本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示屏及其制备方法。
背景技术：
薄膜封装技术特别适用于传统加盖封装所无法实现的一些特殊场合，如对柔性有机发光二极管(organiclight-emittingdevices，oled)和柔性有机太阳能电池等的封装。然而，在对薄膜封装后的显示屏体进行切割的过程中，容易破坏薄膜封装结构，影响薄膜封装的可靠性。
技术实现要素：
基于此，有必要针对如何提高薄膜封装的可靠性的问题，提供一种能够提高薄膜封装的可靠性的显示屏及其制备方法。
一种显示屏，所述显示屏具有非显示区，所述非显示区包括靠近被封装器件的有效封装区、与位于所述有效封装区外围的封装阴影区；
所述封装阴影区包括：
支撑基底，所述支撑基底上设有用以将所述薄膜封装结构断开的凹槽；
以及薄膜封装结构，形成于所述支撑基底上，所述薄膜封装结构在所述凹槽处断开。
在其中一个实施例中，所述凹槽的条数为两条，两条所述凹槽平行设置。
在其中一个实施例中，两条所述凹槽的开口宽度相同，且每条所述凹槽的开口宽度、两条所述凹槽的开口之间的距离与所述封装阴影区的宽度的比值为0.8～1.2:0.8～1.2:2.5～3.5。
在其中一个实施例中，两条所述凹槽的开口之间的距离为50μm～60μm。
在其中一个实施例中，所述凹槽在所述支撑基底上的深度为4μm～8μm。
在其中一个实施例中，所述凹槽的开口宽度为50μm～60μm。
在其中一个实施例中，所述凹槽沿垂直于所述支撑基底表面的截面形状为梯形、矩形或者半圆形。
在其中一个实施例中，所述凹槽沿垂直于所述支撑基底表面的截面形状为梯形，所述梯形的内角大于45°、且小于90°。
此外，还提供一种显示屏的制备方法，包括如下步骤：
提供支撑基底前体，所述支撑基底前体具有非显示区，所述非显示区包括靠近被封装器件的有效封装区、与位于所述有效封装区外围的封装阴影区；
在所述支撑基底前体的封装阴影区开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽，得到支撑基底；
在所述支撑基底上形成膜层结构，之后去除位于所述封装阴影区的膜层结构，以显露出所述凹槽，得到阵列基板；
以及在所述阵列基板上形成薄膜封装结构，所述薄膜封装结构在所述凹槽处断开，得到显示屏。
在其中一个实施例中，在所述支撑基底前体上开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽的操作为：对所述支撑基底前体进行曝光显影，以在所述支撑基底前体上开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽；
去除位于所述封装阴影区的膜层结构的操作为：采用光刻工艺去除位于所述封装阴影区的膜层结构。
应用本发明技术方案的显示屏，由于凹槽能够将薄膜封装结构断开，因此能够切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，有效避免了在薄膜封装结构上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性，有利于应用。
此外，由于减小了切割时激光热辐射和应力对薄膜封装结构的影响，因此边框设计无需考虑薄膜封装时的阴影效应的影响，增大了边框的设计余量，有利于实现窄边框。
应用本发明技术方案的显示屏的制备方法，在支撑基底前体的封装阴影区开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽，不仅工艺简单，还能够切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，有效避免了在薄膜封装结构上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性，有利于应用。
附图说明
图1为本发明一实施方式的显示屏的示意图；
图2为本发明一实施方式的显示屏的制备方法的流程图；
图3为本发明一实施方式的支撑基底前体的示意图；
图4为本发明一实施方式的支撑基底的示意图；
图5为本发明一实施方式的在支撑基底上形成膜层结构后的示意图；
图6为本发明一实施方式的阵列基板的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在薄膜封装结构的成膜过程中，受到阴影效应的影响，实际沉积到阵列基板上的封装材料的尺寸大于掩膜板的开口尺寸。在对薄膜封装后的显示屏体进行切割的过程中，激光热辐射和应力释放容易破坏薄膜封装结构，影响薄膜封装的可靠性。为此，本发明提出一种能够提高薄膜封装可靠性的显示屏及其制备方法。
请参见图1，本发明一实施方式的显示屏200具有非显示区111，非显示区111包括靠近被封装器件的有效封装区112、与位于有效封装区112外围的封装阴影区113。此外，非显示区111还包括位于封装阴影区113外围的切割预留区114。
其中，有效封装区112指的是与掩膜板的开口尺寸相同的封装区域。封装阴影区113指的是由于受到阴影效应的影响，实际沉积到支撑基底120上的封装材料的尺寸多于掩膜板的开口尺寸的区域。切割预留区114指的是封装阴影区113的外边缘与屏体切割线之间的区域。
此外需要说明的是，显示屏200还具有显示区(未图示)，非显示区111位于显示区的外围。
其中，封装阴影区113包括支撑基底120和薄膜封装结构150。其中，支撑基底120上设有用以将薄膜封装结构150断开的凹槽121。具体地，薄膜封装结构150形成于支撑基底120上，薄膜封装结构150在凹槽121处断开。由于凹槽121能够将薄膜封装结构150断开，因此能够切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，有效避免了在有效封装区112的薄膜封装结构150上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性。
需要说明的是，图1中只示出了薄膜封装结构150靠近阵列基板140的无机薄膜层，但可以理解的是，并不排除薄膜封装结构150还包括其他的膜层。例如，薄膜封装结构150包括层叠设置的至少一层无机薄膜层和至少一层有机薄膜层。较优地，有机薄膜层位于两层无机薄膜层之间。
此外，如图1所示，有效封装区112包括阵列基板140和形成于阵列基板140上的薄膜封装结构150。其中，阵列基板140包括支撑基底120和形成于所述支撑基底120上的膜层结构130。其中，膜层结构130为阵列基板除支撑基底120之外的其余膜层。例如，可以是阻挡层(bl)、缓冲层、层间绝缘层等。此外，膜层结构130还可以包括用于在形成薄膜封装结构150的有机薄膜层时、对流动性有机材料进行阻挡的第一堤坝131和第二堤坝132。
此外，显示屏200还包括设置在阵列基板140上的被封装器件(未图示)，被封装器件位于显示区。薄膜封装结构150将被封装器件密封在阵列基板上。
在前述实施方式的基础上，凹槽121的条数为两条，两条凹槽121平行设置。这样能够使薄膜封装结构150在两条凹槽121的位置都断开，有效切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，避免了在薄膜封装结构150上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性。
在前述实施方式的基础上，两条凹槽121的开口宽度相同，且每条凹槽121的开口宽度、两条凹槽121的开口之间的距离与封装阴影区113的宽度的比值为0.8～1.2:0.8～1.2:2.5～3.5。更优地，每条凹槽121的开口宽度、两条凹槽121的开口之间的距离与封装阴影区113的宽度的比值为1:1:3。这样能够保证凹槽121与宽度距离相同，制作凹槽121时的图形化工艺对应简单。
较优地，两条凹槽121的开口之间的距离为50μm～60μm。这样能够保证薄膜封装结构在两条凹槽121处断裂。
在前述实施方式的基础上，凹槽121在支撑基底120上的深度为4μm～8μm。当凹槽121在支撑基底120上的深度为4μm～8μm时，既保证了足够的开口深度以使薄膜封装结构在凹槽121位置断裂，又保证了阵列段图形刻蚀充分，得到想要的图形，避免在凹槽121内残留阵列段材料。
在前述实施方式的基础上，凹槽121的开口宽度为50μm～60μm。当凹槽121的开口宽度为50μm～60μm时，既保证了足够的开口宽度以使薄膜封装结构在凹槽121位置断裂，又保证了阵列段图形曝光显影充分，得到想要的图形，避免在凹槽121内残留阵列段材料。
在前述实施方式的基础上，凹槽121沿垂直于支撑基底120表面的截面形状为梯形、矩形或者半圆形。这些图形的开口角度较大，成膜覆盖性差，有利于使薄膜封装结构在凹槽121处断裂。
当然，凹槽121的条数、两条凹槽121的开口之间的距离、凹槽121在支撑基底120上的深度、凹槽121的开口宽度以及凹槽121沿垂直于支撑基底120表面的截面形状均不限于此。
在前述实施方式的基础上，凹槽121沿垂直于支撑基底120表面的截面形状为梯形，梯形的内角α大于45°、且小于90°。这样提高薄膜封装结构150在凹槽121处彻底断开的几率，进而有效切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径。
应用本发明技术方案的显示屏，由于凹槽能够将薄膜封装结构断开，因此能够切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，有效避免了在薄膜封装结构上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性，有利于应用。
此外，由于减小了切割时激光热辐射和应力对薄膜封装结构的影响，因此边框设计无需考虑薄膜封装时的阴影效应的影响，增大了边框的设计余量，有利于实现窄边框。
请参见图2，本发明一实施方式的显示屏的制备方法包括如下步骤：
s10、提供支撑基底前体，支撑基底前体具有非显示区，非显示区包括靠近被封装器件的有效封装区、与位于有效封装区外围的封装阴影区。
请一并参见图3，支撑基底前体110具有非显示区111和显示区(未图示)。其中，非显示区111包括封装区和位于封装区外围的切割预留区114。其中，封装区包括靠近被封装器件的有效封装区112、和位于有效封装区112外围的封装阴影区113。
其中，有效封装区112指的是与掩膜板的开口尺寸相同的封装区域。封装阴影区113指的是由于受到阴影效应的影响，实际沉积到支撑基底110上的封装材料的尺寸多于掩膜板的开口尺寸的区域。切割预留区114指的是封装阴影区113的外边缘与屏体切割线之间的区域。
其中，支撑基底前体110对上层的膜层结构起到支撑作用。支撑基底前体110优选为柔性衬底，例如，pi衬底。
s20、在支撑基底前体的封装阴影区开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽，得到支撑基底。
较优地，在支撑基底前体110上开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽121的操作为：对支撑基底前体110进行曝光显影，以在支撑基底前体110上开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽121。
支撑基底前体110优选为pi(聚酰亚胺)基底，pi属于有机胶，故只对支撑基底前体110进行曝光显影，无需经过刻蚀步骤，即可在支撑基底前体110上开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽121。
请一并参见图4，本实施方式的支撑基底120中，凹槽121沿垂直于支撑基底110表面的截面形状为梯形。凹槽121的条数为两条。当然，凹槽121沿垂直于支撑基底120表面的截面形状和凹槽121的条数均不限于此。
s30、在支撑基底上形成膜层结构，之后去除位于封装阴影区的膜层结构，以显露出凹槽，得到阵列基板。
请一并参见图5，可以采用蒸镀的方式在支撑基底120上形成膜层结构130。其中，膜层结构130为阵列基板的其余膜层。例如，可以是阻挡层(bl)、缓冲层、层间绝缘层等。由于凹槽121的存在，部分膜层结构130落入到上述凹槽121内。
此外，膜层结构130还可以包括用于在形成薄膜封装结构的有机薄膜层时、对流动性有机材料进行阻挡的第一堤坝131和第二堤坝132。
请一并参见图6，去除位于封装阴影区113的膜层结构130之后得到的阵列基板140中，膜层结构130在支撑基底120上延伸至有效封装区112与封装阴影区113交接的位置。
较优地，去除位于封装阴影区113的膜层结构130的操作为：采用光刻工艺去除位于封装阴影区113的膜层结构130。具体的，先在整层膜层结构130上涂覆光刻胶，之后依次对膜层结构130进行涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀一系列操作，以去除位于封装阴影区113的膜层结构130。
s40、在阵列基板上形成薄膜封装结构，薄膜封装结构在凹槽处断开，得到显示屏。
请一并参见图1，显示屏200中，在阵列基板140上形成薄膜封装结构150之后，薄膜封装结构150能够在凹槽121处断开。从而切断了对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，有效避免了在薄膜封装结构上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性，有利于应用。
需要说明的是，支撑基底前体110与显示屏200具有相同的非显示区111和显示区(未图示)。即，显示屏200的非显示区111亦包括封装区和位于封装区外围的切割预留区114。其中，封装区包括靠近被封装器件的有效封装区112、和位于有效封装区112外围的封装阴影区113。
应用本发明技术方案的显示屏的制备方法，在支撑基底前体的封装阴影区开设用以将薄膜封装结构断开的凹槽，不仅工艺简单，还能够切断对显示屏体进行切割时激光热辐射和应力传输的路径，有效避免了在薄膜封装结构上产生裂纹，从而能够提高薄膜封装的可靠性，有利于应用。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。