有机发光装置的制作方法

本公开涉及一种有机发光装置，更具体地涉及一种能够减小阳极电极和阴极电极的电阻的有机发光装置。

背景技术：

有机发光装置(oled)是自发光装置并且不需要单独的光源，因此可被制造成具有轻薄形式。另外，有机发光装置由于其低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、颜色视角和对比度(cr)方面优异，因此已被研究作为下一代发光装置。

在将这种有机发光装置应用于大面积照明设备的情况下，阳极电极和阴极电极中的每一个的面积增加，这导致阳极电极和阴极电极中的每一个的电阻增加。在这种情况下，由于阳极电极和阴极电极中的每一个的电阻增加，会出现低的亮度均匀性。

技术实现要素：

因此，本公开旨在提供一种基本避免了由于现有技术的限制和缺点造成的一个或更多个问题的有机发光装置。

本公开被提供以解决上述问题，并且本公开的目的是提供一种能够减小阳极电极的电阻和阴极电极的电阻的有机发光装置。

本公开的其它优点、目的及特征将部分地在以下的说明书中进行阐述，并且对于本领域的技术人员来说部分地将在查看以下内容后变得清楚，或者可从本公开的实践获知。本公开的这些目的和其它优点可通过在本书面说明及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其它优点，并且根据本公开的目的，如这里所具体实施和广泛描述的，一种有机发光装置包括：阴极电极，该阴极电极被设置为面对阳极电极，在所述阴极电极和所述阳极电极之间被插置有有机层；保护封装层，该保护封装层被设置在阴极电极上并具有沟槽；以及上辅助电极，该上辅助电极埋置在沟槽中以与阴极电极接触。利用这种配置，有机发光装置能够在不损害有机层的情况下减小阳极电极和阴极电极中的每一个的电阻，从而防止亮度均匀性降低。

应该理解的是，对本公开的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本公开提供进一步的说明。

附图说明

附图被包括在本公开中以提供对本公开的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开的第一实施方式的有机发光装置的平面图；

图2是示出图1所示的有机发光装置的截面图；

图3是具体说明图1所示的阳极电极的平面图；

图4是示出图2所示的保护封装层的另一实施方式的截面图；

图5a至图5h是说明图4所示的有机发光装置的制造方法的截面图；

图6是示出根据本公开的第二实施方式的有机发光装置的截面图；以及

图7a至图7d是说明图6所示的有机发光装置的制造方法的截面图。

具体实施方式

在下文，参照附图详细描述根据本公开的示例实施方式。

图1是示出图1所示的有机发光装置的平面图，图2是示出图1所示的有机发光装置的截面图。

如图1和图2所示，用于照明设备的有机发光装置包括发光元件130、像素绝缘层138和保护封装层140，发光元件130、像素绝缘层138和保护封装层140设置在基板101上。

发光元件130包括阳极电极132、形成在阳极电极132上的有机层134以及形成在有机层134上的阴极电极136。

阳极电极132被形成在基板101上。阳极电极132由诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)这样的透明导电层形成。如图3所示，阳极电极132包括阳极部分132a、接触部分132b和短路防止部分132c。

阳极部分132a是与由像素绝缘层138限定的发光区域交叠的区域。阳极部分132a与阴极电极136交叠，在阳极部分132a和阴极电极136之间插置有有机层134。

接触部分132b形成在下辅助电极122上，沿着下辅助电极122延伸。这里，下辅助电极122在阳极电极132的接触部分132b的下侧与阳极电极132接触，以减小阳极电极132的电阻。为此，下辅助电极122由导电率高于阳极电极132的透明导电层的导电率的材料形成。例如，下辅助电极122使用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任何一种或其合金形成为单层或多层。下辅助电极122沿着像素绝缘层138以格子形式被形成为与像素绝缘层138交叠。

短路防止部分132c位于阳极电极132的接触部分132b和阳极部分132a之间。短路防止部分132c与接触部分132b和阳极部分132a中的每一个间隔开，阳极孔132h在接触部分132b和阳极部分132a之间位于预定区域中。短路防止部分132c被形成为具有比接触部分132b的宽度和阳极部分132a的宽度小的宽度，以具有高于接触部分132b的电阻值和阳极部分132a的电阻值的电阻值。因此，当在预定的发光区域中由于阴极电极136和阳极电极132之间存在杂质等而发生短路缺陷时，短路防止部分132c防止另一发光区域中的发光元件130的电流通过短路缺陷泄漏。

由于像素绝缘层138沿着下辅助电极122被形成为与下辅助电极122交叠，因此发光区域采用敞开的岛(openisland)的形式。像素绝缘层138被形成为覆盖下辅助电极122的侧表面和上表面以及阳极电极132的侧表面。在这种情况下，由于阳极电极132和下辅助电极122中的每一个与阴极电极136之间的距离增加了像素绝缘层138的厚度，与现有技术相比，能够减少在阳极电极132和下辅助电极122中的每一个与阴极电极136之间发生短路缺陷。另外，由于像素绝缘层138被形成为覆盖例如阳极电极132的侧表面，因此可防止阳极电极132的腐蚀。像素绝缘层138由具有光引发剂的有机绝缘材料形成，例如，光丙烯。由有机绝缘材料形成的像素绝缘层138可通过光刻工艺简单地形成而无需蚀刻工艺，从而可简化整个工艺。

有机层134形成在由像素绝缘层138限定的发光区域中的阳极电极132上。有机层134通过将空穴相关层、发光层和电子相关层以该顺序或以相反的顺序层叠在阳极电极132上来形成。由于有机层134通过涂覆工艺简单地形成而无需使用曝光掩模的光刻工艺或使用精细金属掩模的沉积工艺，因此有机层134在阴极电极136下方被形成为具有与阴极电极136的面积相似的面积。也就是说，因为有机层134在基板的整个表面上连续地形成，所以有机层134用作波导。通过上辅助电极126将在有机层134中产生并通过有机层134引导的光提取到基板101的后表面，这提高了发光效率。

阴极电极136在形成在有机层134上被形成为面对阳极电极132，在阴极电极136和阳极电极132之间被插置有有机层134。当应用于透明照明设备时，类似于阳极电极132，阴极电极136由诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)这样的透明导电层形成。

为了减小阴极电极136的电阻，上辅助电极126在阴极电极136上被设置成与阴极电极136接触。上辅助电极126由导电率高于阴极电极136的透明导电层的导电率的材料形成。例如，上辅助电极126使用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任何一种或其合金形成为单层或多层。上辅助电极126沿着像素绝缘层138和下辅助电极122以格子形式或直线形式被形成为与像素绝缘层138和下辅助电极122交叠。

在上辅助电极126在阴极电极136下方与有机层134接触的情况下，有机层134被在制造上辅助电极126的工序中使用的蚀刻溶液、剥离溶液等损害。为此，由于上辅助电极126设置在阴极电极136上并且不与有机层134接触，因此能够防止在制造上辅助电极126的工序中对有机层134的损害。

另外，由于上辅助电极126由不透明材料形成，因此上辅助电极126用作反射器。在这种情况下，上辅助电极126反射在有机层134中产生并引导到上辅助电极126的光，以便使光通过基板101向外发射，这可提高光提取效率。

第一保护金属层114在上辅助电极126上被设置为具有与上辅助电极126的宽度相同的宽度。提供第一保护金属层114以与保护封装层140形成边界。与无机绝缘材料或金属材料相比，第一保护金属层114由对有机聚合物层(例如，光刻胶)具有较低吸附力的材料形成。例如，第一保护金属层114由al2o3形成。第一保护金属层114用于防止在其制造过程中使用的溶液损害上辅助电极126和有机层134。

保护封装层140防止外部湿气或氧气被引入易受外部湿气或氧气的影响的有机发光元件130中。为此，保护封装层140在阴极电极136上被设置为封装易受湿气或氧气的影响的有机层134。保护封装层140在保护封装层140与下辅助电极122交叠的区域中包括沟槽148，沟槽148暴露阴极电极136的上表面。上辅助电极126埋置在沟槽148中以与保护封装层140形成边界。

保护封装层140可被形成为单层，如图2所示，或者可被形成为多层，如图4所示。

图4所示的保护封装层140包括多个无机封装层142和146以及设置在无机封装层142和无机封装层146之间的有机封装层144，并且无机封装层146被设置在最上层。这里，保护封装层140包括至少两个无机封装层142和146以及至少一个有机封装层144。在本公开中，将通过示例的方式描述保护封装层140的结构，其中有机封装层144设置在第一无机封装层142和第二无机封装层146之间。

第一无机封装层142在上面形成有阴极电极136的基板101上被形成为最接近有机发光元件130。第一无机封装层142由诸如硅氮化物(sinx)、硅氧化物(siox)、硅氧氮化物(sion)或铝氧化物(al2o3)这样的能够进行低温沉积的无机绝缘材料形成。因此，由于第一无机封装层142在低温气氛下沉积，因此能够防止易受高温气氛影响的有机层134在第一无机封装层142的沉积期间损害。

第一无机封装层142在第一无机封装层142与下辅助电极122交叠的区域中包括沟槽148，沟槽148暴露阴极电极136的上表面。上辅助电极126埋置在沟槽148中以与第一无机封装层142形成边界。

有机封装层144在第一无机封装层142上被设置成具有比第一无机封装层142的面积小的面积。有机封装层144由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或碳氧硅化物(sioc)这样的有机绝缘材料形成。因此，有机封装层144用于减轻由有机发光装置的弯曲引起的各层之间的应力，并且提高平整性能。

第二无机封装层146被形成在上面形成有有机封装层144的基板101上，以覆盖有机封装层144的上表面和侧表面。因此，第二无机封装层146最小化或防止外部湿气或氧气被引入第一无机封装层142和有机封装层144中。第二无机封装层142由诸如硅氮化物(sinx)、硅氧化物(siox)、硅氧氮化物(sion)或铝氧化物(al2o3)这样的无机绝缘材料形成。

图5a至图5h是说明图4所示的有机发光装置的制造方法的截面图。

如图5a所示，在不透明导电层沉积在基板101的整个表面上之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺图案化不透明导电层，使得形成下辅助电极。随后，在透明导电层沉积在上面形成有下辅助电极的基板101的整个表面上之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺图案化透明导电层，使得形成包括阳极部分132a、短路防止部分132c和接触部分132b的阳极电极132。如图5b所示，在诸如sinx或siox这样的无机绝缘材料沉积在上面形成有阳极电极132的基板101的整个表面上之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺图案化无机绝缘材料，使得形成像素绝缘层138。如图5c所示，在上面形成有像素绝缘层138的基板101的整个表面上依次形成有机层134、阴极电极136和第一无机封装层142。随后，在将光刻胶涂覆在第一无机封装层142上之后，通过曝光工艺和显影工艺图案化光刻胶，使得形成具有开口152的光刻胶图案150。这里，开口152被定位成与像素绝缘层138交叠，并且光刻胶图案150的通过开口152暴露的侧表面被形成为具有倒锥形形状。

如图5d所示，当使用光刻胶图案150作为掩模通过蚀刻工艺图案化第一无机封装层142时，形成沟槽148以暴露阴极电极136。

随后，如图5e所示，当在其中形成有沟槽148的基板101的整个表面上沉积不透明导电层时，上辅助电极126被形成在光刻胶图案150上并且上辅助电极126被埋置在沟槽148中。此时，上辅助电极126被形成为暴露光刻胶图案150的侧表面。

随后，如图5f所示，第一保护金属层114沉积在上面形成有上辅助电极126的基板101的整个表面上。此时，第一保护金属层114由对上辅助电极126的粘附力高于对由有机绝缘材料形成的光刻胶图案150的粘附力的材料形成。因此，第一保护金属层114被形成在上辅助电极126的上表面上，但是没有被形成在光刻胶图案150的侧表面上。随后，如图5g所示，通过剥离工艺去除光刻胶图案150，使得设置在光刻胶图案150上的上辅助电极126和第一保护金属层114被去除。在剥离工艺中，光刻胶图案150的侧表面向外暴露，这使得光刻胶图案150能够被容易去除。

随后，如图5h所示，有机封装层144和第二无机封装层146依次层叠在具有第一保护金属层114的基板101上。

以这样的方式，根据本公开的有机发光装置可简化其制造过程并因此降低成本，因为第一保护金属层114和上辅助电极126通过同一掩模工序形成。

图6是示出根据本公开的第二实施方式的有机发光装置的截面图。

图6所示的有机发光装置包括与图2所示的有机发光装置的构成元件相同的构成元件，不同之处在于它还包括第二保护金属层124。因此，下面将省略与相同构成元件相关的详细描述。

第二保护金属层124在第一保护金属层114上被设置成具有比第一保护金属层114的宽度宽的宽度。由于第二保护金属层124的面积大于第一保护金属层114的面积，所以第二保护金属层124被形成为覆盖第一保护金属层114的侧表面。由此，第二保护金属层124被形成为覆盖上辅助电极126和第一保护金属层114之间的间隙，从而防止制造溶液(例如洗涤溶液、蚀刻溶液或剥离溶液)在其制造过程中被引入上辅助电极126和第一保护金属层114之间的间隙中。

第二保护金属层124由与第一保护金属层114相同的材料或不同的材料形成。例如，与第一保护金属层114类似，第二保护金属层124由al2o3形成。

图7a至图7d是说明图6所示的有机发光装置的制造方法的截面图。应注意，制造图6所示的有机发光装置直至形成第一保护金属层114的方法与用于图2所示的有机发光装置的方法相同，因此下面将省略其详细描述。

也就是说，如图7a所示，通过图5a至图5h所示的制造方法在基板101上形成上辅助电极126和第一保护金属层114。

随后，如图7b所示，通过蚀刻工艺蚀刻光刻胶图案150。此时，除了光刻胶图案150的被第一保护金属层114和上辅助电极126保护的上表面之外，蚀刻光刻胶图案150的侧表面。因此，光刻胶图案150中的开口152比第一保护金属层114中的开口152宽。

随后，如图7c所示，在第一保护金属层114的整个表面上沉积第二保护金属层124。此时，第二保护金属层124由对第一保护金属层114和上辅助电极126的粘附力高于对由有机绝缘材料形成的光刻胶图案150的粘附力的材料形成。因此，第二保护金属层124被形成在第一保护金属层114的上表面上，但是没有被形成在光刻胶图案150的侧表面上。随后，如图7d所示，通过剥离工艺去除光刻胶图案150，去除设置在光刻胶图案150上的上辅助电极126、第一保护金属层114和第二保护金属层124。

随后，在上面形成有第一保护金属层114和第二保护金属层124的基板101上依次层叠有机封装层144和第二无机封装层146。

以这样的方式，根据本公开的有机发光装置可简化其制造过程并因此降低成本，因为第一保护金属层114、第二保护金属层124和上辅助电极126通过同一掩模工序形成。

从以上描述中显而易见的是，根据本公开的实施方式，下辅助电极被直接设置在阳极电极上，并且上辅助电极被直接设置在阴极电极上，因此，能够减小阳极电极和阴极电极中的每一个的电阻，而不造成对有机层的损害，这可以防止亮度均匀性降低。另外，通过在被埋置在保护封装层中的沟槽中的上辅助电极上设置保护金属层，能够防止外部湿气、氧气等对有机层的损害。另外，上辅助电极和保护金属层通过同一掩模工序形成，这可使得结构简化且制造成本降低。此外，上辅助电极用作反射电极以改善光提取，这使得发光效率提高。

尽管以上已经参照附图详细描述了本公开的实施方式，然而对于本领域技术人员来说将显而易见的是，本公开不限于上述实施方式，并且可在本公开的精神和范围内进行各种替换、修改和改变。因此，在本公开的说明书中公开的实施方式不旨在限制本公开，本公开的技术范围应基于所附的权利要求来进行解释，并且落入与权利要求等同的范围内的所有技术思想都应被理解为属于本公开的范围。

本申请要求于2017年11月28日提交的韩国专利申请no.10-2017-0160417的优先权，该韩国专利申请通过引用并入到本文中，如同完全在本文中阐述一样。