置在第二配线层的、包含在层厚度方向上与辐射器2a相对的位置的范围内的反射器3b；以及配置在辐射器2a和辐射器2b之间的ebg8。ebg8包括：配置在第一配线层的补片4；连接到补片4，在层厚度方向上延伸的通孔6；以及配置在与第二配线层不同的第三配线层，并与通孔6连接的接地电极5。
通过该结构，将与ebg的通孔连接的接地电极配置在与相对辐射器配置了的反射器的层不同的层中，可以将ebg的通孔的长度和辐射器与反射器的间隔分别调整，所以天线装置的设计的自由度提高。
例如，通过使通孔6延伸，可以减小补片4的尺寸，所以即使在辐射器2a和辐射器2b的间隔较窄的情况下，也可以将ebg8配置在辐射器2a和辐射器2b之间。
此外，例如，通过使通孔6延伸，可以减小补片4的尺寸，所以可以增加在辐射器2a和辐射器2b之间配置的补片4的数量。由此，使ebg8的单位单元7的数量(反复数量)增加，所以可以使天线间的隔离特性进一步提高。
此外，例如，在辐射器2a和辐射器2b的间隔比较宽的情况下，通过增大补片4的尺寸，可以缩短通孔6，所以可以在电介质基板1的接地电极5的下方的内层中设置配线。
另外，在本实施方式1的天线装置200中，示出了通过通孔9连接接地电极5和反射器3a及反射器3b的例子，但本发明不限定于此。接地电极5和反射器3a及反射器3b也可以不连接。
图13是表示本实施方式1的变形例的天线装置400一例子的剖面图。在图13中，对与图3、图4同样的结构附加相同的符号并省略说明。此外，天线装置400的俯视图与图3所示的天线装置200的俯视图是同样的。图13相当于图3的a1－a2的剖面图。
在省略通孔9的方面，天线装置400与天线装置200不同。即使是这样的结构，反射器3a和反射器3b也分别具有将从辐射器2a和辐射器2b辐射的电磁波反射的功能。而且，天线装置400具备与天线装置200同样的效果。
另外，在本实施方式1和本实施方式1的变形例中，示出了配置两个辐射器和与两个辐射器成对的两个反射器的例子，但本发明不限定于此。辐射器的数也可以为三个以上，两个辐射器的组也可以为两个以上。该情况下，反射器的数量也可以根据辐射器的数量来配置。
另外，在天线装置200、400中，在辐射器2a、2b和补片4的周围，也可以有与辐射器2a、2b和补片4同层配置的接地电极5。
(实施方式2)
图14是表示本实施方式2的天线装置500的一例子的俯视图。图15是图14的a1－a2的剖面图。另外，在图14、图15中，对与图3、图4同样的结构，附加相同的符号并省略说明。
天线装置500具有：电介质基板1、辐射器2(辐射器2a、辐射器2b和辐射器2c)、反射器3(反射器3a、反射器3b和反射器3c)、接地电极5a、接地电极5b、ebg8a、ebg8b和配线10。
在电介质基板1的表面，使用导体图案形成辐射器2a、辐射器2b和辐射器2c。辐射器2a和辐射器2b的间隔是l1，辐射器2b和辐射器2c的间隔是l2(＞l1)。
在电介质基板1的内层的面，使用导体图案形成反射器3a、反射器3b和反射器3c。在包含将辐射器2a投影在内层的面的范围的范围内形成反射器3a。在包含将辐射器2b投影在内层的面的范围的范围内形成反射器3b。在包含将辐射器2c投影在内层的面的范围的范围内形成反射器3c。
辐射器2a和反射器3a、辐射器2b和反射器3b、以及辐射器2c和反射器3c分别具有作为1个天线的功能。
在与形成了反射器3a、反射器3b和反射器3c的内层不同的内层的面，使用导体图案形成接地电极5a。在图15的例子中，与形成了反射器3a、反射器3b和反射器3c的内层的面相比，形成接地电极5a的内层的面从表层隔开间隔d2而设置。接地电极5a通过通孔9a与反射器3a和反射器3b连接。
在与形成了反射器3a、反射器3b和反射器3c的内层不同的内层的面，使用导体图案形成接地电极5b。在图15的例子中，与形成了反射器3a、反射器3b和反射器3c的内层的面相比，形成接地电极5b的内层的面从表层隔开间隔d3而设置。接地电极5b通过通孔9b与反射器3b和反射器3c连接。
而且，形成接地电极5b的内层与形成接地电极5a的内层不同。
ebg8a设置在辐射器2a和辐射器2b之间。ebg8a包括：形成于表层的多个补片4a；以及连接各补片4a和接地电极5a的多个通孔6a。通孔6a的长度是补片4a和接地电极5a的间隔d2。
ebg8b设置在辐射器2b和辐射器2c之间。ebg8b包括：形成于表层的多个补片4b；以及连接各补片4b和接地电极5b的多个通孔6b。通孔6b的长度是补片4b和接地电极5b的间隔d3。
确定辐射器2和反射器3的间隔d1，以使天线增益为最大。辐射器2b和辐射器2c的间隔l2比辐射器2a和辐射器2b的间隔l1大，所以补片4b和接地电极5b的间隔d3可以设定得比补片4a和接地电极5a的间隔d2小。因此，在与接地电极5b的表层相反地设置的层中，可以形成配线10。
通过这样的结构，可以分别调整间隔d1和间隔d2及间隔d3，所以可以提供包含ebg8的天线装置200的设计的自由度。例如，根据辐射器2间的间隔，可以调整在辐射器2间设置的ebg8的补片4的尺寸、和/或通孔6的长度。
例如，在图14、图15中，可以增大在辐射器2间的间隔比较大的辐射器2b和辐射器2c之间设置的ebg8b的补片4b的尺寸，缩短通孔6b的长度，可以使与通孔6b连接的接地电极5b靠近表层。其结果，可以在接地电极5b的下面设置形成配线10的空间。
另外，在本实施方式2的天线装置500中，示出了接地电极5和反射器3通过通孔9连接的例子，但本发明不限定于此。接地电极5和反射器3也可以不连接。但是，接地电极5之间被电连接。
此外，在本实施方式2的天线装置500中，示出了一列地配置3个辐射器2和与3个辐射器2成对的3个反射器3的例子，但本发明不限定于此。辐射器2的数量也可以为4个以上，两个辐射器2的组也可以为两个以上。该情况下，反射器3的数量也根据辐射器2的数量来配置。
另外，在天线装置500中，也可以在辐射器2a、2b、2c和补片4a、4b的周围有与辐射器2a、2b、2c和补片4a、4b同层配置的接地电极5。
此外，上述各实施方式中所示的尺寸、间隔等的数值毕竟是一例子，本发明不限定于此。
以上，一边参照附图一边说明了各种实施方式，但不言而喻，本发明不限定于这样的例子。只要是本领域技术人员，在本发明请求项所记载的范畴内，显然可设想各种变更例或修正例，并认可它们当然属于本发明的技术范围。此外，在不脱离发明的宗旨的范围中，也可以将上述实施方式中的各构成要素任意地组合。
(本发明的总结)
本发明的天线装置具备：电介质基板；至少第一辐射器和第二辐射器，其配置在所述电介质基板所包含的第一配线层；第一反射器，其配置在所述电介质基板所包含的第二配线层的、包含在所述电介质基板的层厚度方向上投影了所述第一辐射器的范围的范围内；第二反射器，其配置在所述第二配线层的、包含在所述层厚度方向上投影了所述第二辐射器的范围的范围内；以及第一电磁带隙，其配置在所述第一辐射器和第二辐射器之间，所述第一电磁带隙具备：第一补片，其配置在所述第一配线层；第一接地电极，其配置在所述电介质基板的层厚度方向上与所述第二配线层不同位置的第三配线层；第一通孔，其连接所述第一补片和所述第一接地电极，并在所述厚度方向上延伸。
在本发明的天线装置中，所述第一辐射器和所述第一反射器构成第一天线，所述第二辐射器和所述第二反射器构成第二天线，所述第一电磁带隙以将包含所述第一天线和所述第二天线的谐振频率的频率范围内的信号切断的方式被设计。
在本发明的天线装置中，所述第一配线层与所述第三配线层的间隔比所述第一配线层与所述第二配线层的间隔大。
在本发明的天线装置中，所述第一辐射器与所述第二辐射器的间隔越大，所述补片的尺寸越大，所述第一配线层与所述第三配线层的间隔越窄。
在本发明的天线装置中，具备：配置在所述第一配线层的第三辐射器；配置在所述第二配线层的、包含在所述层厚度方向上与所述第三辐射器相对的位置的范围内的第三反射器；设置在所述第二和第三辐射器之间的第二电磁带隙，所述第二电磁带隙具备：配置在所述第一配线层的第二补片；配置在所述电介质基板的层厚度方向上与所述第二配线层和所述第三配线层不同位置的第四配线层的第二接地电极；连接所述第二补片和所述第二接地电极，并在所述厚度方向上延伸的第二通孔。
在本发明的天线装置中，所述第一通孔比所述第二通孔长，所述第一补片的尺寸比所述第二补片的尺寸小。
此外，本发明可通过软件、硬件、或与硬件协同的软件来实现。
用于上述实施方式的说明中的一部分功能块由集成电路(ic,integratedcircuit)来实现，上述实施方式中说明的各流程也可以部分或全部地由一个ic或ic的组合来控制。ic既可以由各个芯片构成，也可以包含功能块的一部分或全部那样由一个芯片构成。ic也可以包括数据的输入和输出。因用途、形态、集成度的不同，ic有时也被称为lsi(largescaleintegration；大规模集成)、系统lsi(或定制lsi)、vlsi(verylargescaleintegration；超大规模集成)、ulsi(ultralargescaleintegration；特大规模集成)、wsi(waferscaleintegration；晶片规模集成)。
ic也可以用专用电路、通用处理器或专用处理器来实现。此外，也可以使用可在ic制造后编程的fpga(fieldprogrammablegatearray：现场可编程门阵列)，或者使用可重构ic内部的电路单元的连接和设定的可重构处理器(reconfigurableprocessor)。本发明也可以作为数字处理或模拟处理来实现。
而且，随着半导体技术的进步或随之派生的其它技术，如果出现能够替代现有的lsi的集成电路化的技术，当然可利用该技术进行功能块的集成化。还存在着适用生物技术等的可能性。
本发明可以适用于以毫米波段、太赫兹段的频率工作的雷达和通信等的无线通信模块用途。